臺積電:摩爾定律依然有效 晶體管將能做到0.1納米
近日,據(jù)臺灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道,臺積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示,毋庸置疑的,摩爾定律依然有效且狀況良好,它沒有死掉、沒有減緩、也沒有帶病,并透露晶體管將能做到0.1納米。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201908/404186.htm1965年提出的摩爾定律(Moores Law)引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展超過半世紀(jì),這個定律主要是指芯片上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。
但摩爾定律有沒有走到極限?走到極限未來會是什么樣的發(fā)展?這是近幾年來全球科技界業(yè)討論相當(dāng)多的問題。
近幾年,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)先進(jìn)制程中,最新幾代納米節(jié)點(diǎn)的功耗改善程度,已出現(xiàn)明顯的放緩??萍冀缬^察到,從45納米到14納米的節(jié)能數(shù)據(jù)可以看出,雖然每一代制程,芯片的面積變得越來越小,但能夠達(dá)到的能耗縮減幅度卻越來越小,尤其在14納米初期最為明顯。近二、三年進(jìn)入更先進(jìn)的10納米制程,也有類似狀況。這不禁讓人憂心,摩爾定律是否即將走到盡頭?
對此,在本周開幕的第31屆HotChips大會專題演講中,臺積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示,摩爾定律依然有效且狀況良好。
對于未來的技術(shù)路線,黃漢森認(rèn)為像碳納米管(1.2nm尺度)、二維層狀材料等可以將晶體管變得更快、更迷你;同時,相變存儲器(PRAM)、旋轉(zhuǎn)力矩轉(zhuǎn)移隨機(jī)存取存儲器(STT-RAM)等會直接和處理器封裝在一起,縮小體積,加快數(shù)據(jù)傳遞速度;此外還有3D堆疊封裝技術(shù)。
黃漢森強(qiáng)調(diào),社會對先進(jìn)技術(shù)的需求是無止境的,他還強(qiáng)調(diào),除了硬件,軟件算法也需要迎頭趕上。
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