三星新動(dòng)向，晶圓代工進(jìn)入“威懾紀(jì)元”執(zhí)劍人或易換？

眾所周知，三星擁有全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，在工藝方面它與全球最大的芯片代工廠臺(tái)積電處于同一水平，三星在該領(lǐng)域起步早、研發(fā)實(shí)力強(qiáng)，才打下了如今的霸業(yè)。目前全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)是三星、海力士、美光、東芝、西部數(shù)據(jù)等巨頭稱霸，三星占據(jù)市場(chǎng)最大份額。

勁敵臺(tái)積電劍鋒相向多年

2014年三星電子失去蘋果A系列處理器訂單，蘋果A8處理器全部交由臺(tái)積電（TSMC）代工；2015年好不容易搶到A9處理器部分訂單，但由于良率和功耗控制不如臺(tái)積電，導(dǎo)致2016年的A10處理器又全部由臺(tái)積電包圓。由于失去蘋果這個(gè)大客戶，導(dǎo)致2014年和2015年晶圓代工營(yíng)收出現(xiàn)下滑。

為了填補(bǔ)產(chǎn)能，三星電子代工部門積極出擊，搶下高通（Qualcomm）應(yīng)用處理器和服務(wù)器芯片、超微半導(dǎo)體（AMD）的微處理器芯片、英偉達(dá)（Nvidia）的圖形處理芯片、安霸（Ambarella）的視覺處理芯片、特斯拉（Tesla）的自駕系統(tǒng)芯片的訂單，得以彌補(bǔ)蘋果跑單的窘境。2016年?duì)I收達(dá)到44億美元，超過(guò)2013年的水平，創(chuàng)下三星電子晶圓代工營(yíng)收的新紀(jì)錄。

在聯(lián)電、格羅方德相繼退出10nm以下制程市場(chǎng)，以及英特爾 2018年陷入產(chǎn)能不足的窘境后，三星被認(rèn)為是晶圓代工龍頭臺(tái)積電近2年的唯一對(duì)手，與其一同競(jìng)爭(zhēng)英偉達(dá)、高通等有7nm EUV技術(shù)需求的客戶。

2016~2018年三星半導(dǎo)體產(chǎn)值（注：含存儲(chǔ)器）

來(lái)源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院

三星是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo)，三星電子副會(huì)長(zhǎng)更曾公開表述，三星半導(dǎo)體事業(yè)部除了已在存儲(chǔ)器市場(chǎng)獨(dú)霸一方，系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)部(System LSI)及晶圓代工事業(yè)部的成長(zhǎng)潛力，將成為三星半導(dǎo)體部門未來(lái)數(shù)年的主要成長(zhǎng)動(dòng)能。

3nm工藝提升，上位之意昭然若揭

在5月15日（今日）的三星晶圓代工SFF美國(guó)分會(huì)上，三星宣布四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm，再往后則是3nm GAA工藝了，通過(guò)使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面積縮小45%。

目前先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，臺(tái)積電去年率先量產(chǎn)7nm工藝，但沒有EUV光刻工藝，三星則選擇了直接進(jìn)入7nm EUV工藝，進(jìn)度上要比臺(tái)積電落后一年，不過(guò)三星現(xiàn)在要加速追趕了。

除了7nm FinFET工藝之外，三星還規(guī)劃了另外三種FinFET工藝——6nm、5nm、4nm，今年將完成6nm工藝的批量生產(chǎn)，并完成4nm工藝的開發(fā)。

目前三星還在開發(fā)3GAE工藝中，不過(guò)他們4月份就發(fā)布了3GAE工藝的PDK 1.0工藝設(shè)計(jì)套件，旨在幫助客戶盡早開始設(shè)計(jì)工作，提高設(shè)計(jì)競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間（TAT）。

登峰之意雄心壯志

2019年4月24日，三星電子公布了未來(lái)的投資計(jì)劃和目標(biāo)。三星電子的投資計(jì)劃，將在未來(lái)12年內(nèi)將投資133萬(wàn)億韓元（約1200億美元）加強(qiáng)系統(tǒng)LSI和晶圓代工業(yè)務(wù)方面的競(jìng)爭(zhēng)力，擴(kuò)大非存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)。其中：73萬(wàn)億韓元（約660億美元）的國(guó)內(nèi)研發(fā)，60萬(wàn)億韓元（約540億美元）的生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)計(jì)每年平均投資11萬(wàn)億韓元（約100億美元）。

從三星這一舉動(dòng)可以看出，三星的目標(biāo)昭然若揭：保持存儲(chǔ)芯片全球第一的位置的同時(shí)，在晶圓代工領(lǐng)域挑落臺(tái)積電，在CMOS圖像傳感器領(lǐng)域擊敗索尼，在營(yíng)收方面維持對(duì)英特爾的領(lǐng)先，坐穩(wěn)全球第一大半導(dǎo)體廠商的寶座。

*本文部分?jǐn)?shù)據(jù)觀點(diǎn)參考引用新聞報(bào)刊如下：

[1]《2019全球晶圓代工7nm產(chǎn)值成長(zhǎng)200%以上，三星布局對(duì)標(biāo)臺(tái)積電》陳彥尹 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院.

[2]《三星目標(biāo)高遠(yuǎn)爭(zhēng)當(dāng)全球第一存儲(chǔ)芯片晶圓代工CMOS圖像傳感器還有營(yíng)收》趙元闖 芯思想.

[3]《三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%》憲瑞 快科技.