Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術發(fā)展待觀察

全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。

Cree收回Wolfspeed事業(yè)部，加碼擴廠開發(fā)功率及射頻元件

以LED材料與元件起家的Cree，近年將研發(fā)方向集中于功率及射頻元件領域的理由，可從其與Infineon的并購案淵源說起。原先Cree旗下以功率及射頻元件為主力的Wolfspeed事業(yè)部因本身經(jīng)營策略，已規(guī)劃于2016年7月公告出售該部門至Infineon功率半導體事業(yè)體，期望借由此次并購案，使Infineon成為車用SiC元件上的領先霸主；但事情發(fā)展并非如此順利，2017年2月出售案經(jīng)美國外資投資委員會(CFIUS)評估后，以可能涉及軍事管制技術原因決議禁止該并購案，迫使Cree需重新思考因應策略及經(jīng)營方針。

此后Cree于2018年2月及3月時，提出與Infineon的SiC晶圓長期供貨協(xié)議，并向Infineon收購其射頻功率半導體事業(yè)部，試圖解決美國外資投資委員會出售禁令的損失，保持與Infineon之合作關系。

2019年5月Cree又提出擴廠計劃，說明其已將開發(fā)重心逐漸轉回功率及射頻元件領域上，持續(xù)投入8寸SiC晶圓生成技術的提升，藉此拉抬SiC元件于車用、工業(yè)及消費型電子領域之市占空間。

各廠于GaN on SiC磊晶技術之目標市場皆不同，后續(xù)發(fā)展仍需持續(xù)觀察

現(xiàn)行GaN on SiC磊晶技術主要集中于Cree手中，Cree擁有最大SiC晶圓市占率(超過5成以上)；根據(jù)官網(wǎng)資料，目前使用的SiC基板尺寸最大可達6寸，主要應用于功率半導體的車用、工業(yè)及消費型電子元件中，少量使用于通訊射頻領域上；未來擴廠計劃完工后，預期可見8寸SiC基板應用于相關功率及射頻元件制造。

另外，Cree在GaN on SiC磊晶技術領域的競爭對手為NTT AT(日本電信電話先進技術)，其使用的SiC基板最大尺寸為4寸，借由后續(xù)磊晶成長如AlGaN(或InAlGaN)緩沖層后，形成HEMT(高電子移動率晶體晶體管)結構，目標開發(fā)高頻通訊功率元件。

因此現(xiàn)階段GaN on SiC磊晶技術之應用情形，各家廠商瞄準的目標市場皆不同，該技術仍處于發(fā)展階段，有待后續(xù)持續(xù)關注。