三星尋求加快5nm及3nm芯片制程工藝研發(fā) ,欲與臺積電試比高
外媒最新的報道顯示,在芯片制程工藝方面落后臺積電一段時間的三星,正在尋求加強與極紫外光刻機供應商阿斯麥的合作,以加快5nm及3nm制程工藝的研發(fā)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202010/419767.htm三星加快5nm及3nm工藝的開發(fā),欲與臺積電試比高,未來能否超越臺積電讓我們拭目以待。
臺積電近今年的發(fā)展可以說是順風順水,可以說臺積電憑借著領先的工藝技術,在半導體行業(yè)中是游刃有余的,當然臺積電也有一個競爭對手,那就是三星。但是三星相比于臺積電,還存在很大的差距,雖然目前這兩家都能夠量產(chǎn)市面上最為先進的5nm芯片,而三星的良品率低是一大硬傷。
三星主動出擊
韓國三星電子在半導體代工領域向臺積電制造發(fā)起正面挑戰(zhàn)。三星確定采用新一代生產(chǎn)技術EUV光刻機的量產(chǎn)體制,計劃用十年的時間來挑戰(zhàn)臺積電世界首位的地位。
三星電子副會長、三星集團實際大當家李在镕(Lee Jae-yong)10月13日在為期一周的歐洲之行期間,在位于埃因霍溫的ASML總部會見了該公司的高層管理人員,包括首席執(zhí)行官彼得·溫林克(Peter Wennink)和首席技術官馬丁·范登布林克(Martin Van Den Brink)。
在成為三星電子實際的掌門人以來,李在镕在多個場合都發(fā)揮了關鍵作用,去年韓美爆發(fā)貿(mào)易沖突之際,日本停止了對韓國三星、LG等公司關鍵物料的出口,后來也是李在镕親自前往日本會見各大供應商以尋求解決辦法。
三星方面證實,此次會議涵蓋了雙方共同感興趣的各種問題,例如ASML出售EUV設備的計劃,以及雙向合作開發(fā)下一代存儲芯片的細節(jié)。最重要目的其實是親自催促對方,提前1個月交貨生產(chǎn)先進制程不可或缺的9座EUV(極紫外光微影臺)。在抵達首爾時,李在镕特別表示,他“在探索與EUV設備制造商建立牢固關系的方法”。相關資料顯示,三星與ASML在多年來一直是合作伙伴關系,三星也在2012年投資入股ASML公司以加強合作,目前三星持有ASML 1.5%股份。
而臺積電與目前全球唯一的極紫外光刻機供應商ASML也合作緊密,已獲得了大量的極紫外光刻機。在8月份的全球技術論壇期間,臺積電曾透露全球目前在運行的極紫外光刻機中,他們約有一半,產(chǎn)能則是預計占全球的60%。
三星要想實現(xiàn)篡位目標,非得加大EUV采購不可。ASML包括已交付和已接單的EUV總數(shù)約70臺,臺積電就過半,三星已啟用10臺,就算加上李在镕親催提早交貨9臺,數(shù)量上勉強可以暫時逼近臺積電已啟用的20幾臺。
臺積電雖然領先于三星,但是二者相差的其實并不是很大,臺積電還是對三星有所顧忌。如過去3納米架構也是率先由三星喊出將從目前采用的FinFET(鰭式晶體管)改變成GAA(閘極全環(huán)) —— 此舉是為了搶救現(xiàn)在三星在7納米、5納米良率偏低的原因,因為GAA架構在實驗室里面被發(fā)現(xiàn),其抑制漏電的狀況比起FinFET架構要好得多,若能有效控制漏電,對于芯片的效能表現(xiàn)將有所幫助。
針對三納米延續(xù)FinFET架構一事,臺積電的首席科學家黃漢森表示不與三星同調(diào)改采GAA,除了是包括成本、客戶IC設計銜接等問題外,臺積電依舊有能力在制程進入更小的階段上,仍采用原架構并且維持產(chǎn)品的效能表現(xiàn),展現(xiàn)了晶圓代工龍頭在技術上的優(yōu)勢地位。
雖然現(xiàn)在臺積電在該領域占據(jù)著主導地位,但三星也越來越多地從英特爾(Intel)、高通(Qualcomm)和英偉達(Nvidia)等全球芯片設計公司獲得芯片制造訂單。在最新的芯片制造訂單中,三星在其位于京畿道華城的工廠開始使用極紫外(EUV)光刻設備批量生產(chǎn)高通最新的應用處理器驍龍875。
臺積電的領先優(yōu)勢得到持續(xù)鞏固,同時外部市場環(huán)境也會提供長期利好??雌饋砼_積電的晶圓代工龍頭地位會愈加穩(wěn)固,而其在整個半導體行業(yè)內(nèi)的霸權也將更加牢不可破,然而事實并不像表面看起來那樣簡單。
當臺積電放棄12nm以下先進制程投資,格羅方德放棄7nm以下先進制程研發(fā)之后,臺積電真正意義上的挑戰(zhàn)者只剩下三星。而三星也絕不會輕易放棄對臺積電的追趕,并且對它的威脅程度也在不斷提升。從實際來看,三星對臺積電的威脅是全方位的。
三星和臺積電兩強爭霸
在半導體先進制程工藝方面,特別是行業(yè)進入14nm時代以后,玩家迅速減少。本來是英特爾、三星和臺積電三足鼎立的局面,但由于在過去5年里,英特爾在工藝技術進度方面的不給力,一再延誤,使得近兩年10nm及更先進制程市場,不見了三足鼎立的局面,只有三星和臺積電兩強在爭。
在三星和臺積電兩強爭霸中,2015年為蘋果代工的A9芯片在iPhone 6s上的續(xù)航能力不及臺積電所生產(chǎn)芯片一事出現(xiàn)之后,三星就再也未能獲得蘋果A系列處理器的代工訂單,蘋果的訂單也就全部交給了臺積電,也成為了臺積電最大的客戶。
技術的領先也讓臺積電吸引了不少的廠商,華為也是臺積電客戶,并且還是第二大客戶。這樣一來臺積電的發(fā)展就越來越快速,在芯片制程工藝方面,三星落后于臺積電一段時間,相同的制程工藝,臺積電都是率先大規(guī)模投產(chǎn)。
臺積電的5nm工藝,在今年一季度就已大規(guī)模投產(chǎn),三季度貢獻了約10億美元的營收,預計四季度將超過26億美元。更先進的3nm工藝方面,臺積電目前也在按計劃推進,計劃在2021年風險試產(chǎn),2022年大規(guī)模投產(chǎn)。并且2nm芯片也已經(jīng)獲得了突破,目前已經(jīng)在建設晶圓廠,為2nm芯片產(chǎn)能做打算。
同時,臺積電對于光刻機也是加大引進的力度,預計到2021年底,臺積電EUV光刻機將增至55臺左右,而三星能采購的數(shù)量僅25臺,差距明顯,因此,EUV光刻機成為先進制程之爭的關鍵資源。那么面對勁敵臺積電的動作,三星也不可能無動于衷,從三星的董事長李在镕親自前往ASML公司洽談光刻機事宜,可以看出三星對于光刻機有多么的迫切了。在目前三星芯片代工領域的市場份額落后臺積電的情況下,要想在5納米和3納米上實現(xiàn)反超,光刻機是重要的一環(huán)。
現(xiàn)在臺積電具有壓倒性的優(yōu)勢,三星想要在十年的時間里要超越臺積電搶占第一,看來還是有一定的難度,不過三十年河西,三十年河東,誰也說不好。只能說這個一個富有挑戰(zhàn)的目標,而至于結果還得等到那時候揭曉。
現(xiàn)在摩爾定律已經(jīng)接近極限,之后必然會產(chǎn)生一些新興的事物,現(xiàn)在的臺積電在3nm以及2nm已經(jīng)遙遙領先了。但是當摩爾定律到達極限的時候,新興的行業(yè)開始出現(xiàn),或許到那時半導體行業(yè)將再次洗牌,再次迎來一個新的局面。
爭奪晶圓代工市場
芯片需求的上漲對晶圓代工廠商的作用是顯而易見的,特別是對于依賴先進制程的高性能芯片,7nm、5nm等制程的加持不僅讓性能有了飛躍的提升,在功耗的控制上也有更多的余地。對于大部分依賴先進制程的芯片公司而言,從晶圓代工廠商中搶訂單已經(jīng)成為了頭等大事。
前些年進軍晶圓代工市場的英特爾,市場拓展速度緩慢,同時,由于自身先進制程技術不夠成熟,英特爾在2020年第二季度財報中曾經(jīng)提到,基于7nm的CPU相對于預期計劃大約滯后了6個月,這將最初計劃2021年底推出7nm芯片的時間節(jié)點延期到至少2022年。
再加上其整體芯片制造產(chǎn)能未能跟上市場需求的步伐,在2019年出現(xiàn)了CPU大缺貨的局面,這也在客觀上給了AMD迅速追趕的機會。為了遏制這一態(tài)勢,近一年來,英特爾正在認真考慮將更多的芯片,特別是其核心產(chǎn)品CPU外包代工生產(chǎn),而具備接單實力的廠商,也只有臺積電和三星了。
論是臺積電還是三星都非??释玫接⑻貭柕挠唵危驗檫@會給它們帶來十分可觀的收入。由于存儲芯片市場疲軟,對三星的營收產(chǎn)生了很大影響,因此,三星的晶圓代工產(chǎn)能利用率下降,想尋找新客戶,英特爾是其主要的爭取對象,若能拿到英特爾的大單,無疑可進一步增強其今后與臺積電競爭的底氣和決心。英特爾將在2021年初宣布其芯片外包決定,而且可能不止一種方案。拭目以待吧。
目前,全球市場8英寸晶圓供給缺口近二成,使得相應代工產(chǎn)能非常吃緊,漲價聲音不斷。如果能夠抓住這一波晶圓代工市場產(chǎn)能短缺的行情,未來臺積電與三星的爭奪戰(zhàn)將更具看點。據(jù)悉,三星正考慮針對旗下的8英寸晶圓廠進行投資,以提高生產(chǎn)效率,滿足市場需求。
花費大筆資金改造老舊產(chǎn)線,能否產(chǎn)出與之匹配的效益?三星的這一投資計劃也遭到了部分的質(zhì)疑。不過,考慮到8英寸晶圓業(yè)務占據(jù)公司較高比例的營收,三星仍在積極推進這一行動。而臺積電的8英寸晶圓業(yè)務所占比例較小,如果三星能夠抓住這一波市場機遇,則有望縮小與臺積電之間的市占率之差。
臺積電一直以來在價格上比較強悍,而三星過往都有可能以低于臺積電20-35%的價格來搶單。而且相對于臺積電而言,三星在資金籌集方面具有優(yōu)勢,因為該公司能夠通過其他業(yè)務部門的獲利來進行投資。三星最大的致命傷是作為一個IDM半導體業(yè)者,同時又身兼晶圓代工,若是有手機芯片IC設計業(yè)者要來下單,難免會擔心企業(yè)的商業(yè)機密被竊取,而這一點一直是三星的罩門。
三星不僅擁有晶圓代工技術,同時也具備記憶體優(yōu)勢,因此近期端出了3D IC封裝技術X-Cube,該技術采用硅穿孔科技(through-silicon Via,TSV ),除了能塞入更多的記憶體、讓資訊的傳輸路徑大幅縮短外,同時也可加快數(shù)據(jù)傳送速度跟能源效益,能滿足5G、AI甚至是高效能運算的需求,X-Cube將可用于7納米跟5納米先進制程上。
不只是三星,臺積電在今年技術論壇上也推出3D硅堆疊與先進封裝技術家族的3D Fabric平臺,包括CoWoS、整合型扇出(InFo)以及系統(tǒng)整合芯片(TSMC-SoIC)等,都是透過異構整合的方式搶進高級封裝市場,滿足顧客需求的技術。
2018年裸退的臺積電創(chuàng)辦人張忠謀,將三星視為“可畏的對手”,他在去年接受媒體專訪,提及對手三星時直言:臺積電跟三星的戰(zhàn)爭絕對還沒結束,我們只是贏了一、兩場battle(戰(zhàn)役),整個war(戰(zhàn)爭)還沒有贏。
或許三納米轉(zhuǎn)換架構只是一個開端,接著不僅有下一代、還有下下一代的技術節(jié)點要跟臺積電進行肉搏戰(zhàn),同時半導體隨著5G時代的到來而產(chǎn)生出各種全新的應用,如第三代化合物半導體等,對不論是臺積電或三星而言,絕對都是全新的功課。三星都還在努力中,臺積電又怎能輕易松懈。這場雙雄的斗爭結果會如何,大家都還在看。
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