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          諾存微電子發(fā)布國(guó)內(nèi)首款高速NOR閃存

          作者: 時(shí)間:2019-04-15 來(lái)源:C114通信網(wǎng) 收藏

          近日,在深圳舉辦的2019年中國(guó)電子展(CEF)上,蘇州公司舉辦新品發(fā)布會(huì),發(fā)布了國(guó)內(nèi)首批含DTR倍速功能的Octa-SPI和Quad-SPI高速(64Mb-256MB)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201904/399490.htm

          創(chuàng)始人彭海兵博士介紹,這一系列閃存新品具備三大特點(diǎn),一是速度快,16倍于傳統(tǒng)SPI NOR;二是引腳少,采用SOP16、SOP8 或 BGA24封裝;三是可以與傳統(tǒng)SPI完全兼容。基于這一特質(zhì),的新品相比美光、華邦、旺宏等老牌廠商具備更好的性價(jià)比,能夠在安防、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、工控等市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。

          例如工控應(yīng)用,諾存微電子的NM25L256FVA Octa Flash,更少的引腳可以顯著減小MCU焊盤面積,提高需即時(shí)響應(yīng)的工業(yè)人機(jī)互動(dòng)應(yīng)用速度;網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,NM25L256FVA Octa Flash突破了傳統(tǒng)NOR的速度極限,可實(shí)現(xiàn)快速、可靠和安全的下一代企業(yè)級(jí)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用;消費(fèi)電子及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,NM25L256FVA Octa Flash快速讀寫、低引腳數(shù)及體積小的優(yōu)勢(shì),滿足數(shù)碼單反相機(jī)、無(wú)人機(jī)、家庭自動(dòng)化、手持顯示儀、手持投影儀和可穿戴設(shè)備等空間受限卻又要求快速響應(yīng)的應(yīng)用。

          資料顯示,諾存微電子是由清華啟迪、中金前海、中科創(chuàng)星等旗下基金投資的一家創(chuàng)業(yè)公司,創(chuàng)始人彭海兵博士本科畢業(yè)于清華大學(xué),并在哈佛大學(xué)獲得博士學(xué)位,核心團(tuán)隊(duì)由海歸博士、國(guó)際知名技術(shù)專家和高級(jí)管理人才組成,包括Intel前副總裁、長(zhǎng)江學(xué)者等國(guó)際頂尖人才,主導(dǎo)公司的管理、產(chǎn)品設(shè)計(jì)生產(chǎn)和后續(xù)市場(chǎng)銷售工作。

          但是據(jù)C114了解,閃存市場(chǎng)在2017年高達(dá)541億美元,但被三星、東芝、美光、SK海力士四大巨頭幾乎壟斷;而價(jià)值43億美元的市場(chǎng),賽普拉斯、旺宏、美光、華邦、兆易創(chuàng)新五大廠商也占據(jù)了絕大部分市場(chǎng)份額。毫無(wú)疑問,對(duì)創(chuàng)業(yè)公司來(lái)說(shuō),這一市場(chǎng)的門檻非常高。

          彭海兵博士認(rèn)可這一格局,并對(duì)C114表示,面臨當(dāng)前格局,諾存微電子采取"分步走"的市場(chǎng)策略,以技術(shù)創(chuàng)新沖擊市場(chǎng),不斷壯大。短期產(chǎn)品注重高性價(jià)比,可競(jìng)爭(zhēng)美光旺宏等高端產(chǎn)品;同時(shí)也考慮pin-to-pin兼容性,替代其他市場(chǎng)上流行款式。首批推出的幾款含DTR倍速功能的Octa-/Quad-SPI 高速產(chǎn)品,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白,具備高速讀取、高可靠性和低成本特點(diǎn),2018年已經(jīng)分批送樣試用成功,目前在擴(kuò)大市場(chǎng)階段,打響品牌。中長(zhǎng)期則主推全新的高密度存儲(chǔ)陳列,以獨(dú)特的專利技術(shù)沖擊市場(chǎng),引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新,推出世界首款三維NOR閃存,低成本高性能,適用于代碼運(yùn)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ),可競(jìng)爭(zhēng)傳統(tǒng)NOR和NAND兩者約540億美金的市場(chǎng)。

          彭海兵博士介紹,諾存微電子研發(fā)的NOR閃存采用全新三維架構(gòu);傳統(tǒng)NOR閃存的平面設(shè)計(jì)已經(jīng)接近物理上的極限,產(chǎn)品可靠性降低、成本攀升,三維化是技術(shù)變革趨勢(shì);諾存微電子基于三維架構(gòu)開發(fā)新型高密度NOR閃存,兼具傳統(tǒng)NOR和NAND兩者的優(yōu)勢(shì),大大降低NOR的價(jià)格,又可以兼顧傳輸速度和隨機(jī)存取等優(yōu)點(diǎn),市場(chǎng)前景廣闊。

          "目前我們已經(jīng)研發(fā)成功世界首款三維高密度NOR閃存原型,應(yīng)用前景廣闊。"彭海兵博士表示,"我們期待在全球NOR閃存市場(chǎng)份額餅狀圖上,未來(lái)幾年出現(xiàn)諾存的名字!"

          隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、5G等新興產(chǎn)業(yè)的涌現(xiàn),NOR 閃存又找到了新的用武之地,未來(lái)幾年,傳統(tǒng)NOR閃存市場(chǎng)有望出現(xiàn)較大規(guī)模增長(zhǎng),這對(duì)諾存微電子來(lái)說(shuō),不僅有機(jī)會(huì)替代原有廠商的市場(chǎng)份額,還面臨新增的市場(chǎng)空間。同時(shí),諾存的高速高密度NOR閃存,成本可競(jìng)爭(zhēng)NAND,中期產(chǎn)品將沖擊SLC NAND市場(chǎng),開拓新疆域。 彭海兵博士指出,盡管是一家創(chuàng)業(yè)公司,諾存微電子擁有國(guó)際化的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì),在產(chǎn)品技術(shù)和市場(chǎng)渠道商均有豐厚積累,而國(guó)內(nèi)對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略重視,讓諾存微電子得以把握這一機(jī)遇,腳踏實(shí)地去提升自己,進(jìn)而有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)被巨頭壟斷的市場(chǎng),致力于打造世界級(jí)的企業(yè)。 



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