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          獨(dú)立存儲(chǔ)器

          —— I2C/SPI/并行接口產(chǎn)品
          作者: 時(shí)間:2020-05-12 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          簡(jiǎn)介

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202005/412986.htm

          是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體提供了采用串行(I2C和)和并行外設(shè)的產(chǎn)品,目前4Kb至4Mb的產(chǎn)品也已量產(chǎn)。 

          富士通正在為客戶評(píng)估提供工程研發(fā)樣品或生產(chǎn)樣品。請(qǐng)確認(rèn)我們的 產(chǎn)品陣列 ,如果您想獲得樣品 ,請(qǐng)?zhí)顚憽?a style="text-decoration: none;">FRAM樣品/文檔申請(qǐng)咨詢表”申請(qǐng)樣品和/或文件。

          FRAM的優(yōu)勢(shì)

          與SRAM相比

          獨(dú)立的FRAM存儲(chǔ)器,因?yàn)榫哂蠵seudo-SRAM I/F,因此與SRAM之間具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM,您可以獲得的優(yōu)勢(shì)如下:

          1. 總的成要縮減

          采用SRAM,你需要檢測(cè)其電池狀態(tài)。但是FRAM卻讓你免去了進(jìn)行電池檢測(cè)的困擾。而且,F(xiàn)RAM不需要電池槽、防倒流二極管和更多的空間,而這些都是SRAM所需的。FRAM的單芯片解決方案可以節(jié)省空間和成本。

          ●   維護(hù)自由;無需更換電池

          ●   縮小的器件尺寸;可以省去大量的器件

          2.環(huán)保型產(chǎn)品(減少了環(huán)境負(fù)擔(dān))

          用過的電池成為工業(yè)廢料。在生產(chǎn)過程中,與SRAM相比,F(xiàn)RAM能夠降低一半的CO2排放量。FRAM對(duì)于環(huán)保有益。

          ●   無廢棄電池

          ●   降低工業(yè)負(fù)荷,實(shí)現(xiàn)環(huán)保

          與E2PROM/閃存相比

          與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器,如E2PROM和閃存相比,F(xiàn)RAM具有更快的寫入、更高耐久力和更低功耗等優(yōu)勢(shì)。用FRAM取代E2PROM和閃存還具有更多優(yōu)勢(shì),具體如下:

          1. 性能提升

          FRAM的高速寫入能夠在電源中斷的瞬間備份數(shù)據(jù)。不僅如此,與E2PROM和閃存相比,F(xiàn)RAM能夠更頻繁的記錄數(shù)據(jù)。當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí),E2PROM和閃存需要高壓,因此,消費(fèi)的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM,那么電池供電器件中的電池的壽命將更長(zhǎng)。 

          總之,F(xiàn)RAM具有下列優(yōu)勢(shì):

          ●   能夠在電源中斷的瞬間備份數(shù)據(jù)

          ●   能夠進(jìn)行頻繁的數(shù)據(jù)記錄

          ●   能夠保證更長(zhǎng)的電池壽命

          2. 總的成本縮減

          在為每個(gè)產(chǎn)品寫入出廠參數(shù)時(shí),與E2PROM 和閃存相比,F(xiàn)RAM可以縮減寫入時(shí)間。而且,F(xiàn)RAM可以為您提供一種芯片解決方案,避免采用幾個(gè)存儲(chǔ)器來保存數(shù)據(jù),而E2PROM卻不能實(shí)現(xiàn)。因此,利用FRAM可以降低總成本!

          ●   當(dāng)寫入出廠參數(shù)時(shí),縮短了寫入時(shí)間

          ●   減掉了產(chǎn)品上很多的部件

          產(chǎn)品列表

          串行閃存

          I2C接口

          與世界標(biāo)準(zhǔn),I2C BUS完全兼容。利用兩個(gè)端口,幾個(gè)時(shí)鐘(SCL)和串行數(shù)據(jù)(SDA)控制每個(gè)函數(shù)。

          產(chǎn)口型號(hào)

          存儲(chǔ)器

          密度

          電源電壓

          工作頻率 
          (最大值)

          工作溫度

          讀取/寫入周期

          封裝
          MB85RC1MT 
          ENG(1.40 MB ) 
          CHN(2.11 MB )
          1Mbit
          1.8 to 3.6V
          3.4MHz
          -40 to +85℃

          1013

           (10 trillion) times

          SOP-8

          MB85RC512T

          ENG(1.17 MB )

          512Kbit
          MB85RC256V 
          ENG(1.92 MB ) 
          CHN(2.12 MB )
          256Kbit
          2.7 to 5.5V
          1MHz

          1012

           (1 trillion) times

          MB85RC128A 
          ENG(1.25 MB ) 
          CHN(2.05 MB )
          128Kbit
          2.7 to 3.6V
          MB85RC64TA 
          ENG(1.67 MB )
          64Kbit
          1.8 to 3.6V

          1013

           (10 trillion) times

          MB85RC64A 
          ENG(1.26 MB ) 
          CHN(2.05 MB )
          2.7 to 3.6V

          1012

          (1 trillion) times

          MB85RC64V 
          ENG(1.30 MB ) 
          CHN(2.10 MB )
          3.0 to 5.5V
          MB85RC16 
          ENG(1.30 MB ) 
          CHN(2.10 MB )
          16Kbit
          2.7 to 3.6V
          MB85RC16V 
          ENG(1.41 MB ) 
          CHN(2.00 MB )
          3.0 to 5.5V
          MB85RC04V 
          ENG(1.28 MB ) 
          CHN(1.96 MB )
          4Kbit


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