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          中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體上季增長(zhǎng)明顯,得益于國(guó)產(chǎn)替代?

          作者: 時(shí)間:2019-11-14 來源:與非網(wǎng) 收藏

          2019 年 11 月 12 日,中國(guó)內(nèi)地代工雙雄同一天發(fā)布 2019 年第三季財(cái)報(bào),受惠于國(guó)產(chǎn)替代,都較上一季度取得成長(zhǎng)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/201911/407060.htm

          進(jìn)一步縮短先進(jìn)技術(shù)的差距,F(xiàn)inFET 技術(shù)研發(fā)不斷向前推進(jìn),第一代 FinFET 已成功量產(chǎn),第四季將貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收;第二代 FinFET 研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn),客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利。同時(shí)中國(guó)區(qū)客戶需求強(qiáng)勁,營(yíng)收占幅達(dá) 60.5%。公司表示,將全面受惠于市場(chǎng)向 5G 標(biāo)準(zhǔn)遷移帶來的廣泛商機(jī),走出調(diào)整,重啟成長(zhǎng)。

          作為特色工藝的領(lǐng)先者,的 MCU、超級(jí)結(jié)、IGBT、通用 MOSFET、電源管理芯片和模擬產(chǎn)品的收入埋深強(qiáng)勁,并將在 5G 創(chuàng)新中扮演不可或缺的重要角色。同時(shí)中國(guó)區(qū)客戶需求強(qiáng)勁,營(yíng)收占幅達(dá) 62.2%。無錫 12 英寸晶圓廠本季度開始投入生產(chǎn),在線驗(yàn)證通過了若干個(gè)客戶的產(chǎn)品,其中有兩個(gè)產(chǎn)品的良品率已達(dá)到 90%。

          一、2019 年第三季度財(cái)報(bào)分析

          財(cái)報(bào)顯示,第三季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 8.16 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 3.2%;毛利為 1.7 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 12.3%;毛利率為 20.8%,而第二季度為 19.1%。

          從凈利潤(rùn)來看,本季盈利 8500 萬美元,而上季是虧損2582 萬美元;而去年同期盈利僅僅 760 萬美元。

          從研發(fā)投入來看,本季的研發(fā)支出為 1.85 億美元,較上季的 1.82 億美元增長(zhǎng) 1.5%。

          從工藝節(jié)點(diǎn)看:28 納米為 4.3%、40/45 納米為 18.5%、55/65 納米為 29.3%、90 納米為 1.3%、110/130 納米為 6.6%、150/180 納米為 35.8%、250/350 納米為 4.2%。從數(shù)據(jù)可以看出,先進(jìn)工藝營(yíng)收占比小幅下滑,本季 40/45 納米和 28 納米占比合計(jì)為 22.8%,較上季的 23%減少 0.2 個(gè)百分點(diǎn),但較去年同期的 25.8%減少 3 個(gè)百分點(diǎn)。

          從應(yīng)用領(lǐng)域看,通信領(lǐng)域仍是最大,達(dá) 46.1%,較上季減少 2.8 個(gè)百分點(diǎn);消費(fèi)電子 34.9%,較上季增加 3.8 個(gè)百分點(diǎn),汽車 /工業(yè)4.8%,較上季減少 1.9 個(gè)百分點(diǎn),電腦 5.6%、其他 8.6%。

          從區(qū)域市場(chǎng)看,來自中國(guó)內(nèi)地和香港的營(yíng)收超過 6 成,達(dá)到了 60.5%,較上季增加 3.6 個(gè)百分點(diǎn);來自北美洲的營(yíng)收再度下降,由上季的 27.5%下降為 24.7 年,而第一季是 32.3%;歐亞地區(qū)占比從上季的 15.6%降至 14.8%。

          從產(chǎn)能方面看,中芯國(guó)際本季月產(chǎn)能超過 133 萬片約當(dāng) 8 寸晶圓,較上季減少 12 萬片,主要是公司出售位于意大利阿韋扎諾的 8 英寸晶圓廠,該廠的季產(chǎn)能為 13 萬片。同時(shí)我們也發(fā)現(xiàn)上海 8 英寸季減產(chǎn)能 10000 片;而天津和深圳廠的季產(chǎn)能合計(jì)增長(zhǎng) 10000 片,北京 12 英寸廠的產(chǎn)能也在擴(kuò)充。

          從晶圓付運(yùn)量來看,本季為 132 萬片約當(dāng) 8 英寸晶圓,較上季的 128 萬片增長(zhǎng)了 2.4%,較去年同期的 132 萬片持平。

          今年公司產(chǎn)能利用率持續(xù)爬升,本季產(chǎn)能利勝率為 97%,上季為 91.1%,第一季僅為 89.2%。

          從約當(dāng) 8 英寸晶圓每片售價(jià)來看,本季為 621 美元,較上季的 616 美元增長(zhǎng) 8%。

          從資本開支看,2019 年第三季為 1.9 億美元,相比上季的 9.08 億美元大幅下降,約為上季的 20%;前三季資本支出合計(jì) 15.4 億美元,主要用于上海 300mm 晶圓廠的機(jī)器及設(shè)備以及用于 FinFET 研發(fā)線。預(yù)估全年資本支出為 21 億美元。

          二、華虹半導(dǎo)體第三季度財(cái)報(bào)分析

          財(cái)報(bào)顯示,第三季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 2.39 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 3.9%;毛利為 7400 萬美元,環(huán)比增長(zhǎng) 3.6%;毛利率為 31%,而第二季度為 21%。

          從凈利潤(rùn)來看,本期為 4442 萬美元,環(huán)比下降 11%;本期凈利率18.6%。

          從工藝節(jié)點(diǎn)來看,0.35um 及以上工藝營(yíng)收仍是公司營(yíng)收主力,占比 49.70%,相比上季是 56.1%;0.13um 及以下工藝營(yíng)收占比 33.9%,相比上季是 32.10%;0.15um/0.18um 工藝營(yíng)收占比 15%,相比上季是 10.90%;0.25um 工藝營(yíng)收占比 1.4,相比上季是 0.9%。具體來看,來自 0.35um 及以上工藝營(yíng)收 1.19 億美元,同比減少 0.7%,是由于智能卡芯片和通用 MOSFET 產(chǎn)品減少,但超結(jié)產(chǎn)品有所增長(zhǎng);來自 0.13um 及以下工藝營(yíng)收 8090 萬美元,同比下滑 1.9%,智能卡和邏輯產(chǎn)品需求減少;來自 0.15um/0.18um 工藝營(yíng)收為 3590 萬美元,同比增長(zhǎng) 2%,主要由于模擬產(chǎn)品需求增加;來自 0.25um 工藝營(yíng)收為 320 萬美元,同比減少 14.3%,主要是由于智能卡需求減少。由此可見,公司超結(jié)產(chǎn)品需求強(qiáng)勁。

          從技術(shù)平臺(tái)來看,分立器件平臺(tái)成為本季最大營(yíng)收來源,占比 39.1%;嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)營(yíng)收保持第二,占比 36.2%;模擬與電源管理平臺(tái)占比 13.5%;邏輯與射頻平臺(tái)占比 9.8%;獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)占比 1.3%;其他 0.1%。具體來看,得益于超結(jié)和通用 MOSFET 和 IGBT 產(chǎn)品的增長(zhǎng),分立器件平臺(tái)營(yíng)收達(dá) 9030 萬美元,同比增長(zhǎng) 10.9%;嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)營(yíng)收為 8820 萬美元,同比減少 1.5%,分析原因是主要由于智能卡芯片的需求減少,部分被 MCU 產(chǎn)品的需求增加所抵消;模擬與電源管理平臺(tái)營(yíng)收 3650 萬美元,同比減少 3.5%,主要由于 LED 照明的需求減少,但模擬產(chǎn)品有所增長(zhǎng);獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器營(yíng)收 180 萬美元,同比大幅減少 72.1%,主要由于閃存和 EEPROM 產(chǎn)品的需求減少。

          從應(yīng)用領(lǐng)域來看,消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域?yàn)?61.1%,工業(yè)及汽車領(lǐng)域?yàn)?25.2%,通訊領(lǐng)域 9.9%,計(jì)算機(jī)領(lǐng)域?yàn)?3.8%。本季消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域依舊是公司第一大營(yíng)收來源,但由于智能卡需求減少,導(dǎo)致同比減少 6.8%;工業(yè)及汽車領(lǐng)域得益于 MCU、超級(jí)結(jié)、通用 MOSFET 及射頻產(chǎn)品的需求增加,營(yíng)收達(dá) 6020 萬美元,同比大幅增長(zhǎng) 24.2%;通訊領(lǐng)域營(yíng)收 2360 萬美元,同比減少 4%,主要由于邏輯產(chǎn)品的需求減少,部分被智能卡芯片的需求增加所抵消;計(jì)算機(jī)領(lǐng)域營(yíng)收 920 萬美元,同比減少 20.5%,主要由于閃存和通用 MOSFET 產(chǎn)品的需求減少。

          從地區(qū)營(yíng)收來看,中國(guó)的營(yíng)收占比表現(xiàn)強(qiáng)勁,達(dá)到了 62.2%;美國(guó)營(yíng)收持續(xù)下降占比 14.8%;亞洲地區(qū)(不含中國(guó)、日本)營(yíng)收占比 12.4%;歐洲地區(qū)占比占比 7.2%;日本占比占比 3.4%。具體來看,來自中國(guó)營(yíng)收 1.49 億美元,同比增長(zhǎng) 8%,分析原因是主要是由于 MCU 產(chǎn)品需求增長(zhǎng);由于通用 MOSFET 和閃存產(chǎn)品的需求減少,來自美國(guó)營(yíng)收同比下降 12%達(dá),僅為 3530 萬美元,;來自日本的營(yíng)收達(dá) 810 萬美元,同比大減 43%,主要是由于單一客戶需求減少;由于智能卡需求減少,來自歐洲的營(yíng)收同比下降 7%,為 1820 萬美元;來自亞洲地區(qū)(不含中國(guó)、日本)的營(yíng)收 2960 萬美元,同比下滑 3.3%,主要由于邏輯產(chǎn)品的需求減少,部分被 MCU 和通用 MOSFET 產(chǎn)品的需求增加所抵消。

          從產(chǎn)能來看,華虹半導(dǎo)體本期總產(chǎn)能 52.5 萬片,和上季持平。

          從產(chǎn)能利用率來看,持續(xù)爬升,由上季 93.2%升到 96.5%,而第一季是 87.3%。

          從晶圓付運(yùn)量來看,華虹半導(dǎo)體本季晶圓付運(yùn)量為 52.4 萬片,較上季 48.9 萬片增長(zhǎng) 7.2%,較去年同期 53 萬下滑 1.1%。

          從約當(dāng) 8 英寸晶圓每片售價(jià)來看,本季為 456 美元,而上季為 470 美元。

          從資本支出來看,華虹半導(dǎo)體本期支出達(dá) 4.6 億美元,較上季翻倍。主要是無錫基地支出增加,本季無錫基地支出達(dá) 4.3 億美元,較上季增長(zhǎng) 130%。





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