SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’
SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。
圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E
SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度,通過1,024個I/Os(Inputs/Outputs, 輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清(FHD)電影(每部3.7GB),是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接,其容量達到了16GB,是前一代HBM2容量的兩倍以上。
HBM2E擁有超高速、高容量、低能耗等特性,是適合深度學(xué)習(xí)加速器(deep learning accelerator)、高性能計算機等需要高度計算能力的新一代人工智能(AI)系統(tǒng)的存儲器解決方案。與此同時,HBM2E將適用于在未來主導(dǎo)氣候變化、生物醫(yī)學(xué)、宇宙探索等下一代基礎(chǔ)、應(yīng)用科學(xué)領(lǐng)域研究的Exascale 超級計算機(能夠在一秒內(nèi)執(zhí)行一百億億次計算的計算機)。
吳鐘勛SK海力士副社長兼首席營銷官(Chief Marketing Officer, CMO)表示:“SK海力士通過開發(fā)世界第一款HBM(High Bandwidth Memory)等成果一直引領(lǐng)著有助于人類文明發(fā)展的新一代技術(shù)革新。公司將通過本次HBM2E量產(chǎn)強化高端存儲器市場上的地位,并倡導(dǎo)第四次工業(yè)革命?!?
注解
HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬內(nèi)存)
-相較傳統(tǒng)DRAM,借助TSV技術(shù)飛躍性地提升數(shù)據(jù)處理速度的高性能、高帶寬存儲器產(chǎn)品TSV(Through Silicon Via,硅通孔技術(shù))
- 在DRAM芯片打上數(shù)千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術(shù)
- 該技術(shù)在緩沖芯片(buffer chip)上將數(shù)個DRAM芯片堆疊起來,并通過貫通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號、指令、電流。
- 相較傳統(tǒng)封裝方式,該技術(shù)能夠縮減30%體積,并降低50%能耗。數(shù)據(jù)處理速度換算規(guī)則
- 1GB = 8Gb
- 以每個pin 3.6Gbps的速度通過1,024個數(shù)據(jù)I/Os進行運算 = 3686.4Gbps
- 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB換算)
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