佳能發(fā)售半導體光刻機“FPA-8000iW” 可應對大型方形基板且解像力達1.0微米

佳能¹將在2020年7月上旬發(fā)售半導體光刻機的新產(chǎn)品——面向后道工序的i線²步進式光刻機“FPA-8000iW”。該產(chǎn)品具備對應尺寸最大到515×510mm大型方形基板的能力以及1.0微米³的高解像力。

該款新產(chǎn)品是佳能半導體光刻機產(chǎn)品線中，首個可對應大型方形基板的面向后道工序的光刻機。該產(chǎn)品配備佳能自主研發(fā)的投影光學系統(tǒng)，在實現(xiàn)大視場曝光的同時，還能達到1.0微米的高解像力。因此，在使用可降低數(shù)據(jù)中心CPU或GPU等能耗的有機基板的PLP⁴封裝工藝中，新產(chǎn)品將可以實現(xiàn)使用515×510mm大型方形基板進行高效生產(chǎn)的用戶需求。由于該產(chǎn)品具有高解像力、大視場曝光性能以及高產(chǎn)能，因此在實現(xiàn)半導體封裝⁵的進一步細微化和大型化的同時，還可以降低成本。

■   可滿足高產(chǎn)能大型基板的封裝需求

為了滿足使用方形基板進行封裝工藝的需求，佳能開發(fā)了可以搬送515×510mm大型方形基板的新平臺。另外，針對在大型方形基板上容易發(fā)生的基板翹曲的問題，通過搭載新的搬送系統(tǒng)，可在矯正10mm大翹曲的狀態(tài)下進行曝光。因此，新產(chǎn)品實現(xiàn)了高效生產(chǎn)大型半導體芯片的PLP工藝，可應對要求高產(chǎn)能的用戶需求。

■   實現(xiàn)1.0微米的解像力，對應高端封裝

佳能自主研發(fā)的投影光學系統(tǒng)可實現(xiàn)52×68mm的大視場曝光，達到了方形基板封裝光刻機中高標準的1.0微米解像力。因此，實現(xiàn)了應對半導體芯片的高集成化、薄型化需求的PLP等高端封裝工藝，且可滿足各種用戶需求。

＜參考＞

■   什么是半導體光刻機的后道工序

在半導體器件的制造過程中，半導體光刻機起到“曝光”電路圖案的作用。通過一系列的曝光，在硅片上制造半導體芯片的過程稱為前道工序；保護精密的半導體芯片不受外部環(huán)境的影響，并在安裝時實現(xiàn)與外部電氣連接的封裝過程稱為后道工序。

■   什么是PLP

 PLP是Panel Level Packaging的縮寫，是指將多個半導體芯片排列在一個薄型方形大尺寸面板上并一次成型模制的封裝制造方法。與普通的300mm晶圓相比，可以一次性高效地將許多半導體芯片放置在晶圓上，從而實現(xiàn)高產(chǎn)能。

＜半導體光刻機的市場動向＞

隨著近幾年物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，在半導體器件制造中，封裝基板變得越來越集成化，也越來越薄。例如，由于高性能CPU或FPGA連接到多個高速大容量存儲器，因此用于數(shù)據(jù)中心的高性能AI芯片的封裝，有集成化和大型化的發(fā)展趨勢。作為先進的封裝技術(shù)之一，PLP不僅支持半導體器件的高度集成和薄型化，而且還通過大型基板的應用實現(xiàn)了高產(chǎn)能，作為一種前景明朗的技術(shù)而備受關(guān)注。PLP通常用于制造追求高速處理的尖端半導體器件，例如AI芯片、HPC⁶等。（佳能調(diào)研）

FPA-8000iW

1   為方便讀者理解，本文中佳能可指代：佳能（中國）有限公司，佳能股份有限公司，佳能品牌等

2   使用了i線（水銀燈波長 365nm）光源的半導體曝光裝置。1nm（納米）是10億分之1米。

3   1微米是100 萬分之 1米。（＝1000 分之1mm）

4   Panel Level Packaging的縮寫。將多個半導體芯片排列在一個薄型方形大尺寸面板上并一次成型模制的封裝制造方法。

5   保護精密的半導體芯片不受外部環(huán)境的影響，并在安裝時實現(xiàn)與外部的電氣連接。

6   High-Performance Computing的縮寫。指使用計算機執(zhí)行計算量極大的處理。

半導體芯片布局比較圖（*shot size: 55×55mm）

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