中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體上季增長(zhǎng)明顯，得益于國(guó)產(chǎn)替代？

2019 年 11 月 12 日，中國(guó)內(nèi)地代工雙雄中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體同一天發(fā)布 2019 年第三季財(cái)報(bào)，受惠于國(guó)產(chǎn)替代，都較上一季度取得成長(zhǎng)。

中芯國(guó)際進(jìn)一步縮短先進(jìn)技術(shù)的差距，F(xiàn)inFET 技術(shù)研發(fā)不斷向前推進(jìn)，第一代 FinFET 已成功量產(chǎn)，第四季將貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收；第二代 FinFET 研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利。同時(shí)中國(guó)區(qū)客戶需求強(qiáng)勁，營(yíng)收占幅達(dá) 60.5%。公司表示，將全面受惠于市場(chǎng)向 5G 標(biāo)準(zhǔn)遷移帶來(lái)的廣泛商機(jī)，走出調(diào)整，重啟成長(zhǎng)。

華虹半導(dǎo)體作為特色工藝的領(lǐng)先者，華虹半導(dǎo)體的 MCU、超級(jí)結(jié)、IGBT、通用 MOSFET、電源管理芯片和模擬產(chǎn)品的收入埋深強(qiáng)勁，并將在 5G 創(chuàng)新中扮演不可或缺的重要角色。同時(shí)中國(guó)區(qū)客戶需求強(qiáng)勁，營(yíng)收占幅達(dá) 62.2%。無(wú)錫 12 英寸晶圓廠本季度開(kāi)始投入生產(chǎn)，在線驗(yàn)證通過(guò)了若干個(gè)客戶的產(chǎn)品，其中有兩個(gè)產(chǎn)品的良品率已達(dá)到 90%。

一、中芯國(guó)際2019 年第三季度財(cái)報(bào)分析

財(cái)報(bào)顯示，第三季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 8.16 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 3.2%；毛利為 1.7 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 12.3%；毛利率為 20.8%，而第二季度為 19.1%。

從凈利潤(rùn)來(lái)看，本季盈利 8500 萬(wàn)美元，而上季是虧損2582 萬(wàn)美元；而去年同期盈利僅僅 760 萬(wàn)美元。

從研發(fā)投入來(lái)看，本季的研發(fā)支出為 1.85 億美元，較上季的 1.82 億美元增長(zhǎng) 1.5%。

從工藝節(jié)點(diǎn)看：28 納米為 4.3%、40/45 納米為 18.5%、55/65 納米為 29.3%、90 納米為 1.3%、110/130 納米為 6.6%、150/180 納米為 35.8%、250/350 納米為 4.2%。從數(shù)據(jù)可以看出，先進(jìn)工藝營(yíng)收占比小幅下滑，本季 40/45 納米和 28 納米占比合計(jì)為 22.8%，較上季的 23%減少 0.2 個(gè)百分點(diǎn)，但較去年同期的 25.8%減少 3 個(gè)百分點(diǎn)。

從應(yīng)用領(lǐng)域看，通信領(lǐng)域仍是最大，達(dá) 46.1%，較上季減少 2.8 個(gè)百分點(diǎn)；消費(fèi)電子 34.9%，較上季增加 3.8 個(gè)百分點(diǎn)，汽車(chē) /工業(yè)4.8%，較上季減少 1.9 個(gè)百分點(diǎn)，電腦 5.6%、其他 8.6%。

從區(qū)域市場(chǎng)看，來(lái)自中國(guó)內(nèi)地和香港的營(yíng)收超過(guò) 6 成，達(dá)到了 60.5%，較上季增加 3.6 個(gè)百分點(diǎn)；來(lái)自北美洲的營(yíng)收再度下降，由上季的 27.5%下降為 24.7 年，而第一季是 32.3%；歐亞地區(qū)占比從上季的 15.6%降至 14.8%。

從產(chǎn)能方面看，中芯國(guó)際本季月產(chǎn)能超過(guò) 133 萬(wàn)片約當(dāng) 8 寸晶圓，較上季減少 12 萬(wàn)片，主要是公司出售位于意大利阿韋扎諾的 8 英寸晶圓廠，該廠的季產(chǎn)能為 13 萬(wàn)片。同時(shí)我們也發(fā)現(xiàn)上海 8 英寸季減產(chǎn)能 10000 片；而天津和深圳廠的季產(chǎn)能合計(jì)增長(zhǎng) 10000 片，北京 12 英寸廠的產(chǎn)能也在擴(kuò)充。

從晶圓付運(yùn)量來(lái)看，本季為 132 萬(wàn)片約當(dāng) 8 英寸晶圓，較上季的 128 萬(wàn)片增長(zhǎng)了 2.4%，較去年同期的 132 萬(wàn)片持平。

今年公司產(chǎn)能利用率持續(xù)爬升，本季產(chǎn)能利勝率為 97%，上季為 91.1%，第一季僅為 89.2%。

從約當(dāng) 8 英寸晶圓每片售價(jià)來(lái)看，本季為 621 美元，較上季的 616 美元增長(zhǎng) 8%。

從資本開(kāi)支看，2019 年第三季為 1.9 億美元，相比上季的 9.08 億美元大幅下降，約為上季的 20%；前三季資本支出合計(jì) 15.4 億美元，主要用于上海 300mm 晶圓廠的機(jī)器及設(shè)備以及用于 FinFET 研發(fā)線。預(yù)估全年資本支出為 21 億美元。

二、華虹半導(dǎo)體第三季度財(cái)報(bào)分析

財(cái)報(bào)顯示，第三季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 2.39 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 3.9%；毛利為 7400 萬(wàn)美元，環(huán)比增長(zhǎng) 3.6%；毛利率為 31%，而第二季度為 21%。

從凈利潤(rùn)來(lái)看，本期為 4442 萬(wàn)美元，環(huán)比下降 11%；本期凈利率18.6%。

從工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)看，0.35um 及以上工藝營(yíng)收仍是公司營(yíng)收主力，占比 49.70%，相比上季是 56.1%；0.13um 及以下工藝營(yíng)收占比 33.9%，相比上季是 32.10%；0.15um/0.18um 工藝營(yíng)收占比 15%，相比上季是 10.90%；0.25um 工藝營(yíng)收占比 1.4，相比上季是 0.9%。具體來(lái)看，來(lái)自 0.35um 及以上工藝營(yíng)收 1.19 億美元，同比減少 0.7%，是由于智能卡芯片和通用 MOSFET 產(chǎn)品減少，但超結(jié)產(chǎn)品有所增長(zhǎng)；來(lái)自 0.13um 及以下工藝營(yíng)收 8090 萬(wàn)美元，同比下滑 1.9%，智能卡和邏輯產(chǎn)品需求減少；來(lái)自 0.15um/0.18um 工藝營(yíng)收為 3590 萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng) 2%，主要由于模擬產(chǎn)品需求增加；來(lái)自 0.25um 工藝營(yíng)收為 320 萬(wàn)美元，同比減少 14.3%，主要是由于智能卡需求減少。由此可見(jiàn)，公司超結(jié)產(chǎn)品需求強(qiáng)勁。

從技術(shù)平臺(tái)來(lái)看，分立器件平臺(tái)成為本季最大營(yíng)收來(lái)源，占比 39.1%；嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)營(yíng)收保持第二，占比 36.2%；模擬與電源管理平臺(tái)占比 13.5%；邏輯與射頻平臺(tái)占比 9.8%；獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)占比 1.3%；其他 0.1%。具體來(lái)看，得益于超結(jié)和通用 MOSFET 和 IGBT 產(chǎn)品的增長(zhǎng)，分立器件平臺(tái)營(yíng)收達(dá) 9030 萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng) 10.9%；嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)營(yíng)收為 8820 萬(wàn)美元，同比減少 1.5%，分析原因是主要由于智能卡芯片的需求減少，部分被 MCU 產(chǎn)品的需求增加所抵消；模擬與電源管理平臺(tái)營(yíng)收 3650 萬(wàn)美元，同比減少 3.5%，主要由于 LED 照明的需求減少，但模擬產(chǎn)品有所增長(zhǎng)；獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器營(yíng)收 180 萬(wàn)美元，同比大幅減少 72.1%，主要由于閃存和 EEPROM 產(chǎn)品的需求減少。

從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看，消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域?yàn)?61.1%，工業(yè)及汽車(chē)領(lǐng)域?yàn)?25.2%，通訊領(lǐng)域 9.9%，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域?yàn)?3.8%。本季消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域依舊是公司第一大營(yíng)收來(lái)源，但由于智能卡需求減少，導(dǎo)致同比減少 6.8%；工業(yè)及汽車(chē)領(lǐng)域得益于 MCU、超級(jí)結(jié)、通用 MOSFET 及射頻產(chǎn)品的需求增加，營(yíng)收達(dá) 6020 萬(wàn)美元，同比大幅增長(zhǎng) 24.2%；通訊領(lǐng)域營(yíng)收 2360 萬(wàn)美元，同比減少 4%，主要由于邏輯產(chǎn)品的需求減少，部分被智能卡芯片的需求增加所抵消；計(jì)算機(jī)領(lǐng)域營(yíng)收 920 萬(wàn)美元，同比減少 20.5%，主要由于閃存和通用 MOSFET 產(chǎn)品的需求減少。

從地區(qū)營(yíng)收來(lái)看，中國(guó)的營(yíng)收占比表現(xiàn)強(qiáng)勁，達(dá)到了 62.2%；美國(guó)營(yíng)收持續(xù)下降占比 14.8%；亞洲地區(qū)(不含中國(guó)、日本)營(yíng)收占比 12.4%；歐洲地區(qū)占比占比 7.2%；日本占比占比 3.4%。具體來(lái)看，來(lái)自中國(guó)營(yíng)收 1.49 億美元，同比增長(zhǎng) 8%，分析原因是主要是由于 MCU 產(chǎn)品需求增長(zhǎng)；由于通用 MOSFET 和閃存產(chǎn)品的需求減少，來(lái)自美國(guó)營(yíng)收同比下降 12%達(dá)，僅為 3530 萬(wàn)美元，；來(lái)自日本的營(yíng)收達(dá) 810 萬(wàn)美元，同比大減 43%，主要是由于單一客戶需求減少；由于智能卡需求減少，來(lái)自歐洲的營(yíng)收同比下降 7%，為 1820 萬(wàn)美元；來(lái)自亞洲地區(qū)(不含中國(guó)、日本)的營(yíng)收 2960 萬(wàn)美元，同比下滑 3.3%，主要由于邏輯產(chǎn)品的需求減少，部分被 MCU 和通用 MOSFET 產(chǎn)品的需求增加所抵消。

從產(chǎn)能來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本期總產(chǎn)能 52.5 萬(wàn)片，和上季持平。

從產(chǎn)能利用率來(lái)看，持續(xù)爬升，由上季 93.2%升到 96.5%，而第一季是 87.3%。

從晶圓付運(yùn)量來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本季晶圓付運(yùn)量為 52.4 萬(wàn)片，較上季 48.9 萬(wàn)片增長(zhǎng) 7.2%，較去年同期 53 萬(wàn)下滑 1.1%。

從約當(dāng) 8 英寸晶圓每片售價(jià)來(lái)看，本季為 456 美元，而上季為 470 美元。

從資本支出來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本期支出達(dá) 4.6 億美元，較上季翻倍。主要是無(wú)錫基地支出增加，本季無(wú)錫基地支出達(dá) 4.3 億美元，較上季增長(zhǎng) 130%。