華虹半導(dǎo)體持續(xù)打造卓越eNVM工藝平臺
全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)—— 華虹半導(dǎo)體有限公司 ( “華虹半導(dǎo)體” 或 “公司” )近日宣布,其95納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存儲器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)工藝平臺通過不斷的創(chuàng)新升級,技術(shù)優(yōu)勢進一步增強,可靠性相應(yīng)大幅提升。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202007/415866.htm華虹半導(dǎo)體95納米SONOS eNVM工藝技術(shù)廣泛應(yīng)用于微控制器(MCU)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領(lǐng)域,具有穩(wěn)定性好、可靠性高、功耗低等優(yōu)點。相對上一代技術(shù),95納米SONOS eNVM 5V工藝實現(xiàn)了更小設(shè)計規(guī)則,獲得了同類產(chǎn)品芯片面積的縮?。贿壿嫴糠中酒T密度較現(xiàn)有業(yè)界同類工藝提升超過40%,達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平;所需光罩層數(shù)較少,能夠提供更具成本效益的解決方案。同時,95納米SONOS eNVM 5V工藝具有更高集成度和領(lǐng)先的器件性能,存儲介質(zhì)擦/寫特性達(dá)到了2毫秒的先進水平;低功耗器件驅(qū)動能力提高20%,僅用5V器件可以覆蓋1.7V至5.5V的寬電壓應(yīng)用。
華虹半導(dǎo)體持續(xù)深耕,95納米SONOS eNVM采用全新的存儲器結(jié)構(gòu)以及優(yōu)化操作電壓,大大提高了閾值電壓的窗口。在相同測試條件下,SONOS IP的擦寫能力達(dá)到1000萬次,可靠性提升20倍;在85℃條件下,數(shù)據(jù)保持能力可長達(dá)30年,處于國際領(lǐng)先水平。華虹半導(dǎo)體致力于持續(xù)優(yōu)化工藝水平,在提升數(shù)據(jù)保持能力條件下,同時提升擦寫次數(shù),更好地滿足市場對超高可靠性產(chǎn)品的需求。
此外,隨著高可靠性工藝平臺及衍生工藝受到青睞,公司基于SONOS工藝的eNVM更可以涵蓋MTP(Multi-Time Programmable Memory)應(yīng)用。通過簡化設(shè)計、優(yōu)化IP面積和減少測試時間等,在IP面積、測試時間、使用功耗和擦寫能力上比MTP性能更優(yōu),更具競爭力。在此基礎(chǔ)上增加配套的可選器件,進一步滿足電源管理和RF類產(chǎn)品的需求。
華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士 表示:“嵌入式非易失性存儲器技術(shù)向來是華虹半導(dǎo)體的 ‘王牌’之一,一直保持著業(yè)界領(lǐng)先地位,為廣大MCU客戶提供了靈活多樣的技術(shù)平臺。在‘8英寸+12英寸’戰(zhàn)略定位的指引下,公司在8英寸平臺上,通過縮小存儲單元IP面積、減少光罩層數(shù)等方式來進一步強化嵌入式閃存技術(shù)工藝;同時,我們發(fā)揮12英寸平臺更小線寬特性,打造高性能的嵌入式非易失性存儲器工藝技術(shù)平臺,在鞏固智能卡芯片制造領(lǐng)航者地位的同時,滿足物聯(lián)網(wǎng)、MCU、汽車電子等高增長的市場需求?!?/p>
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