美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。

與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝，大概是12-14nm節(jié)點之間，ECC DIMM規(guī)格，頻率DDR5-4800，比現(xiàn)在的DDR4-3200內(nèi)存性能提升了87%左右，不過距離DDR5-6400還有點距離，后期還有挖掘的空間。

對DDR5內(nèi)存來說，平臺的支持才是最大的問題，目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺，AMD預(yù)計會在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費級的估計還要再等等。