泛林集團推出先進介電質填隙技術，推動下一代器件的發(fā)展

近日，全球半導體產業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設備及服務主要供應商泛林集團近日 宣布推出一款全新的工藝方案——先進的Striker^? FE平臺——用于制造高深寬比的芯片架構。Striker FE平臺采用了業(yè)界首創(chuàng)的ICEFill?技術，以填充新節(jié)點下3D NAND、DRAM和邏輯存儲器的極端結構。不僅如此，該系統(tǒng)還具備更低的持續(xù)運行成本和更好的技術延展性，以滿足半導體產業(yè)技術路線圖的發(fā)展。

半導體制造行業(yè)一直以來使用的填隙方法包括傳統(tǒng)的化學氣相沉積 (CVD)、擴散/熔爐和旋涂工藝。然而，由于這些技術需要在質量、收縮率和填充率之間權衡取舍，因此已無法滿足當前3D NAND的生產要求。相比之下，泛林集團的Striker ICEFill采用其獨有的表面改性技術，可以實現(xiàn)高選擇性自下而上及無縫的填隙，并保持原子層沉積 (ALD) 固有的成膜質量。 ICEFill技術能夠解決3D NAND器件普遍存在的高深寬比填隙面臨的限制，避免DRAM和邏輯器件結構倒塌的問題。

泛林集團高級副總裁兼沉積產品事業(yè)部總經理Sesha Varadarajan表示：“我們致力于為客戶提供最好的ALD技術。在單一工藝系統(tǒng)中，這項技術不僅能夠以優(yōu)異的填隙性能生產高質量氧化膜，還整合了泛林集團行業(yè)領先的四位一體的模塊架構帶來的生產率優(yōu)勢?！?/p>

全新的工藝方案——先進的Striker^? FE平臺

Striker FE平臺的ICEFill技術屬于泛林集團Striker ALD產品系列，欲了解該系列產品的更多信息，請訪問 產品頁面 。