1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內存良率已達90%

今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內存容量8Mb，可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網、AI人工智能領域。

MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內存，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內存、閃存的有點。

三星量產的eMRAM內存是基于磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等方面也遠勝傳統(tǒng)RAM。由于不需要在寫入數(shù)據(jù)前進行擦除循環(huán)，eMRAM的寫入速度可以達到eFlash的大約一千倍，而且電壓、功耗低得多，待機狀態(tài)下完全不會耗電，因此能效極高。

在8Mb eMRAM內存之后，三星最近已經開始生產1Gb容量的eMRAM內存，依然使用了28nm FD-SOI工藝，最新良率已經達到了90%，使得eMRAM內存實用性大大提升。

盡管1Gb的容量、性能依然遠不如現(xiàn)在的內存及閃存，但是eMRAM內存超強的壽命、可靠性是其他產品不具備的，這款eMRAM內存在105°C高溫下依然能夠擦寫1億次，85°C高溫下壽命高達100億次。

如果不是那么苛刻的溫度環(huán)境，而是日常使用環(huán)境，那么eMRAM內存的擦寫次數(shù)高達1萬億次，已經沒可能寫死了。