長江存儲突破128層QLC閃存：業(yè)界首次、1.33Tb容量創(chuàng)紀錄

2020年4月13日,長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND

據介紹,長江存儲X2-6070是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060),單顆容量512Gb(64GB),以滿足不同應用場景的需求。

長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊(Grace)表示:“作為閃存行業(yè)的新人,長江存儲用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數千長存人汗水的凝聚,也是全球產業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking? 2.0時代的到來,長江存儲有決心,有實力,有能力開創(chuàng)一個嶄新的商業(yè)生態(tài),讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢,達到互利共贏?！?/p>

Xtacking 2.0加持,性能再度提升

作為存儲行業(yè)的新入局者,早在2018年,長江存儲就推出了自研的Xtacking技術,不僅提高了I/O接口速度,而且還保證了3D NAND多層堆疊可達到更高容量以及減少上市周期。

據介紹,Xtacking是可以在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后,Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路,而且只增加了有限的成本。

在I/O速度方面,目前NAND閃存主要有兩種I/O接口標準,分別是Intel/索尼/SK海力士/群聯/西數/美光主推的ONFi,目前ONFi 4.1標準的I/O接口速度最大為1.2Gbps。第二種標準是三星/東芝主推的ToggleDDR,I/O速度最高1.4Gbps。

不過,大多數NAND廠商只能提供1.0 Gbps或更低的I/O速度。而長江存儲的Xtacking技術可以將I/O接口的速度大幅提升到3Gbps,實現與DRAM DDR4的I/O速度相當。

另外,Xtacking技術還可使得產品開發(fā)時間縮短三個月,生產周期可縮短20%,從而大幅縮短3D NAND產品的從開發(fā)到上市周期。

得益于Xtacking架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化,長江存儲64層TLC產品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現,去年上市之后廣受好評。

而在長江存儲此次發(fā)布的128層系列產品中,已全面升級到Xtacking 2.0,進一步提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能,進一步釋放3D NAND閃存潛能。

首先,在I/O讀寫性能方面,此次發(fā)布的X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的數據傳輸速率,為當前業(yè)界最高。

其次,在單die容量方面,3D QLC單顆容量高達1.33Tb,是上一代64層的5.33倍。

另外,由于外圍電路和存儲單元分別采用獨立的制造工藝,CMOS電路可選用更先進的制程,同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking 2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。

長江存儲表示,通過對技術創(chuàng)新的持續(xù)投入,已成功研發(fā)128層兩款產品,并確立了在存儲行業(yè)的技術創(chuàng)新領導力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量,長江存儲通過X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking架構的前瞻性和成熟度,為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實可行的路徑。未來,長江存儲將與合作伙伴攜手,構建定制化NAND商業(yè)生態(tài),共同推動產業(yè)繁榮發(fā)展。

龔翊(Grace)強調:“我們相信,長江存儲128層系列產品將會為合作伙伴帶來更大的價值,具有廣闊的市場應用前景。其中,128層QLC 版本將率先應用于消費級SSD,并逐步進入企業(yè)級服務器、數據中心等領域,以滿足未來5G、AI時代多元化數據存儲需求?！?/p>

最快今年年底量產

今年1月16日,長江存儲召開市場合作伙伴年會,在會上,長江存儲就曾宣布將跳過96層堆疊閃存技術,直接投入128層閃存的研發(fā)和量產工作。

隨后在上周,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時最新表示,受新冠疫情影響,128層閃存的研發(fā)進度在短期確實會有所波及,但長江存儲已實現全員復工,各項進度正在抓緊追趕,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。

楊士寧還特別強調,128層閃存技術會按計劃在2020年推出。也就是說此次發(fā)布的的128層QLC 3D NAND有望年底量產。

龔翊今天在接受媒體采訪時也表示:“長江存儲128層產品的量產時間大約是在今年年底到明年上半年,公司會根據量產進程的展開逐步提升良率。”

雖然在最初32層3D NAND量產時,長江存儲的產品與國際大廠相比落后了4-5年,但是隨著去年64層3D NAND的量產,差距已經進一步縮小到了2年左右,并且得益于自研的Xtacking技術,使得長江存儲的64層產品的密度進一步提升,接近于國際廠商96層產品的水平。

而現在,由于直接跳過了96層,這也使得長江存儲的128層產品已經與國際廠商開始處于同一水平線上。并且,這次全球首發(fā)的128層QLC 3D NAND產品,還領先于業(yè)界主要對手。

”長江存儲聯席首席技術官湯強也表示:“我們在短期內就能把128層的TLC和QLC驗證成功,證明我們和合作伙伴已經具備國際領先的研發(fā)實力?！?/p>

資料顯示,三星于2019年6月推出128層TLC 3D NAND,存儲容量256Gb,8月實現量產,11月將存儲容量提高到單顆芯片512Gb水平。SK海力士2019年6月發(fā)布128層TLC 3D NAND,預計2020年進入投產階段。美光2019年10月宣布128層3D NAND流片出樣。鎧俠今年1月31日發(fā)布112層TLC 3D NAND,量產時間預計將在2020 年下半年。

可以看出,國際存儲廠商發(fā)布與量產128層3D NAND量產的時間基本落在2019-2020年,但是在QLC、I/O速度等方面,長江存儲確實走在了國際廠商的前面。

QLC將成贏利點

QLC是繼TLC(3 bit/cell)后3D NAND新的技術形態(tài),具有大容量、高密度等特點,適合于讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧,共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元 ,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數據,共提供1.33Tb的存儲容量。

如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”,一顆長江存儲128層QLC芯片相當于提供3,665億個房間,每個房間住4“人”,共可容納約14,660億“人”居住,是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

雖然QLC在寫入性能和擦寫次數方面與TLC相比確實有一定差距,但是可以通過技術手段在一定程度上進行彌補和優(yōu)化,同時,QLC所帶來的存儲密度和成本優(yōu)勢更加的突出的。

據長江存儲介紹,其對QLC的性能上進行了改善,特別是在讀取能力方面,讀取速度更快,延遲時間更短。目前的在線應用如在線會議、在線視頻、在線教育等,更多表現為對存儲器讀取能力的需求上,一次性寫入之后更多是從數據庫進行數據的讀取,而非頻繁寫入。因此,在這方面QLC存儲器是有其應用優(yōu)勢的。

此外,在成本方面,QLC產品會與同世代TLC也會進一步拉開距離,價格優(yōu)勢將會表現出來。

閃存和SSD領域知名市場研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認為:“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)(Byte)的成本,更適合作為大容量存儲介質。隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上,QLC SSD未來市場增量將非常可觀?！?/p>

Gregory同時表示:“與傳統(tǒng)HDD相比,QLC SSD更具性能優(yōu)勢。在企業(yè)級領域, QLC SSD將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲,使其更適用于AI計算,機器學習,實時分析和大數據中的讀取密集型應用。在消費類領域,QLC將率先在大容量U盤,閃存卡和SSD中普及。”

龔翊也指出:“我們認為128層相對原來的64層和32層的產品,更具成本競爭力,我們也很期待產品發(fā)布以后,會有更好的市場表現。而且我們有信心在128層這代產品上可以實現盈利?！?/p>