Intel/臺積電/ASML齊捧EUV光刻:捍衛(wèi)摩爾定律
日前,中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(CSTIC)在上海開幕,為期19天,本次會議重點是探討先進(jìn)制造和封裝。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202007/415096.htm其中,光刻機一哥ASML(阿斯麥)的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示,EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進(jìn)工藝的設(shè)備,EUV技術(shù)已經(jīng)被廣泛認(rèn)為是突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一。
Yen援引統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,截至2019年第四季度,ASML當(dāng)年共售出53臺EUV NXE:3400系列EUV光刻機,使用EUV機器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到1000萬片。他說,EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電路的最關(guān)鍵武器。
Yen還指出,三星電子于2020年3月宣布正式采用EUV光刻設(shè)備制造10nm DRAM芯片,預(yù)計2021年將大量使用這些設(shè)備來支持先進(jìn)的DRAM工藝。
臺積電研發(fā)副總裁Doug Yu則在會上提及,Chiplet小芯片系統(tǒng)封裝技術(shù)被認(rèn)為是擴展摩爾定律有效性的另一種武器,它認(rèn)為Chiplets可以促進(jìn)芯片集成、降低研發(fā)成本、提高成品率和實現(xiàn)高性能計算以及設(shè)計和架構(gòu)創(chuàng)新。Yu透露,臺積電開發(fā)了LIPINCONTM(低壓封裝互連)技術(shù),數(shù)據(jù)傳輸速度為8GB/s/pin,旨在優(yōu)化芯片的性能。
除前端工藝技術(shù)外,臺積電還熱衷于開發(fā)先進(jìn)的封裝工藝,最新的3D SoIC封裝技術(shù)將于2021年進(jìn)入批量生產(chǎn),這將促進(jìn)高性能芯片的成本效益生產(chǎn)。
值得一提的是,Intel院士Ravi Mahajan援引Yole的統(tǒng)計數(shù)據(jù)稱,2024年先進(jìn)的封裝市場規(guī)模將增長到440億美元,這促使Intel加緊在2.5D和3D封裝業(yè)務(wù)中的部署。
Intel所謂的2.5D封裝即EMIB多芯片互聯(lián),封裝尺度目前是55nm,3D封裝則是Foveros,尺度50nm。Intel正致力于將EMIB推進(jìn)到30-45 nm,3D Foveros推進(jìn)到20~35nm。
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