- ●? ?介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現具有挑戰性的制造工藝，需要進行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試在1.5nm節點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類是1.5nm節點后段的最小目標金屬間距
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半大馬士革 后段器件集成 1.5nm SEMulator3D
- 5月22日消息，在半導體領域，印度也燃起了雄心，此前沒啥基礎的他們都要勵志在5年內做全球第一的半導體大國，而且全產業鏈發展，印度高性能計算中心C-DAC本周就公布了自己研發的Aum HPC處理器，最多96核，而且是5nm工藝。在高性能計算市場，ARM處理器近年來確實取得了一些成績，富士通研發的48核A64FX處理器之前還成為TOP500超算第一，NVIDIA也有72核到144核的Grace處理器，Ampere公司之前推出了80核的ARM處理器。這幾天Ampere還推出了新一代的云數據中心處理器“Amper
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印度 96核 5nm
- 據《科創板日報》報道，針對“因4~5納米先進制程良率逐漸穩定，客戶訂單正逐漸增加，稼動率也相應反彈，12英寸稼動率回升至九成?！边@一市場消息，三星半導體對其進行了回應。報道指出，三星半導體相關負責人回應表示，“暫無法透露最新良率或者客戶情況。正如我們在2022年4月的財務電話會議上所提及，5nm制程良率自去年年初以來已穩定下來，而4nm制程良率也已得到了提升，自2022年第一季度以來一直在預期的軌道上。自此4~5nm制程良率已經穩定了?！睋n國媒體BusinessKorea報道，三星4納米制程良率相較之前
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5nm 良率 晶圓代工 三星
- 2023 年 4 月 6 日，加利福尼亞州圣克拉拉 — AMD （超威，納斯達克股票代碼：AMD）今日宣布推出 AMD Alveo? MA35D 媒體加速器，該卡具備兩個 5 納米基于 ASIC 的、支持 AV1 壓縮標準的視頻處理單元（ VPU ），專為推動大規模直播互動流媒體服務新時代而打造。隨著全球視頻市場超 70% 的份額由直播內容主導1，一類新型的低時延、大容量交互式流媒體應用正在涌現，例如連線觀賞、直播購物、在線拍賣和社交流媒體。?AMD Alveo MA35D 媒體加速器Alveo
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AMD 5nm ASIC 媒體加速器卡 大規模交互式流媒體服務
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
- 作為僅次于x86、ARM的第三大CPU架構，RISC-V憑借開源、免費的優勢迅速發展，之前主要用于低功耗市場，但是現在也開始沖擊高性能領域，Ventana公司日前已經做出了5nm 192核的芯片。Ventana公司日前發布了第一款產品Veyron V1，該公司研發了一種高性能RISC-V架構，每個CPU模塊中有16個RISC-V內核，頻率3.6GHz，整合48MB緩存，整個處理器可以集成12個CPU模塊，做到192核，臺積電5nm工藝生產制造，還有自己開發的高性能IO核心，延遲低至7ns，接近原生核心性能
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RISC-V 5nm 192核
- 概倫電子宣布其高性能并行SPICE仿真器NanoSpice?通過三星代工廠5nm工藝技術認證，滿足雙方共同客戶對高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。三星5nm工藝可以提高良率、降低功耗并改善性能，這就需要更高精度的電路仿真和驗證工具來實現更優化的先進IC設計。NanoSpice?的認證屬于三星代工廠的EDA認證項目，該仿真器可支持最新版的OMI接口（開放模型接口），在模擬IP的大規模后仿網表仿真中表現出良好的仿真收斂性和準確性，幫助雙方共同客戶充滿信心地設計，縮短設計周期的同時確保更高精度。作為新一
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概倫電子 NanoSpice? 5nm
- ?Credo Technology（納斯達克股票代碼：CRDO）近日正式宣布推出其基于臺積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產品，該系列能夠全面覆蓋客戶在高性能計算、交換芯片、人工智能、機器學習、安全及光通信等領域的廣泛需求，包括：超長距（LR+）、長距（LR）、中距（MR）、超極短距（XSR+）以及極短距（XSR）。?Credo IP產品業務開發助理副總裁Jim Bartenslager表示， “Credo先進的混合信號以及數字信號處理（DSP）1
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Credo 臺積電 5nm 4nm SerDes IP
- IT之家7 月 28 日消息，兩年前，臺積電宣布將投資數十億美元，在美國亞利桑那州廠建立 5nm 晶圓廠。該工廠于 2021 年 4 月動工興建，預計 2024 年營運量產，月產能 2 萬片。昨日，臺積電為該工廠舉行了上梁典禮。臺積電的領英（linkedin）賬號顯示，本次上梁典禮有 4000 多名臺積電員工及合作伙伴參加，他們一起慶祝了臺積電 5nm 工廠的新里程碑。該典禮的舉行意味著該工廠的基礎設施全部完工，即將開始安裝設備進行調試。該工廠未來產能以 5nm 工藝為主，這將是美國最先進的半導體工藝。此
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臺積電 5nm 美國
- 芯研所7月15日消息，2020年臺積電宣布將在美國建設晶圓廠，這是他們首次在海外建設先進工藝的5nm工廠，總投資計劃高達240億美元，目前還在建設中。在美國建設晶圓廠的成本是要高于亞洲地區的，在今天的Q2財報會議上，臺積電也談到了這個問題，表示仍處于工廠的建設階段，美國工廠的成本比我們預期的要高。芯研所采編臺積電表示，我們將這些信息提供給了當地政府，讓他們全面了解成本差距，臺積電仍在努力爭取政府補貼，將繼續努力降低成本。此前美國推出了高達520億美元的半導體補貼法案，很多半導體公司都在爭取這一補貼，不過這
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臺積電 晶圓代工 5nm
- 芯研所6月29日消息，據韓國媒體報道稱，三星將在未來幾天宣布開始批量制造，在生產世界上最先進的芯片的過程中擊敗競爭對手臺積電。在此之前這家韓國科技巨頭在向更小的工藝節點轉移時出現了很多產量問題，以至于影響了它的一些最大客戶的業務，如高通公司，該公司現在正考慮將臺積電用于未來的移動芯片。NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問題和相對較低的能源效率后，正為其下一代產品選擇臺積電，這些GPU原本是在三星的8nm工藝節點上制造的。來自韓國當地媒體的報道顯示，三星正準備宣布開始3納米的批量制造，可能最快
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三星 5nm 芯片
- 繼蘋果之后，AMD發布5納米個人電腦（PC）芯片。5月23日臺北電腦展（Computex）上，AMD CEO蘇姿豐發表主題演講，正式發布新銳龍處理器Ryzen 7000系列，采用臺積電5納米工藝Zen 4架構打造，該芯片預計將于2022年秋季面市?！ √K姿豐稱，與前一代產品相比，Ryzen 7000系列的Zen 4架構內核擁有翻倍的L2緩存，容量從前三代Zen架構的512KB增加到1MB，處理器的單線程性能提升超過15%，并且擁有5GHz+的加速頻率。此外Zen 4架構還進一步提升了AI性能，AMD還
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AMD 5nm 芯片
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高的晶體管性能變得更具挑戰。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優化先進節點FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
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- 此前，AMD賣掉半導體封測廠，轉交給通富微電，后者負責AMD大量銳龍及Radeon顯卡芯片的封裝，日前該公司確認AMD的芯片產能有望緩解，公司封裝的5nm產品也即將量產。根據該公司的年報，2021年全年，通富微電實現營業收入158.12億元，同比增長46.84%；歸母凈利潤超過去6年之和，為9.54億元，同比增長181.77%；凈資產收益率為9.51%，較2020年大幅提升4.55個百分點。通富微電副總經理夏鑫表示，隨著臺積電持續加大先進制程擴產力度，2021年占公司收入44.5%的客戶AMD，所面臨的產
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5nm AMD
- 據 wccftech 報道，半導體制造公司臺積電（TSMC）已經增加了其 5nm 工藝技術系列的出貨量。這是臺積電產品組合中最先進的技術，該工廠希望在今年晚些時候向 3nm 工藝邁進。DigiTimes 聲稱，增加產量是為了促進來自個人計算行業的幾家公司的訂單，特別是在韓國芯片制造商三星代工廠目前面臨產量問題的報道之后。三星和臺積電是世界上僅有的兩家向第三方提供芯片制造服務的公司，在這種雙頭壟斷的情況下，臺積電因其一貫可靠的交付和定期的技術升級而占據了強有力的領先地位。DigiTimes 的報告表示，臺積
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