三星5nm被曝良品率低下：高通驍龍875G懸了

這幾年，臺(tái)積電的半導(dǎo)體工藝銜枚疾進(jìn)，相比之下三星、Intel進(jìn)展就不太順利了，尤其是三星在爭奪代工訂單的時(shí)候一直處于不利地位，比如最關(guān)鍵的良品率，就多次有消息說敵不過臺(tái)積電。

現(xiàn)在，DigiTimes又報(bào)道稱，三星最新的5nm EUV工藝就又遇到了麻煩，良品率不達(dá)標(biāo)，將會(huì)影響高通驍龍875G、驍龍735G的正常推出。

原報(bào)道沒有給出更多細(xì)節(jié)，暫時(shí)不清楚是什么原因?qū)е碌?，但是我們都知道，半?dǎo)體工藝越來越復(fù)雜，難度越來越高，想第一時(shí)間就達(dá)到完美預(yù)期幾乎是不可能的，總要經(jīng)歷一個(gè)過程。

不過另一方面，臺(tái)媒發(fā)布一些不利于三星新工藝的消息也不是一次兩次的，有時(shí)候甚至是有意為之，目的自然是給臺(tái)積電打掩護(hù)，三星也曾經(jīng)特意辟謠過，所以現(xiàn)在的情況還不太好說。

根據(jù)此前消息，高通將在今年第四季度商用驍龍662、驍龍460，明年第一季度商用驍龍875G、驍龍435G，明年第二季度商用驍龍735G。

驍龍875G自然是下一代旗艦，按慣例今年底發(fā)布，消息稱可能會(huì)首次引入Cortex-X1超大核心、Cortex-A78大核心的組合，其中全新設(shè)計(jì)的X1核心能效相比A77、A78分別高出30％、23％，機(jī)器學(xué)習(xí)能力也比A78高出一倍。

另外，驍龍875G有望首次在高通旗艦平臺(tái)集成5G基帶，徹底告別外掛。