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          美光流片第四代3D閃存:全新替換柵極架構(gòu)

          作者:快科技 時(shí)間:2019-10-08 來(lái)源:上方文Q 收藏

          宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201910/405467.htm

          第四代3D閃存堆疊了最多128層,繼續(xù)使用陣列下CMOS設(shè)計(jì)思路,不過(guò)與Intel使用多年的浮動(dòng)?xùn)艠O(floating gate)換成了替換柵極(replacement gate),以縮小尺寸、降低成本、提升性能,升級(jí)到下一代制造工藝也更容易。

          這種新架構(gòu)是美光獨(dú)自研發(fā)的,并沒(méi)有Intel的幫助,雙方已經(jīng)越走越遠(yuǎn)。

          不過(guò),完成流片只是美光新閃存的一步嘗試,美光還沒(méi)有計(jì)劃將任何一條產(chǎn)品線轉(zhuǎn)向RG架構(gòu),暫時(shí)也不會(huì)帶來(lái)真正的成本降低。

          目前,美光的首要任務(wù)是擴(kuò)大96層3D閃存的產(chǎn)能,明年將其應(yīng)用到各條產(chǎn)品線。

          美光流片第四代3D閃存:全新替換柵極架構(gòu)



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