國(guó)內(nèi)公司沖擊最尖端半導(dǎo)體工藝 10/7nm進(jìn)度喜人

國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際今天下午發(fā)布Q1季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收6.7億美元，同比下滑19.5%，凈利潤(rùn)1227萬美元，同比下滑58%，不過中芯國(guó)際表示FinFET工藝研發(fā)進(jìn)展順利，12nm工藝進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，下一代FinFET工藝研發(fā)進(jìn)度喜人——雖然沒有明確下一代工藝具體是什么，但中芯國(guó)際的表態(tài)意味著國(guó)產(chǎn)10nm或者7nm工藝研發(fā)進(jìn)度還是很不錯(cuò)的。

在半導(dǎo)體制造工藝上，國(guó)內(nèi)量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝還是28nm，與臺(tái)積電/三星量產(chǎn)的7nm差了至少兩三代。不過國(guó)內(nèi)廠商面臨的一個(gè)機(jī)遇是摩爾定律逐漸失效，10nm及以下工藝面臨瓶頸，給了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體廠商追趕的機(jī)會(huì)。不過在晶圓代工市場(chǎng)上，國(guó)內(nèi)最大的公司是中芯國(guó)際，其與全球第一大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電的差距還是很大的，營(yíng)收規(guī)模只有后者的十分之一左右。

中芯國(guó)際今天下午發(fā)布了2019年Q1季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收6.7億美元，環(huán)比下滑15.1%，同比下滑19.5%，毛利潤(rùn)1.22億美元，環(huán)比下滑16.3%，同比下滑44.6%，歸屬于股東的凈利潤(rùn)1227萬美元，環(huán)比下滑53.7%，同比下滑58.2%，不過算上非控制權(quán)益的話，當(dāng)季凈利潤(rùn)2438萬元，環(huán)比增長(zhǎng)了124%，同比下滑了10%。

與市場(chǎng)預(yù)期巨虧4400多萬美元相比，中芯國(guó)際Q1季度的表現(xiàn)要好于預(yù)期。

此外，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍、梁孟松也分別針對(duì)運(yùn)營(yíng)及技術(shù)發(fā)表了看法。“過去兩年以來，公司處于調(diào)整期。透過優(yōu)化和改革，提升內(nèi)在實(shí)力，研發(fā)顯著提速。我們積蓄的能量和競(jìng)爭(zhēng)力，將加速我們接下來追趕產(chǎn)業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)的步伐，迎合宏觀市場(chǎng)機(jī)會(huì)的到來，有望走出調(diào)整期，加速我們的成長(zhǎng)?！?/p>

中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官，趙海軍說：“我們看到一季度為今年?duì)I收低谷，產(chǎn)業(yè)庫存周期調(diào)整結(jié)束，中芯努力耕耘的新成熟工藝平臺(tái)也準(zhǔn)備就緒，模擬與電源管理芯片，CMOS 射頻與物聯(lián)網(wǎng)芯片等新應(yīng)用帶動(dòng)業(yè)績(jī)成長(zhǎng)。二季度收入預(yù)計(jì)環(huán)比上升17%至19%。”

中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官，梁孟松說：“FinFET 研發(fā)進(jìn)展順利，12nm 工藝開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，下一代 FinFET 研發(fā)在過去積累的基礎(chǔ)上進(jìn)度喜人。上海中芯南方 FinFET 工廠順利建造完成，開始進(jìn)入產(chǎn)能布建。我們將為快速契合客戶的技術(shù)遷移做好準(zhǔn)備，以面對(duì)日新月異的行業(yè)環(huán)境?！?/p>

值得注意就是梁孟松公布的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)步，12nm工藝也進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段，另外新一代FinFET工藝研發(fā)進(jìn)度喜人，看起來進(jìn)展很順利。盡管中芯國(guó)際沒有明確新一代FinFET工藝具體是什么，但此前中芯國(guó)際在28nm到14nm節(jié)點(diǎn)中跳過了20nm工藝，在14nm到未來工藝中應(yīng)該也會(huì)跳過10nm工藝，因?yàn)楹笳卟⒎歉咝阅芄に嚕?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/7nm">7nm FinFET工藝才是下一代的重點(diǎn)工藝，而此前他們也斥巨資購(gòu)買了ASML的EUV光刻機(jī)研發(fā)7nm工藝。

即便中芯國(guó)際不跳過10nm FinFET工藝，這也意味著國(guó)產(chǎn)的10nm FinFET工藝進(jìn)展良好，這依然是最頂尖的制造工藝之一。