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          引入EUV技術(shù)的6nm,才是真正的6nm

          作者: 時(shí)間:2020-03-23 來(lái)源:紫光展銳 收藏

          只有引入技術(shù)的才是真正的,而這項(xiàng)技術(shù)也將伴隨未來(lái)可能的5nm、4nm、3nm、2nm、1nm一路前行。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202003/411213.htm

          自1965年英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾提出摩爾定律以來(lái),半導(dǎo)體領(lǐng)域就一直在遵循著“當(dāng)價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18個(gè)~24個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍”的規(guī)律前行。技術(shù)人員一直在研究開(kāi)發(fā)新的IC制造技術(shù),以縮小線寬、增大芯片的容量。

          的出現(xiàn),就是一個(gè)重大突破。它實(shí)現(xiàn)了高速,低功耗和高集成的芯片生產(chǎn)工藝,滿足了5G高性能、超帶寬、低時(shí)延和海量連接的需求。

          這么厲害的,原理是什么?

          光刻技術(shù)基本上是一個(gè)投影系統(tǒng),將光線投射并穿透印有電路的光罩,利用光學(xué)原理將圖形打在已涂布感光劑的硅晶片上,進(jìn)行曝光,當(dāng)未曝光的部分被蝕刻移除后,圖樣就會(huì)顯露出來(lái)。

          在光刻技術(shù)中,提升分辨率的途徑主要有三個(gè):一是增加光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑;二是減小曝光光源波長(zhǎng);三是優(yōu)化系統(tǒng)。EUV相較于DUV,把193nm波長(zhǎng)的短波紫外線替換成了13.5nm的“極紫外線”,在光刻精密圖案方面自然更具優(yōu)勢(shì),能夠減少工藝步驟,提升良率。

          EUV技術(shù)的究竟難在哪兒?

          光源產(chǎn)生難:

          193nm紫外線的光子能量為6.4eV(電子伏特,能量單位),EUV的光子能量高達(dá)為91~93eV!這種能量的光子用一般的方法是射不出來(lái)的,激光器或燈泡都不行,它的生成方法光是聽(tīng)起來(lái)就非常變態(tài),這需要將錫熔化成液態(tài),然后一滴一滴地滴落,在滴落過(guò)程中用激光轟擊錫珠,讓其化為等離子態(tài),才能釋放“極紫外光”。這樣的光源用久了就會(huì)在里面濺很多錫微粒,必須要定時(shí)清潔才行。

          發(fā)光過(guò)程難:

          EUV不僅能量高,對(duì)物質(zhì)的影響也極其強(qiáng)大,它們可以被幾乎任何原子吸收,所以傳播路徑必須是完全的真空。要想讓EUV聚焦到合適的形狀,只能用這種用6面凹面鏡子組成的系統(tǒng)——EUV/X射線變焦系統(tǒng)(EUV /X-Ray focusing systems)。

          有效功率轉(zhuǎn)化率低:

          可是就算是鏡子,每一面鏡子都會(huì)吸收30%的EUV,整個(gè)系統(tǒng)里有4個(gè)鏡子用于發(fā)光系統(tǒng),6個(gè)鏡子用于聚焦系統(tǒng)。EUV光罩本身也是一個(gè)額外的鏡子,形成了11次反射。這個(gè)過(guò)程中,只有大約2%的EUV來(lái)到了晶圓上。因?yàn)樾实?,所以需要的功率也大輻上漲。ArF光源平均的功率為45W,而EUV的平均光源功率為500w!

          成本太高:

          最先進(jìn)的EUV售價(jià)高達(dá)1億歐元一臺(tái),是DUV價(jià)格2倍多,采購(gòu)以后還需要多臺(tái)747飛機(jī)才能運(yùn)輸整套系統(tǒng)。

          此外,EUV光刻機(jī)必須在超潔凈環(huán)境中才能運(yùn)行,一小點(diǎn)灰塵落到光罩上就會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重的良品率問(wèn)題,并對(duì)材料技術(shù)、流程控制、缺陷檢驗(yàn)等環(huán)節(jié)都提出了更高的要求。最關(guān)鍵的是,EUV光刻機(jī)還極度耗電,它需要消耗電力把整個(gè)環(huán)境都抽成真空(避免灰塵),通過(guò)更高的功率也彌補(bǔ)自身能源轉(zhuǎn)換效率低下的問(wèn)題,設(shè)備運(yùn)行后每小時(shí)就需要耗費(fèi)至少150度的電力。

          除此之外,次級(jí)電子對(duì)光刻膠的曝光、光化學(xué)反應(yīng)釋放氣體、EUV對(duì)光罩的侵蝕等種種難題都要一一解決。這就導(dǎo)致很長(zhǎng)時(shí)間里EUV的產(chǎn)量極低,在之前公開(kāi)的資料里,EUV的產(chǎn)量只有日均1500片。

          結(jié)合以上的知識(shí)點(diǎn),采用了 EUV工藝技術(shù)的虎賁T7520,真是閃耀著高技術(shù)高質(zhì)量的光輝。 



          關(guān)鍵詞: EUV 6nm 光刻機(jī)

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