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          富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM

          —— 適用于高溫環(huán)境下高可靠性的汽車(chē)與工業(yè)機(jī)器人應(yīng)用的最佳非易失性?xún)?nèi)存
          作者: 時(shí)間:2020-05-31 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號(hào)為MB85RS2MTY的 2Mbit  注1 。此款容量最高的產(chǎn)品能在高達(dá)攝氏125度的高溫下正常運(yùn)作,其評(píng)測(cè)樣品(evaluation sample)現(xiàn)已開(kāi)始供應(yīng)。 

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202005/413721.htm


          此款非易失性?xún)?nèi)存在運(yùn)作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀 / 寫(xiě)次數(shù),并支持實(shí)時(shí)記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等,這類(lèi)需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性,并且具有高速寫(xiě)入特點(diǎn),即使遇到突然斷電的狀況,寫(xiě)入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會(huì)遺失。因此,這款產(chǎn)品適用于需在高溫環(huán)境下運(yùn)作的應(yīng)用,像是具有會(huì)產(chǎn)生大量熱能的引擎或馬達(dá)的汽車(chē)設(shè)備與工業(yè)機(jī)器人。 


          富士通電子在過(guò)去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性?xún)?nèi)存產(chǎn)品,具備比及閃存更高的讀∕寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入速度及超低功耗。近幾年來(lái),這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于可穿戴裝置、工業(yè)機(jī)器人與無(wú)人機(jī)。 

          圖一:MB85RS2MTY封裝


          這款擁有2Mbit密度的產(chǎn)品采用接口,支持從1.8v至3.6v的寬電壓范圍,且運(yùn)作耐熱度可高達(dá)攝氏125度;即使在這樣的高溫環(huán)境也能保證10兆次的讀∕寫(xiě)次數(shù),相當(dāng)于的一千萬(wàn)倍;最高運(yùn)作頻率則達(dá)到50 MHz,比現(xiàn)有產(chǎn)品快1.5倍。此外,這些產(chǎn)品的可靠性測(cè)試符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn),達(dá)到被稱(chēng)為“汽車(chē)級(jí)”產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。 


          此款FRAM采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝,使其能輕松取代現(xiàn)有類(lèi)似腳位的產(chǎn)品。此外,也提供擁有8-pin DFN(Dual Flatpack Non-leaded)的封裝。

          圖二:適合MB85RS2MTY的應(yīng)用

          富士通電子持續(xù)為卡、工業(yè)機(jī)械與消費(fèi)性裝置提供數(shù)據(jù)寫(xiě)入效能高于EEPROM的FRAM產(chǎn)品。能在最高攝氏125度環(huán)境下運(yùn)作的FRAM產(chǎn)品自2017年起就已經(jīng)量產(chǎn),因此這類(lèi)FRAM逐漸被廣泛應(yīng)用在需要在高溫下維持運(yùn)作與高可靠性的汽車(chē)及工業(yè)機(jī)械市場(chǎng)。此次富士通電子研發(fā)并推出最大容量的2 Mbit產(chǎn)品,借此強(qiáng)化可運(yùn)作于高達(dá)125度的FRAM產(chǎn)品陣容。

          富士通電子將持續(xù)提供各種FRAM產(chǎn)品與解決方案,協(xié)助客戶(hù)提升各類(lèi)應(yīng)用的價(jià)值與便利性。

          圖三:MB85RS2MTY的主要特色

          關(guān)鍵規(guī)格

          ●   組件型號(hào):MB85RS2MTY 

          ●   容量(組態(tài)):2 Mbit(256K x 8位) 

          ●   接口:(Serial Peripheral Interface) 

          ●   運(yùn)作頻率:最高50 MHz

          ●   運(yùn)作電壓:1.8伏特 - 3.6伏特 

          ●   運(yùn)作溫度范圍:攝氏零下40度 - 攝氏125度 

          ●   讀∕寫(xiě)耐用度:10兆次 (1013次) 

          ●   封裝規(guī)格:8-pin SOP與8-pin DFN 

          ●   認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn):符合AEC-Q100 Grade 1

          詞匯與備注

          *注一:鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存(FRAM) 

          FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存,即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性,并擁有高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開(kāi)始生產(chǎn)FRAM,亦稱(chēng)為FeRAM。

          GDC_eepw_final.jpg

          相關(guān)鏈接:

          ●    富士通電子網(wǎng)站

          ●    FRAM產(chǎn)品系列網(wǎng)站

          ●    MB85RS2MTY簡(jiǎn)介網(wǎng)站



          關(guān)鍵詞: IC FRAM EEPROM SPI

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