為與三星決戰(zhàn)做準(zhǔn)備？臺(tái)積電中生代接班計(jì)劃能否擔(dān)起3nm發(fā)展重任

近日,臺(tái)積電啟動(dòng)中生代接班布局,業(yè)界視為下個(gè)梯隊(duì)接班人選的二名資深副總經(jīng)理秦永沛和王建光,本月起調(diào)整職掌內(nèi)容。

根據(jù)報(bào)道,原負(fù)責(zé)所有晶圓廠運(yùn)營(yíng)的王建光,轉(zhuǎn)任企業(yè)規(guī)劃組織,主要負(fù)責(zé)產(chǎn)品訂價(jià)及產(chǎn)品開發(fā);王建光原職掌項(xiàng)目改由秦永沛負(fù)責(zé),等于接手所有晶圓廠制造及運(yùn)營(yíng)。

對(duì)于此次人事調(diào)動(dòng),臺(tái)積電表示,兩人職務(wù)調(diào)動(dòng),應(yīng)是臺(tái)積電為培育未來共同運(yùn)營(yíng)長(zhǎng)預(yù)做的規(guī)劃,要讓兩人都有生產(chǎn)及業(yè)務(wù)的磨練。然而,外界對(duì)此似乎有著更多的解讀。

做好與三星決戰(zhàn)3nm的準(zhǔn)備?

對(duì)于臺(tái)積電突然啟動(dòng)中生代接班布局,知名半導(dǎo)體分析師、聚芯資本管理合伙人陳慧明指出,臺(tái)積電接班向來從長(zhǎng)計(jì)議,在中國(guó)大陸人才競(jìng)爭(zhēng)加劇、與三星3納米之爭(zhēng)白熱化的背景下,此時(shí)亮出接班計(jì)劃有三個(gè)正向意義:

一是中生代名單中有12英寸廠主管,臺(tái)積電12英寸廠績(jī)效向來不錯(cuò),提拔內(nèi)部人士有助提高士氣;

二是大環(huán)境正值與三星3納米競(jìng)爭(zhēng)白熱化,今明年進(jìn)入短兵相接,中生代精英提早進(jìn)入戰(zhàn)斗位置,“立功可能就看三星一役”;

三是中國(guó)大陸半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)加劇,尤其積極挖角臺(tái)灣人才,接班計(jì)劃也有宣示臺(tái)積電不怕戰(zhàn),維持穩(wěn)健經(jīng)營(yíng)的企圖心。

而陳慧明指出的這三個(gè)意義,對(duì)臺(tái)積電意義最為重大的便是與三星的3nm之戰(zhàn)。在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm工藝已成臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。

4月底,臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情,其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2。性能提升上,臺(tái)積電5nm較7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm較5nm性能提升7%,能耗提升15%。工藝上,臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,所以3nm首發(fā)依然會(huì)是FinFET晶體管技術(shù)。

此前臺(tái)積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期,并沒有受到疫情影響,預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。

另一方面,臺(tái)積電老對(duì)手三星則押寶3nm節(jié)點(diǎn)翻身,所以進(jìn)度及技術(shù)選擇都很激進(jìn),將會(huì)淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。

根據(jù)此前報(bào)道,三星的3nm工藝將采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),這是同7nm和5nm工藝所使用的FinFET晶體管完全不同的技術(shù)。與目前的7nm工藝相比,三星3nm工藝可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提高35%。并將于2021年提供首批樣品,2022年量產(chǎn)。值得一提的是,三星一直被詬病的晶體管密度仍然未被提及。作為GAA技術(shù)的領(lǐng)頭羊,三星究竟能否借由3nm工藝翻盤,還需要時(shí)間來證明。

顯然,臺(tái)積電和三星的3nm之爭(zhēng),目前可以說是已經(jīng)進(jìn)入了“白熱化”的狀態(tài)。業(yè)內(nèi)人士表示三星在3nm芯片制程上的布局規(guī)劃早于臺(tái)積電,制程工藝完善程度也高于臺(tái)積電。同時(shí),韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行未來戰(zhàn)略研究所研究員表示,三星很有可能是首家批量生產(chǎn)3nm制程的芯片代工廠,從而在與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)中處于上風(fēng)。

就連臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀在此前談到三星時(shí)表示,三星是很厲害的對(duì)手,目前臺(tái)積電暫時(shí)占據(jù)優(yōu)勢(shì),但僅僅只是贏了一兩場(chǎng)戰(zhàn)役,整個(gè)戰(zhàn)爭(zhēng)還沒有結(jié)束。

由此,在此關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),臺(tái)積電啟動(dòng)中生代接班計(jì)劃更表明其對(duì)3nm競(jìng)爭(zhēng)的重視。

接班人有何來頭,能否擔(dān)起臺(tái)積電3nm發(fā)展重任?

臺(tái)積電此次啟動(dòng)的中生代接班布局,是臺(tái)積電現(xiàn)任董事長(zhǎng)劉德音、總裁魏哲家承接臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀雙首長(zhǎng)制,從擔(dān)任共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)、共同執(zhí)行長(zhǎng),并于前年從張忠謀手中接棒,分別出任臺(tái)積電董事長(zhǎng)、總裁后,首度大規(guī)模啟動(dòng)中生代接班布局。

如果說是為了更好地做好與三星這一役的準(zhǔn)備,王建光與秦永沛有何資歷能堪此大任?

據(jù)了解,王建光與秦永沛都是臺(tái)積電1987年創(chuàng)立時(shí)的原始團(tuán)隊(duì)成員,比劉德音、魏哲家還資深,甚至比兩人更親身參與臺(tái)積電發(fā)展歷程,曾與創(chuàng)始人張忠謀、前副董事長(zhǎng)曾繁城一起作戰(zhàn),兩人對(duì)外低調(diào),但其實(shí)對(duì)內(nèi)的歷代制程生產(chǎn)制造、產(chǎn)品開發(fā)等都貢獻(xiàn)良多,可說是臺(tái)積電不可缺少的兩名大將。

其中,王建光曾任三廠/四廠廠長(zhǎng),及十四廠資深廠長(zhǎng)、成熟技術(shù)事業(yè)總廠長(zhǎng)和 12 英寸廠總廠長(zhǎng),歷經(jīng)包括模塊工程、制程整合、技術(shù)開發(fā)、新技術(shù)移轉(zhuǎn)、制造和晶圓廠管理等多種業(yè)務(wù)。

王建光在轉(zhuǎn)任企業(yè)規(guī)劃組織前,負(fù)責(zé)晶圓廠營(yíng)運(yùn)相關(guān)業(yè)務(wù),范圍涵蓋所有 6 英寸廠、8 英寸廠、12 英寸廠,及新廠的興建、工廠設(shè)備和多項(xiàng)廠區(qū)相關(guān)業(yè)務(wù)。

秦永沛則是產(chǎn)品開發(fā)上貢獻(xiàn)良多,1997 年至 1998 年間擔(dān)任晶圓一廠廠長(zhǎng),此后持續(xù)支援所有新一代先進(jìn)技術(shù),包含 28 納米、16 納米與 7 納米制程良率提升,也負(fù)責(zé) 22 納米與 12 納米的制程技術(shù),及射頻制程、高壓制程和影像傳感器等特殊制程技術(shù)的研發(fā),率先開發(fā)了臺(tái)積電的黃金集成電路通用模擬程序模型(Golden Spice Modeling)和制造設(shè)計(jì)方案。

秦永沛在2016年晉升為資深副總經(jīng)理前,曾任營(yíng)運(yùn)組織產(chǎn)品發(fā)展副總經(jīng)理,也曾任臺(tái)積電先進(jìn)技術(shù)事業(yè)副總經(jīng)理,共同負(fù)責(zé)臺(tái)積電先進(jìn)技術(shù)和 12 英寸晶圓廠區(qū)運(yùn)營(yíng)。

可以看到,在3nm攻關(guān)即將進(jìn)入決戰(zhàn)的關(guān)鍵期,臺(tái)積電將富有技術(shù)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的老將——王建光與秦永沛——推到臺(tái)前,足見其對(duì)此次3nm研發(fā)的重視程度,以及兩者的充分信任。接下來,這兩人又將發(fā)揮怎樣的作用?他們能否帶領(lǐng)臺(tái)積電打贏跟三星的3nm之戰(zhàn)?這不僅是對(duì)他們的考驗(yàn),同時(shí)也是對(duì)臺(tái)積電的一次大考。