<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 英特爾10nm制程工藝指標(biāo)遠(yuǎn)超臺(tái)積電7nm

          英特爾10nm制程工藝指標(biāo)遠(yuǎn)超臺(tái)積電7nm

          作者:尹航 時(shí)間:2019-06-25 來源:中關(guān)村在線 收藏

          10nm制程工藝姍姍來遲,受到外界不少的質(zhì)疑。即便在今年臺(tái)北電腦展上已經(jīng)發(fā)布了10nm處理器,但是首批搭載10nm處理器的電腦究竟何時(shí)上市還是沒有確切的時(shí)間。此前媒體大多分析將于今年第三季度發(fā)布,如果真是這樣的話,那么可能最早在7月份才能見到10nm產(chǎn)品。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201906/401870.htm

          此外,在英特爾發(fā)布10nm處理器之后,官方參數(shù)顯示10nm處理器的主頻和睿頻基準(zhǔn)都有所降低,尤其是默認(rèn)主頻降幅較大。但是在技術(shù)層面,英特爾表示10nm處理器的IPC提升18%,熟悉處理器的朋友都知道,IPC提升18%是一件非常困難的事情,因此雖然10nm處理器主頻降低,但考慮到大幅提升的IPC,10nm處理器的性能還是值得期待的。

          此前GeekBench 4跑分露出了英特爾10代酷睿,也就是首批10nm酷睿處理器的表現(xiàn),其最終成績非常不錯(cuò)。而近日,英特爾10nm制程工藝的基本指標(biāo)也被放了出來,如下:

          從上圖可知,英特爾10nm制程在晶體管密度上做到了100.76Mtr/mm2、柵極間距54×44nm,SRAM面積為0.0312μm2,與7nm制程相比,在基本指標(biāo)上均取得大幅領(lǐng)先。因此即便之前英特爾官方公布的10nm處理器主頻下降不少,但從IPC性能、晶體管密度、柵極間距等其它關(guān)鍵指標(biāo)來看,英特爾10代酷睿的性能發(fā)揮值得期待。

          編輯點(diǎn)評(píng)

          目前,英特爾10nm制程處理器已經(jīng)大規(guī)模發(fā)貨,不過首批都是應(yīng)用于輕薄型筆記本電腦上的低壓U系列處理器,也就是Ice Lake-U,至于移動(dòng)級(jí)45W標(biāo)壓處理器、桌面65W/95W處理器、甚至是為專業(yè)設(shè)計(jì)師、視頻剪輯提供的發(fā)燒平臺(tái)Ice Lake-X、至強(qiáng)D等,還需要等到明年才能看到。



          關(guān)鍵詞: 英特爾 臺(tái)積電

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();