泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術的持續(xù)發(fā)展

上?！?近日，全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機器學習等應用的需求。通過推出用于背面薄膜沉積的設備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設備EOS? GS，泛林集團進一步拓展了其應力管理產(chǎn)品組合。

泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術的持續(xù)發(fā)展

高深寬比沉積和刻蝕工藝是實現(xiàn)3D NAND技術持續(xù)發(fā)展的關鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加，其累積的物理應力越來越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過程中的一個主要挑戰(zhàn)。嚴重的晶圓翹曲會影響光刻焦深、層與層之間的對準、甚至導致圖形結構畸變，從而降低產(chǎn)品的良率。為了提高整體良率，需要對整個制造工藝中多個步驟在晶圓、晶片和圖形層面的應力進行細致管理，甚至因此放棄一些可提升產(chǎn)品性能的工藝步驟。

VECTOR DT系統(tǒng)是泛林集團等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品，旨在為控制3D NAND制造中的晶圓翹曲提供一種高性價比的解決方案。在完全不接觸晶圓正面的情況下，VECTOR DT可在晶圓背面沉積一層可調節(jié)、高應力、高質量的薄膜，一步到位地拉平翹曲的晶圓，改善光刻結果，減少由翹曲引起的諸多問題。VECTOR DT問世之初便得以廣泛采用，隨著主流3D NAND產(chǎn)品向96層以上推進，其機臺安裝數(shù)量將會持續(xù)增長。

除了沉積高應力薄膜，泛林集團還提供了背面刻蝕的技術，客戶可根據(jù)工藝需要，在3D NAND制造流程中靈活地調整晶圓應力。泛林集團的濕法刻蝕產(chǎn)品EOS GS擁有業(yè)界領先的濕法刻蝕均勻度，能在充分保護晶圓正面的前提下，同時去除背面和邊緣的薄膜，與VECTOR DT形成有力互補。作為晶圓翹曲管理解決方案的一部分，泛林集團的EOS GS也被全球存儲芯片制造商廣泛采用。

泛林集團副總裁兼沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示：“隨著客戶產(chǎn)品的存儲單元層數(shù)持續(xù)、大幅的增加，累積應力和晶圓翹曲會超過光刻設備處理能力的極限。為了達到預期良率，實現(xiàn)單位字節(jié)成本降低的路線圖，將應力引起的畸變降至最低至關重要。伴隨VECTOR DT和EOS GS產(chǎn)品的推出，我們擴大了現(xiàn)有的應力管理解決方案組合，能夠全面管理晶圓生產(chǎn)中的應力，支持客戶縱向技術的持續(xù)發(fā)展?！?/p>