臺積電:3nm工藝進展順利 已有客戶參與
如今在半導體工藝上,臺積電一直十分激進,7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn),5nm馬上就來,3nm也不遠了。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201907/403055.htm臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露,臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利,已經(jīng)有早期客戶參與進來,與臺積電一起進行技術(shù)定義,3nm將在未來進一步深化臺積電的領(lǐng)導地位。
目前,3nm工藝仍在早期研發(fā)階段,臺積電也沒有給出任何技術(shù)細節(jié),以及性能、功耗指標,比如相比5nm工藝能提升多少,只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點,而不是5nm的改進版。
臺積電只是說,已經(jīng)評估了3nm工藝所有可能的晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計,并與客戶一起得到了非常好的解決方案,具體規(guī)范正在進一步開發(fā)中,公司有信心滿足大客戶們的所有要求。
三星此前曾披露,將在3nm工藝上采用基于納米片(nano-sheet)的環(huán)繞式柵極(Gate-All-Around) MBCFET晶體管結(jié)構(gòu),工藝節(jié)點簡稱3GAAE。
考慮到臺積電必須在新工藝上保持足夠的競爭力,而且強調(diào)過3nm是全新的,所以必然也會有新的架構(gòu)、技術(shù)、材料等。
另外,臺積電5nm工藝使用了14個EUV極紫外光刻層,3nm上應該會使用更多,但仍可能繼續(xù)保留DUV深紫外光刻技術(shù),混合使用。
臺積電此前曾披露,計劃在2022年就量產(chǎn)3nm工藝。
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