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          臺積電:摩爾定律依然有效 晶體管將能做到0.1納米

          作者: 時間:2019-08-28 來源:新浪科技 收藏

          近日,據(jù)臺灣地區(qū)《經(jīng)濟日報》報道,研發(fā)負責人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示,毋庸置疑的,依然有效且狀況良好,它沒有死掉、沒有減緩、也沒有帶病,并透露晶體管將能做到。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201908/404186.htm

          1965年提出的(Moores Law)引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展超過半世紀,這個定律主要是指芯片上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。

          有沒有走到極限?走到極限未來會是什么樣的發(fā)展?這是近幾年來全球科技界業(yè)討論相當多的問題。

          近幾年,互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)先進制程中,最新幾代納米節(jié)點的功耗改善程度,已出現(xiàn)明顯的放緩??萍冀缬^察到,從45納米到14納米的節(jié)能數(shù)據(jù)可以看出,雖然每一代制程,芯片的面積變得越來越小,但能夠達到的能耗縮減幅度卻越來越小,尤其在14納米初期最為明顯。近二、三年進入更先進的10納米制程,也有類似狀況。這不禁讓人憂心,摩爾定律是否即將走到盡頭?

          對此,在本周開幕的第31屆HotChips大會專題演講中,研發(fā)負責人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示,摩爾定律依然有效且狀況良好。

          對于未來的技術(shù)路線,黃漢森認為像碳納米管(1.2nm尺度)、二維層狀材料等可以將晶體管變得更快、更迷你;同時,相變存儲器(PRAM)、旋轉(zhuǎn)力矩轉(zhuǎn)移隨機存取存儲器(STT-RAM)等會直接和處理器封裝在一起,縮小體積,加快數(shù)據(jù)傳遞速度;此外還有3D堆疊封裝技術(shù)。

          黃漢森強調(diào),社會對先進技術(shù)的需求是無止境的,他還強調(diào),除了硬件,軟件算法也需要迎頭趕上。 



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