國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期開工 規(guī)劃月產(chǎn)能20萬片
6月20日,紫光集團(tuán)發(fā)布消息,由長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)施的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期(土建)在武漢東湖高新區(qū)開工,規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月,達(dá)產(chǎn)后與一期項(xiàng)目合計(jì)月產(chǎn)能將達(dá)30萬片。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202006/414563.htm不容忽視的是,行業(yè)龍頭三星近期也在閃存領(lǐng)域動(dòng)作頻頻。6月1日,其宣布將在韓國(guó)平澤工廠擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存芯片,同時(shí)該公司在西安的閃存項(xiàng)目也在持續(xù)擴(kuò)大投資,計(jì)劃建成全球規(guī)模最大閃存芯片制造基地。
觀察者網(wǎng)注意到,受上述消息影響,今天A股早盤,光刻膠、半導(dǎo)體、國(guó)產(chǎn)芯片等板塊紛紛走強(qiáng)。個(gè)股方面,瑞芯微、北方華創(chuàng)、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測(cè)控等集成電路概念股均大幅上漲。
A股半導(dǎo)體板塊今日股價(jià)信息
一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破
紫光集團(tuán)介紹,長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè),計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠,總投資240億美元。
其中,項(xiàng)目一期于2016年底開工建設(shè),進(jìn)展順利,32層、64層存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。
在開工儀式上,紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來,從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠,實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。
在64層3D NAND閃存量產(chǎn)7個(gè)月后,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年4月宣布新的研發(fā)進(jìn)展,其跳過96層,成功研制出業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量的128層閃存。
談及量產(chǎn)時(shí)間,長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)時(shí)向觀察者網(wǎng)表示,配合前述產(chǎn)能,128層NAND閃存將于今年年底到明年上半年陸續(xù)量產(chǎn)。
2019年9月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心廠區(qū) 圖片來源:長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)
西南證券6月21日分析指出,長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,并建成10萬片月產(chǎn)能,計(jì)劃將于2020年底滿產(chǎn),考慮到國(guó)外廠商擴(kuò)產(chǎn)情況,屆時(shí)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市全球占率將達(dá)5%左右。
“2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)突破32層3D閃存,與國(guó)外差距3-4年;2019年其實(shí)現(xiàn)64層技術(shù)量產(chǎn),與國(guó)外差距縮小至2年;今年4月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D閃存研制成功,若128層年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),則與三星、海力士、美光等國(guó)外廠商技術(shù)差距縮小至1年,一期的技術(shù)突破任務(wù)已基本完成。”該券商分析稱。
華創(chuàng)證券分析指出,存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片,最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝,也是中國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。近些年內(nèi)存、固態(tài)硬盤、顯卡價(jià)格屢現(xiàn)上漲,根源在于存儲(chǔ)芯片掌握在少數(shù)國(guó)外廠家手中。國(guó)產(chǎn)化將降低國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品成本,并提升上游設(shè)備公司訂單。
6月9日,基于二季度數(shù)據(jù),SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))調(diào)整2021年全球晶圓廠設(shè)備開支規(guī)模的預(yù)測(cè)值,由此前預(yù)估的657億美元上調(diào)至創(chuàng)紀(jì)錄的677億美元,預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)率為24%。其中,存儲(chǔ)器工廠的設(shè)備開支規(guī)模最大,預(yù)計(jì)達(dá)到300億美元。
前述券商統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,截至今年6月20日,國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商在長(zhǎng)江存儲(chǔ)中標(biāo)數(shù)量排名依次為:北方華創(chuàng)(中標(biāo)56臺(tái))、屹唐(46)、中微公司(38)、盛美半導(dǎo)體(18)、華海清科(11)、精測(cè)電子(8)、沈陽拓荊(5)、中科飛測(cè)(3)、睿勵(lì)(2),覆蓋刻蝕、沉積、檢測(cè)、清洗、CMP多個(gè)領(lǐng)域。
三星、海力士紛紛擴(kuò)產(chǎn)
事實(shí)上,目前全球閃存市場(chǎng)仍高度集中且被國(guó)外廠商壟斷。2020年一季度,三星、鎧俠(東芝)、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾等在全球閃存市場(chǎng)合計(jì)占有率超99%。
數(shù)據(jù)來源:TrendForce
3月底,集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的調(diào)查顯示,雖然新冠疫情蔓延,使得2020年第一季度的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱,但在閃存(NAND Flash)領(lǐng)域,由于2020年全年供給收縮,加上各大供應(yīng)商資本支出保守,第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
展望第二季度,該機(jī)構(gòu)指出,北美及中國(guó)市場(chǎng)數(shù)據(jù)中心的買方態(tài)度仍相當(dāng)積極,企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(Enterprise SSD)也成為所有應(yīng)用類別中缺貨態(tài)勢(shì)最為明顯的產(chǎn)品。由于Enterprise SSD占整體NAND Flash出貨比重持續(xù)提升,因此價(jià)格的強(qiáng)勁表現(xiàn)也帶動(dòng)第二季整體NAND Flash均價(jià)將上漲至少5%。
數(shù)據(jù)來源:TrendForce
而隨著“宅經(jīng)濟(jì)”推動(dòng)對(duì)存儲(chǔ)需求的增加,加之價(jià)格上漲,龍頭廠商也紛紛開始擴(kuò)產(chǎn)。
6月1日,路透社報(bào)道,三星電子宣布,將擴(kuò)大其在韓國(guó)平澤市(Pyeongtaek)的NAND閃存芯片生產(chǎn)能力,以押注未來對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)和服務(wù)器的需求,因?yàn)樾鹿诓《敬偈垢嗳嗽诩夜ぷ鳌?/p>
報(bào)道指出,三星計(jì)劃在明年下半年大規(guī)模生產(chǎn)該芯片,新增的產(chǎn)能將有助于滿足對(duì)5G手機(jī)和其他設(shè)備的需求。分析師預(yù)計(jì),三星此次投資額將在7萬億韓元至8萬億韓元(約合65億美元)之間。
7個(gè)月前,三星宣布啟動(dòng)西安閃存芯片(NAND)項(xiàng)目二期第二階段80億美元(約合人民幣563億元)投資。項(xiàng)目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片,使西安成為全球規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。
與此同時(shí),據(jù)DIGITIMES今年4月報(bào)道,SK海力士將在韓國(guó)M15工廠增加NAND Flash產(chǎn)能。
報(bào)道指出,之前因?yàn)槭袌?chǎng)供過于求,SK海力士把2019年NAND Flash晶圓較2018年減少10%以上,這也導(dǎo)致其產(chǎn)能爬坡速度有所減緩,不過在三星投資加速刺激下,SK海力士或也在考慮提高增產(chǎn)速度。
觀察者網(wǎng)專欄作者鐵流此前分析,由于中國(guó)企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲(chǔ)芯片方面的市場(chǎng)占有率微乎其微,且NAND Flash和DRAM被少數(shù)國(guó)際大廠所壟斷,特別是韓國(guó)企業(yè)擁有非常高的市場(chǎng)份額,這直接導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響……長(zhǎng)江存儲(chǔ)在64層NAND上取得突破,未來將有效緩解了在NAND上單一依賴進(jìn)口供應(yīng)的局面。
評(píng)論