英特爾最新發(fā)展藍圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND
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處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進度。根據(jù)外媒報導(dǎo)，英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應(yīng)商都已經(jīng)開始向1xx層堆疊的發(fā)展當下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202005/412968.htm英特爾新發(fā)展的144層堆疊的QLC NAND快閃存儲器代號為“Keystone Harbor”。此外，英特爾也正在開發(fā)5bit的PLC芯片，密度再提高25%。這將使得英特爾預(yù)計再推出第2代傲騰（Optane）3D X-point快閃存儲器，新產(chǎn)品的代號則為“Alder Stream”，支援PCI-Express gen 4.0介面。
據(jù)了解，首先使用144層堆疊NAND的產(chǎn)品會是英特爾自家的QLC SSD，并預(yù)計在2020年稍晚推出產(chǎn)品。另外，除了研究更高層數(shù)的堆疊技術(shù)外，英特爾還在積極開發(fā)PLC，也就是單個單元儲存5bit數(shù)據(jù)的新NAND快閃存儲器。
不過，英特爾并沒有公布具體會在什么時候推出PLC SSD。而在將QLC SSD升級到144層堆疊之后，預(yù)計在2021年，英特爾會把全系列的SSD都升級到采用144層堆疊3D NAND快閃存儲器。
英特爾的快閃存儲器部門是其與美光科技（Micron Technology）分拆后而成為該公司的一部分。然而在技術(shù)上，英特爾未來將藉由新的144層堆疊3D NAND快閃存儲器而超越美光科技。預(yù)料，該3D NAND快閃存儲器大約將在美光開始推出其128層3D NAND快閃存儲器的同時也開始交付給客戶。
而目前在全球市場上，SK海力士將在2020年稍晚開始銷售其128層堆疊3D NAND快閃存儲器。鎧俠(KIOXIA)則已經(jīng)在2020年年初推出112層堆疊3D NAND快閃存儲器。長江存儲也已經(jīng)宣布推出兩款128層堆疊的3D NAND快閃存儲器，分別為容量為1.33Tb的128層QLC 3D NAND Flash快閃存儲器，以及容量為512Gb的128層TLC 3D NAND Flash快閃存儲器。
另外在新一代Optane的發(fā)展上，英特爾則將會使用4層的第2代3D XPoint快閃存儲器，并且換上全新的控制器和PCIe 4.0。新一代Optane SSD的最大容量可能將達到3TB，這會是運用在企業(yè)級產(chǎn)品上的容量，預(yù)計在英特爾未來推出下一代代號“Sapphire Rapids”的Xeon系列服務(wù)器處理器和Eagle Stream平臺時，新一代Optane SSD將會是其中的一部分。英特爾表示，目前正在位于新墨西哥州的工廠進行3D XPoint技術(shù)的研發(fā)，并擁有多家能夠生產(chǎn)3D XPoint的工廠。
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