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          安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用

          —— 新的SiC MOSFET器件實現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴苛條件下工作
          作者: 時間:2020-03-11 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          近日,推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化硅() MOSFET系列,擴展了其寬禁帶()器件系列。 這些新器件適用于各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電不間斷電源(UPS)、服務器電源EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本無法實現(xiàn)的。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202003/410831.htm

          安森美半導體的新的1200伏(V)和900 V N溝道 MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性??焖俦菊鞫O管具有低反向恢復電荷,顯著降低損耗,提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

          小芯片尺寸進一步增強高頻工作,達至更小的器件電容和更低的門極電荷-Qg(低至220 nC),從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基于Si的MOSFET提高能效,降低電磁干擾(EMI),并可使用更少(或更?。┑臒o源器件。極強固的 MOSFET比Si器件提供更高的浪涌額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能,從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命,這對高要求的現(xiàn)代電源應用至關重要。較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態(tài)特性,減少器件導通時產(chǎn)生的靜態(tài)損耗。

          1200 V器件的額定電流高達103 A(最大ID),而900 V器件的額定電流高達118 A。對于需要更高電流的應用,安森美半導體的MOSFET可易于并聯(lián)運行,因其正溫系數(shù)/不受溫度影響。

          安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁/總經(jīng)理Gary Straker針對新的SiC MOSFET器件說:“如果設計工程師要達到現(xiàn)代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標,他們需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半導體的 SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的,包括更低的損耗,更高的工作溫度,更快的開關速度,改善的EMI和更高的可靠性。安森美半導體為進一步支援工程界,還提供廣泛的資源和工具,簡化和加速設計流程?!?/p>

          安森美半導體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物,針對汽車應用的器件都符合AEC-Q100車規(guī)和生產(chǎn)件批準程序(PPAP)。所有器件都采用行業(yè)標準的TO-247或D2PAK封裝。

          更多資源及文檔:

          登陸頁:寬禁帶

          視頻:寬禁帶()用于太陽能和可再生能源應用,寬禁帶用于混動/電動(HEV/EV)充電應用



          關鍵詞: SiC WBG

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