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          兆易創(chuàng)新宣布與Rambus簽訂專利授權(quán)協(xié)議

          作者: 時間:2020-05-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布,與領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP供應(yīng)商Rambus Inc. 就 (電阻式隨機(jī)存取存儲器) 技術(shù)簽署授權(quán)。同時,兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)—合肥??莆ⅲ≧eliance Memory)簽署了授權(quán) 。根據(jù)內(nèi)容,兆易創(chuàng)新從Rambus和??莆@得180多項(xiàng)技術(shù)相關(guān)和應(yīng)用,這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器 領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局,從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲解決方案。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202005/413059.htm

          RRAM作為一種非易失性隨機(jī)存儲方式,能夠在改變電壓的前提下,通過改變電介質(zhì)的電阻進(jìn)行存儲。 RRAM擁有獨(dú)特物理與器件特性,可在工藝后端線(BEOL) 以列陣結(jié)構(gòu)制造,其列陣結(jié)構(gòu)的低電壓特性能夠有效降低MCU產(chǎn)品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗,非常適合物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用; 此外,根據(jù)學(xué)術(shù)界與行業(yè)發(fā)表的相關(guān)文獻(xiàn),在平衡性能、可靠性及成本的方面,RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內(nèi)存(SCM)。                             

          兆易創(chuàng)新是一家扎根中國,服務(wù)全球的國際化公司,兆易創(chuàng)新一直密切關(guān)注存儲領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新,積極進(jìn)行戰(zhàn)略布局,開拓具有差異化的細(xì)分市場。早在2018年5月,兆易創(chuàng)新就攜手Rambus以及其他全球知名半導(dǎo)體投資機(jī)構(gòu)創(chuàng)辦了以RRAM技術(shù)為核心業(yè)務(wù)的合資公司合肥睿科微。

          兆易創(chuàng)新董事長朱一明先生表示:“兆易創(chuàng)新一直以創(chuàng)新為己任,多年來致力新技術(shù)革新,強(qiáng)化產(chǎn)品競爭力,重視核心, 此次獲得Rambus和??莆⑨槍RAM技術(shù)的授權(quán),有助于我們?yōu)榭蛻籼峁└邉?chuàng)新特色的存儲解決方案?!?/p>

          Rambus技術(shù)合作和企業(yè)發(fā)展高級副總裁Kit Rodgers表示:“兆易創(chuàng)新在全球閃存領(lǐng)域已取得顯著的成績,我們很高興能夠?qū)RAM專利方案授權(quán)給兆易創(chuàng)新,此次授權(quán)能夠幫助其在存儲器領(lǐng)域開發(fā)創(chuàng)新型的解決方案,并加速其商用的進(jìn)程。”



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