東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市

　　根據(jù)外媒的報道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5。

　　據(jù)介紹，芯片將實現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。

　　據(jù)報道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一種設(shè)計創(chuàng)新，節(jié)省了15%的芯片尺寸。