半導(dǎo)體受寒 晶圓廠投資大減，5G、AI驅(qū)動下一波產(chǎn)業(yè)增長

　　受內(nèi)存報價大跌、美中貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致下游拉貨保守影響，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)13日下修今年全球晶圓廠資本支出預(yù)估值至529億美元，年減14%，終止連三年成長。

　　SEMI今年初原估今年衰退幅度約9%，不到二個月再提出更悲觀的報告，凸顯全球半導(dǎo)體景氣下修幅度超乎預(yù)期，晶圓廠對今年資本支出更保守。

　　晶圓廠資本支出，主要來自于臺積電、三星、英特爾等大型芯片制造商投入的設(shè)備支出金額，隨著整體晶圓廠投資步調(diào)放緩甚至轉(zhuǎn)趨衰退，意味整個產(chǎn)業(yè)鏈景氣同步向下，從上游的高通、聯(lián)發(fā)科等IC設(shè)計商，到臺積電等晶圓制造商，及日月光等封測廠，將受影響。

　　業(yè)界分析，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場動向，反映主要大廠投資狀況，若景氣擴(kuò)張，大廠積極投資，設(shè)備市場也會同步成長;反之，若景氣清淡，大廠投資意愿也會轉(zhuǎn)趨觀望甚至保守，使得設(shè)備市場規(guī)模縮減。

　　SEMI表示，半導(dǎo)體設(shè)備銷售從去年5月反轉(zhuǎn)向下，使得矽晶圓和材料廠出貨也在去年10月起由高峰向下。SEMI認(rèn)為，內(nèi)存價格下跌，導(dǎo)致大廠不愿擴(kuò)產(chǎn)破壞供需，投資縮手，中美貿(mào)易戰(zhàn)使下游客戶拉貨觀望影響，晶圓廠資本投資同步大踩煞車，其中又以先進(jìn)內(nèi)存制造商、中國大陸晶圓廠，以及28納米以上成熟制程業(yè)者的資本支出縮減幅度最為明顯。

　　臺積電預(yù)估今年不含內(nèi)存，全球半導(dǎo)體景氣僅微增1%，若加計內(nèi)存，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年應(yīng)會衰退，目前包括內(nèi)存、邏輯芯片市況都不好，使得各大半導(dǎo)體廠資本支出趨保守。

　　5G、AI將是產(chǎn)業(yè)下一波成長動能

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年雖遇逆風(fēng)，但SEMI強(qiáng)調(diào)，第五代移動通訊(5G)和人工智能(AI)將是產(chǎn)業(yè)下一波成長動能。受惠于下世代新興產(chǎn)品需求增加，明年晶圓廠設(shè)備支出可望回升至670億美元，再寫新猷，年增27%。

　　晶圓代工龍頭臺積電也預(yù)期在5G和AI驅(qū)動下，有信心明年又會回到營收和獲利年增5%至10%的成長軌跡，且會持續(xù)好幾年。因此，臺積電今年資本支出雖下修為100億至105億美元，但明年有機(jī)會向120億美元的高資本支出推進(jìn)。

　　臺積電并看好未來5G和AI應(yīng)用需要更多先進(jìn)制程，尤其是7納米以下更為強(qiáng)勁。因應(yīng)未來客戶端需求，臺積電今年第2季將導(dǎo)入7納米強(qiáng)化版制程量產(chǎn)，明年再推進(jìn)到5納米制程量產(chǎn)。

　　SEMI全球行銷長暨臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，近期半導(dǎo)體遇到逆風(fēng)，但產(chǎn)業(yè)在商業(yè)循環(huán)進(jìn)入一個相對穩(wěn)定階段，且5G相關(guān)應(yīng)用陸續(xù)展開，將帶動大爆發(fā)。

　　他強(qiáng)調(diào)，未來三至五年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖有巨大芯片需求及市場機(jī)會，但技術(shù)上的挑戰(zhàn)伴隨而生，以“不同技術(shù)、不同功能、不同材料之間的異質(zhì)整合”創(chuàng)新及創(chuàng)造高價值的終端應(yīng)用產(chǎn)品，成后摩爾定律時代主流技術(shù)方向。

　　曹世綸表示，隨異質(zhì)整合成為技術(shù)趨勢，以及AI、5G將更多跨領(lǐng)域的高科技串連在一塊的趨勢逐漸明朗化，對于能跨界整合及擁有多元技術(shù)背景的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才需求將會更加提升。