青銅劍科技參展PCIM Asia 2019，純國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)方案廣受關(guān)注

6月28日，為期3天的PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)）在上海世博展覽館圓滿落下帷幕。本屆展會(huì)云集了近百家國內(nèi)外行業(yè)各路廠商，展示了行業(yè)最新研究成果和產(chǎn)品技術(shù)，是一場電力電子行業(yè)的國際盛會(huì)。

青銅劍科技應(yīng)邀參加PCIM Asia 2019，現(xiàn)場展示了第二代ASIC芯片IGBT驅(qū)動(dòng)核、汽車級(jí)和工業(yè)級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng)方案，以及適配多種碳化硅器件的碳化硅驅(qū)動(dòng)方案。其中，青銅劍科技以自主研發(fā)的ASIC驅(qū)動(dòng)芯片為核心、所有輔助元器件和制程工藝均為國產(chǎn)、完全實(shí)現(xiàn)自主可控的“中國芯、純國產(chǎn)”系列驅(qū)動(dòng)方案一經(jīng)展出，便成為全場矚目焦點(diǎn)，備受行業(yè)關(guān)注。

當(dāng)前國際環(huán)境復(fù)雜多變，芯片依賴進(jìn)口就會(huì)受制于人，芯片國產(chǎn)化迫在眉睫。經(jīng)過不懈努力，青銅劍科技已成功研發(fā)出中國首款I(lǐng)GBT驅(qū)動(dòng)ASIC芯片，填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的技術(shù)空白。采用自主研發(fā)的ASIC芯片，青銅劍科技打造安全可靠、具競爭力的純國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)方案，擁有靈活高效、高可靠性、高功率密度等特點(diǎn)，能夠大幅提高IGBT性能，并有效保護(hù)IGBT模塊，滿足廣大客戶對(duì)國產(chǎn)自主可控驅(qū)動(dòng)方案的需求。

同時(shí)，青銅劍科技碳化硅驅(qū)動(dòng)方案是企業(yè)展臺(tái)上的另一大亮點(diǎn)。針對(duì)英飛凌、三菱、富士、羅姆和Wolfspeed等不同廠家的碳化硅器件配套，青銅劍科技推出多款碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)方案，具有60kHz至100kHz高工作頻率、100kV/μs高抗干擾能力、快速短路保護(hù)響應(yīng)等特點(diǎn)。青銅劍科技碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)方案有助于充分發(fā)揮碳化硅功率器件高溫、高頻、高壓的優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于汽車的傳動(dòng)系統(tǒng)、電池充電器、直流變換器，以及工業(yè)的光伏逆變器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域。

同期舉辦的PCIM Asia 國際研討會(huì)是國內(nèi)最具影響力的電力電子學(xué)術(shù)會(huì)議之一。6月26日上午，青銅劍科技主任硬件工程師吳曉光出席“電力電子應(yīng)用論壇”并發(fā)表主題演講，分享青銅劍科技在“高壓IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)”方面的最新研究成果，通過對(duì)高壓IGBT應(yīng)用場景、高壓門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)等內(nèi)容的探討，詳細(xì)介紹了青銅劍科技的最新成果，獲得了業(yè)內(nèi)專家學(xué)者的關(guān)注與肯定。

十年鑄一劍，匠心不改，以中國心鑄就中國“芯”！青銅劍科技掌握IGBT驅(qū)動(dòng)和電量傳感核心技術(shù)，以創(chuàng)新姿態(tài)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展，爭當(dāng)電力電子芯片進(jìn)口替代的探索者和實(shí)踐者，助力中國電力電子技術(shù)創(chuàng)“芯”征程。