英諾賽科寬禁帶半導體項目完成主體施工

據(jù)看看新聞網(wǎng)報道，目前，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司項目主體施工已經(jīng)完成。

資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅(qū)動IC設計開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。

據(jù)規(guī)劃，項目開工后兩年內(nèi)投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標，年銷售收入約80億元，年稅收不低于10億元。

根據(jù)江蘇經(jīng)濟報此前報道，該項目建成投產(chǎn)后將填補國內(nèi)相關領域空白，并成為世界第一個大型量產(chǎn)基地。該項目也是該領域全球首個大型量產(chǎn)基地，為5G移動通信、新能源汽車、高速列車、電子信息、航空航天、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展，提供核心電子元器件。