CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新成果

中國(guó)北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開(kāi)發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會(huì)議上發(fā)表該文章。

當(dāng)今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應(yīng)用方面，越來(lái)越多的人則被碳化硅技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)所吸引。為了充分發(fā)揮碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）在快速開(kāi)關(guān)和低損耗方面的優(yōu)勢(shì)，依然需要應(yīng)對(duì)兩個(gè)主要的挑戰(zhàn)：一是實(shí)現(xiàn)精心優(yōu)化的低感抗負(fù)載（寄生感抗）功率模塊，二是采用強(qiáng)勁可靠且快速的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)高可靠和高能效地驅(qū)動(dòng)碳化硅工作。對(duì)于SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器，主要有以下幾個(gè)方面的要求：

面向高能效的快速開(kāi)關(guān)能力（高dV/dt）

面向高功率密度的高開(kāi)關(guān)頻率

高壓穩(wěn)健性

運(yùn)行操作安全可靠

CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅(qū)動(dòng)板，其額定溫度為125°C（Ta），它還針對(duì)采用半橋式SiC MOSFET的 62mm功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化，如圖1所示。這款采用CISSOID HADES柵極驅(qū)動(dòng)器芯片組的電路板的額定溫度為175°C（Tj），并為工業(yè)應(yīng)用中使用的高密度功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供了散熱設(shè)計(jì)余量?；谙嗤募夹g(shù)，目前正在為基于碳化硅的電動(dòng)汽車電源逆變器開(kāi)發(fā)三相柵極驅(qū)動(dòng)板。

SiC MOSFET支持快速開(kāi)關(guān)和低開(kāi)關(guān)損耗。通過(guò)減少外部柵極電阻從而增加了峰值柵極電流和dV/dt，進(jìn)一步降低了開(kāi)關(guān)損耗。因此，柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供高峰值柵極電流以實(shí)現(xiàn)高功率效率。為了限制dV/dt并避免模塊內(nèi)部擾動(dòng)，通常對(duì)碳化硅功率模塊進(jìn)行內(nèi)部阻尼抑制。CAS300M12BM2模塊的內(nèi)部柵極電阻為3歐姆。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為+20V/-5V時(shí)，內(nèi)部柵極電阻將峰值柵極電流限制在8.3A。通常建議增加最小的外部柵極電阻，例如2.5歐姆，以避免任何干擾，且將峰值電流限制在4.5A。當(dāng)溫度為125°C且最大峰值柵極電流為10A時(shí)，CMT-TIT8243柵極驅(qū)動(dòng)器可以以最大的dV/dt驅(qū)動(dòng)1200V/300A 碳化硅功率模塊，從而使開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換損耗變得最小。

如果希望通過(guò)高dV/dt來(lái)減少開(kāi)關(guān)損耗，則會(huì)使柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)變得更具挑戰(zhàn)性。事實(shí)上，高dV/dt通過(guò)諸如電源變壓器和數(shù)字隔離器等隔離阻斷的寄生電容時(shí)，會(huì)產(chǎn)生高共模電流來(lái)干擾柵極驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行，并產(chǎn)生不必要的行為，如附加的開(kāi)機(jī)或關(guān)機(jī)。CMT-TIT8243柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)旨在提供針對(duì)高dV/dt的魯棒性：為了實(shí)現(xiàn)低寄生電容而對(duì)電源變壓器進(jìn)行了優(yōu)化，以盡量降低共模電流。高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器和包括電源變壓器和隔離器在內(nèi)的主功能側(cè)之間的總寄生電容小于10pF。CMT-TIT8243保證在dV/dt>50kv/μs下正常工作。此外CMTTIT8243柵極驅(qū)動(dòng)器還具有用于輸入脈寬調(diào)制信號(hào)的RS-422差分接口，以提高功率級(jí)快速轉(zhuǎn)換期間的信號(hào)完整性。

得益于低開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換損耗，碳化硅晶體管能夠在處于控制下的功率器件保持冷卻的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換器的高開(kāi)關(guān)頻率。這就縮減了濾波器和變壓器的尺寸，也大大減小了電源轉(zhuǎn)換器的尺寸和重量。為了保證高頻開(kāi)關(guān)操作的安全，柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器必須能夠提供足夠的平均柵極電流，其計(jì)算方法是柵極總電荷乘以開(kāi)關(guān)頻率。CMT-TIT8243柵極驅(qū)動(dòng)器可以為每個(gè)通道提供95mA的平均柵極電流。在800V/300A下，1200 V/300A SiC MOSFET模塊的總柵極電荷約為1μC，這意味著柵極驅(qū)動(dòng)器可以在92kHz的開(kāi)關(guān)頻率下工作。實(shí)際上，最大開(kāi)關(guān)頻率將受到功率模塊中開(kāi)關(guān)損耗的限制，而不是受到柵極驅(qū)動(dòng)器的限制。

圖1. 高溫高壓隔離柵驅(qū)動(dòng)器用于 62mm SiC MOSFET電源模塊

由于工作時(shí)可承受的結(jié)溫度更高，SiC MOSFET技術(shù)也有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度。隨著轉(zhuǎn)換器內(nèi)部功率密度的增加，環(huán)境溫度也隨之升高。人們?cè)谂κ沟秒娫茨K降溫的時(shí)候，他們卻往往忽視了柵極驅(qū)動(dòng)器的冷卻。在不降低最大平均柵極的電流時(shí)，CMT-TIT8243的柵極驅(qū)動(dòng)器的環(huán)境工作溫度為125°C，為高功率密度轉(zhuǎn)換器提供了更高的溫度余量，從而簡(jiǎn)化了其散熱設(shè)計(jì)和機(jī)械設(shè)計(jì)。當(dāng)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻隨柵極至源極電壓的降低而降低時(shí)，具有穩(wěn)定和準(zhǔn)確的正驅(qū)動(dòng)電壓是非常重要的。必須處理正驅(qū)動(dòng)電壓的重要變化意味著在功率轉(zhuǎn)換器的散熱和溫度控制設(shè)計(jì)中必須要有更大的余量。CMTTIT8243柵極驅(qū)動(dòng)器的正驅(qū)動(dòng)電壓精度高于5%，這可以簡(jiǎn)化功率級(jí)的散熱和溫度控制設(shè)計(jì)。

碳化硅技術(shù)將高于600伏的阻斷電壓的各種最佳優(yōu)勢(shì)帶給了用戶。高dI/dt比在包括電源模塊、母線和直流母線電容等電源回路中的寄生電感上產(chǎn)生了電壓超調(diào)。柵極驅(qū)動(dòng)器也面臨這些高電壓并必須保證高隔離。CMT-TIT8243柵極驅(qū)動(dòng)器具有高隔離電壓（在50赫茲/1分鐘時(shí)為3600 Vrms），可在惡劣的電壓環(huán)境下提供安全冗余，并且還設(shè)計(jì)了高隔離距離（creepace>14 mm，間隙>12 mm），以便在污染環(huán)境下安全運(yùn)行：

最后但重要的是，故障保護(hù)對(duì)于快速開(kāi)關(guān)碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要，包括：

欠壓解鎖保護(hù)（UVLO）：監(jiān)控輸入主供電電壓和輔助輸出電壓，當(dāng)?shù)陀诔绦蛟O(shè)定閾值時(shí)報(bào)告故障。

反重疊：在高側(cè)和低側(cè)的脈寬調(diào)制（PWM）信號(hào)之間強(qiáng)制實(shí)現(xiàn)最小的不重疊。

主動(dòng)米勒鉗位（AMC）：在關(guān)斷后為負(fù)柵極電阻建立旁路，以保護(hù)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管不受寄生性接通的影響。

去飽和檢測(cè)：在接通電源及消隱時(shí)間后檢查場(chǎng)效應(yīng)晶體管是否放電，源電壓是否低于閾值。否則，很可能意味著電源子系統(tǒng)發(fā)生了短路，必須關(guān)閉有源晶體管。

軟關(guān)機(jī)：在出現(xiàn)故障的情況下，功率晶體管進(jìn)行緩慢關(guān)閉，以將高dI/dt的超調(diào)影響降到最低。

該篇將于7月19日發(fā)表的論文的作者包括：P. Delatte, R. Burbidge,  N. Pequignot, E.Vanzieleghem, J. Luo, A. Cao.