泛林集團(tuán)推出先進(jìn)介電質(zhì)填隙技術(shù)，推動(dòng)下一代器件的發(fā)展

近日，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設(shè)備及服務(wù)主要供應(yīng)商泛林集團(tuán)近日 宣布推出一款全新的工藝方案——先進(jìn)的Striker^? FE平臺(tái)——用于制造高深寬比的芯片架構(gòu)。Striker FE平臺(tái)采用了業(yè)界首創(chuàng)的ICEFill?技術(shù)，以填充新節(jié)點(diǎn)下3D NAND、DRAM和邏輯存儲(chǔ)器的極端結(jié)構(gòu)。不僅如此，該系統(tǒng)還具備更低的持續(xù)運(yùn)行成本和更好的技術(shù)延展性，以滿足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)路線圖的發(fā)展。

半導(dǎo)體制造行業(yè)一直以來(lái)使用的填隙方法包括傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積 (CVD)、擴(kuò)散/熔爐和旋涂工藝。然而，由于這些技術(shù)需要在質(zhì)量、收縮率和填充率之間權(quán)衡取舍，因此已無(wú)法滿足當(dāng)前3D NAND的生產(chǎn)要求。相比之下，泛林集團(tuán)的Striker ICEFill采用其獨(dú)有的表面改性技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)高選擇性自下而上及無(wú)縫的填隙，并保持原子層沉積 (ALD) 固有的成膜質(zhì)量。 ICEFill技術(shù)能夠解決3D NAND器件普遍存在的高深寬比填隙面臨的限制，避免DRAM和邏輯器件結(jié)構(gòu)倒塌的問(wèn)題。

泛林集團(tuán)高級(jí)副總裁兼沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示：“我們致力于為客戶提供最好的ALD技術(shù)。在單一工藝系統(tǒng)中，這項(xiàng)技術(shù)不僅能夠以優(yōu)異的填隙性能生產(chǎn)高質(zhì)量氧化膜，還整合了泛林集團(tuán)行業(yè)領(lǐng)先的四位一體的模塊架構(gòu)帶來(lái)的生產(chǎn)率優(yōu)勢(shì)?！?/p>

全新的工藝方案——先進(jìn)的Striker^? FE平臺(tái)

Striker FE平臺(tái)的ICEFill技術(shù)屬于泛林集團(tuán)Striker ALD產(chǎn)品系列，欲了解該系列產(chǎn)品的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn) 產(chǎn)品頁(yè)面 。