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          什么是3D XPoint?為什么它無人能敵卻又前景堪憂?

          作者:陳玲麗 時間:2021-05-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          近日,宣布將出售位于猶他州Lehi市的存儲芯片工廠,計劃在2021年底前完成出售,并退出技術(shù)業(yè)務(wù)。這一決定,使得這項(xiàng)新型存儲技術(shù)的前景更加黯淡。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202105/425827.htm

          3D Xpoint技術(shù)是共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù)。據(jù)悉,3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計算,比NAND閃存速度提升1000倍,耐用性也更高,使得在靠近處理器的位置存儲更多的數(shù)據(jù)成為可能,可填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。

          目前存儲器存在的一些問題

          拋開和處理器緊密相關(guān)的高速緩存和寄存器不說,先來看內(nèi)存和外部存儲這兩個級別。目前我們使用的內(nèi)存主要是DRAM:DRAM的核心問題是易失性,其它方面的表現(xiàn)優(yōu)秀 —— 比如在性能上DRAM的延遲很低(納秒級別)、帶寬較為充裕;壽命方面由于原理所致,DRAM壽命很長。

          不過,DRAM的存儲需要不停供電,斷電就會丟失存儲的數(shù)據(jù)。從DRAM被發(fā)明出來到現(xiàn)在,DRAM只是不斷地在預(yù)取值和總線上進(jìn)行調(diào)整,核心的存儲架構(gòu)其實(shí)變化不大。

          再來看目前廣泛應(yīng)用于存儲設(shè)備的NAND閃存。NAND閃存分為SLC、MLC、TLC等多種分支顆粒。從壽命上說,NAND是有平均讀寫次數(shù)的壽命的,即使是性能最好的SLC NAND顆粒,其壽命也比DRAM小得多。雖然可以通過設(shè)置緩沖空間、平衡磨損算法、提前設(shè)置壽命預(yù)警來確保NAND不會在使用時“掉鏈子”、引發(fā)數(shù)據(jù)丟失,但壽命依舊是NAND在使用中不可回避的問題。

          此外,受制于存儲原理,NAND延遲較高,尤其是寫入時存在充電時間,怎么也快不起來,目前只能被用作外部存儲設(shè)備。但在今天,由于之前有性能更低的HDD機(jī)械硬盤的存在,基于NAND顆粒的SSD仍舊讓用戶感受到了性能的巨大提升。

          實(shí)際上內(nèi)存和外部存儲之間的性能差距過大,已經(jīng)成為影響用戶體驗(yàn)繼續(xù)提升的瓶頸。所以研究機(jī)構(gòu)一直在提出很多解決方案,試圖解決這個鴻溝,比如相變存儲器、賽道存儲器、全新的高速磁存儲設(shè)備等。直到作為存儲業(yè)界的領(lǐng)軍企業(yè)之一的和美光,終于將其中一種全新的存儲技術(shù)推向了前臺,這種技術(shù)同時擁有高性能和非易失性兩種特性,這就是今天的主角:。

          3D Xpoint技術(shù)發(fā)展歷程

          美光與于2006年開始合作研發(fā)。猶他州Lehi工廠也是美光與英特爾于2006年開始合作后建設(shè)的。然而,這項(xiàng)新型存儲技術(shù)一路行業(yè)波折不斷。歷經(jīng)10年的研發(fā)周期后,英特爾與美光于2016年正式發(fā)布3D Xpoint技術(shù)。

          2017年,英特爾推出基于3D Xpoint的存儲設(shè)備傲騰系列。2018年,由于對下一代技術(shù)的發(fā)展認(rèn)識不一致,美光與英特爾達(dá)成協(xié)議,在完成第二代3D Xpoint的開發(fā)后結(jié)束在3D Xpoint上的合作,各自開發(fā)基于3D Xpoint 技術(shù)的第三代產(chǎn)品。2019 年,美光購買了英特爾在Lehi工廠的股份,英特爾與美光簽署代工協(xié)議在Lehi工廠生產(chǎn)。但是英特爾的傲騰系列并不足以充分利用Lehi工廠的產(chǎn)能,美光每年的非GAAP運(yùn)營利潤要因此遭受超過4億美元的損失,使得美光最終決定出售該廠。不過,美光仍將保留其手上與3D XPoint相關(guān)的所有知識產(chǎn)權(quán)。

          回顧存儲的發(fā)展歷程,3D Xpoint是自NAND Flash推出以來,最具突破性的一項(xiàng)存儲技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢,3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者:

          · 比NAND Flash快1000倍

          · 成本只有DRAM的一半

          · 使用壽命是NAND的1000倍

          · 密度是傳統(tǒng)存儲的10倍

          3D XPoint工作原理

          3D XPoint工作原理和NAND有本質(zhì)不同。和NAND相比,NAND通過向絕緣浮柵壓入一定數(shù)量的電子從而區(qū)分比特值,3D XPoint是基于阻抗的技術(shù),通過大量屬性的變化去改變單元的阻抗值,以此來區(qū)分0和1。3D XPoint的結(jié)構(gòu)非常簡單,其由一個選擇器(selector)和一個存儲單元組成,兩者位于一根Wordline和Bitline之間(Crosspoint由此得名)。

          在Wordling和Bitliane上加載一個特定電壓值就激活了一個選擇器,使得其中的存儲單元做一個寫操作(即在單元介質(zhì)大量的屬性改變)或讀操作(允許電流通過,檢查存儲單元的阻抗值代表高或低)。

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          3D XPoint工作原理示意圖

          當(dāng)下業(yè)界普遍將希望寄托在EUV身上,而英特爾與美光則稱3D XPoint將(不出所料)兼容EUV光刻,而且存儲單元設(shè)計尺寸可以最大縮水至個位數(shù)納米級別,同時不會對使用幫助/可靠性造成顯著影響(事實(shí)上,隨著物理尺寸的下降,其在某些方面反而有所改善)。

          不過在未來幾年內(nèi),恐怕仍然無法利用EUV實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。首批EUV生產(chǎn)的主要重心也將放在邏輯層面,這一方面是因?yàn)槠湓O(shè)備成本實(shí)在太過高昂,另一方面也是因?yàn)檫壿嫙o法像記憶體般進(jìn)行垂直綻放、因此可能導(dǎo)致散熱問題。
          從理論層面講,3D XPoint也支持多層單元設(shè)計,但英特爾與美光雙方目前并不打算追求這條路線。雖然在實(shí)驗(yàn)室當(dāng)中實(shí)現(xiàn)多個電阻層級并不是件太難的事,但其實(shí)際難度還是要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于保證生產(chǎn)的數(shù)萬片晶圓當(dāng)中、每個晶粒都具備必要的特性以實(shí)現(xiàn)雙層單元操作。
          了解了3D XPoint的基本工作原理,看起來似乎很簡單。但實(shí)際情況遠(yuǎn)遠(yuǎn)比上文描述的復(fù)雜。尤其是特殊的電壓差和特定的材料,目前尚沒有第三家廠商掌握其中的原理。

          3D XPoint技術(shù)的“定位”

          據(jù)英特爾給出的說法是,3D XPoint并不是用于徹底替代DRAM和NAND的技術(shù),它的定位是計算機(jī)存儲中的一個新的層級,可以在不同的應(yīng)用領(lǐng)域增強(qiáng)目前的存儲結(jié)構(gòu)體系。

          從英特爾給出的延遲數(shù)據(jù)來看,3D XPoint產(chǎn)品的讀取延遲大約在10納秒級別(寫入延遲更長一些),和DRAM最低可達(dá)幾納秒還存在一點(diǎn)點(diǎn)差距,但遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于NAND的微秒級別;壽命方面,3D XPoint的壽命約為百萬級讀寫次數(shù),相比NAND中MLC的數(shù)千次讀寫提升了幾個數(shù)量級,當(dāng)然,和DRAM還是沒法比;帶寬方面,多通道技術(shù)的應(yīng)用使得3D XPoint在帶寬上并不存在什么劣勢。

          在英特爾的官方宣傳中,3D XPoint擁有NAND類似的容量和DRAM類似的性能。包括比NAND速度快(應(yīng)該是指延遲低)1000倍以上,壽命是NAND的1000倍以上,數(shù)據(jù)密度則達(dá)到了DRAM的十倍以上。

          英特爾認(rèn)為,這樣的性能可以讓用戶根據(jù)不同的需求來選擇新的存儲系統(tǒng)組合,比如可以選擇組成DRAM+3DXPoint+NAND三級存儲系統(tǒng),或者是3D XPoint接管DRAM+NAND,亦或者組成DRAM+3D XPoint的方案,甚至也可以是3D XPoint+NAND的系統(tǒng),不同方案的成本、側(cè)重點(diǎn)和性能都有所不同,結(jié)局是開放性的,并沒有氣勢洶洶地取代誰,而是根據(jù)市場選擇來搭配合適的方案。

          一般來說,一個產(chǎn)品的市場定位是由其在市場中所處的性能位置所決定的。目前3D XPoint的性能定位在DRAM之下、NAND之上,但是更偏向于DRAM,因此也應(yīng)該具有類似的市場定位。考慮到目前DRAM的價格,可以說3D XPoint的價格應(yīng)該不會太便宜。

          另一方面,英特爾自己也有龐大的NAND工廠和不小的市場份額,3DXPoint無論從技術(shù)上還是商業(yè)利益上來看,都不會在目前這個時候去搶NAND的飯碗。而如果從企業(yè)級和消費(fèi)級來劃分,按照慣例,產(chǎn)品成熟后,英特爾顯然會更傾向于將這一新技術(shù)首先運(yùn)用于面向利潤較高的企業(yè)級產(chǎn)品中。

          3D XPoint技術(shù)的應(yīng)用

          得益3D Xpoint技術(shù)的自身優(yōu)勢,它能被廣泛應(yīng)用在游戲、媒體制作、基因組測序、金融服務(wù)交易和個體化治療等領(lǐng)域。下面介紹3D Xpoint的一些應(yīng)用示例,我們可以看出,3D Xpoint未來的應(yīng)用非常有潛力。

          · 3D XPoint最直接的應(yīng)用將是作為DRAM和SSD之間的中間層:在計算機(jī)歷史中,在存儲器和處理器間構(gòu)建了許多中間層、比片上緩存、片下緩存、緩存SSD等,3D XPoint內(nèi)存作為存儲介質(zhì)很適合這個分層結(jié)構(gòu),可以填補(bǔ)DRAM和現(xiàn)今最快速的非易失性存儲之間的空白。當(dāng)作為另一層緩存,3D XPoint可以進(jìn)一步加速目前受限于容量或者存儲器延遲的應(yīng)用。

          · 使用3D XPoint的服務(wù)器:英特爾和美光迫不及待地指出了這個技術(shù)在“大型科學(xué)”上的應(yīng)用,此類項(xiàng)目和系統(tǒng)有大型強(qiáng)子對撞機(jī)和Oak Ridge公司的Titan超級計算機(jī),這些設(shè)備會產(chǎn)生巨量的數(shù)據(jù)。然而處理器遇到了麻煩,如何處理所有這些的數(shù)據(jù)是首要和最重要的需求,把數(shù)據(jù)傳給處理器同樣也是大問題。如果獨(dú)立處理器可以像訪問DRAM那樣訪問SSD級別容量的數(shù)據(jù)池,任何收益于此機(jī)制的分析系統(tǒng)都可以從3D XPoint獲益。

          · 金融行業(yè)可能會率先采用3D XPoint:因?yàn)榻鹑谛袠I(yè)最傾向于使用重要的技術(shù),以使得自己在高度競爭和賺錢的領(lǐng)域中占據(jù)領(lǐng)先。從這個角度而言,3D XPoint倒不會增加太多處理速度,數(shù)據(jù)處理工作已經(jīng)盡可能部署到大容量DRAM池中了,但是3D XPoint可以讓交易員和分析師更高效地運(yùn)行大數(shù)據(jù)集模擬程序。

          由于3D XPoint是一個前所未有的技術(shù),不可能一次想到所有將來3D XPoint的潛在應(yīng)用。3D XPoint有潛力改變現(xiàn)代計算機(jī)體系架構(gòu)和我們看待計算的方式,但這種轉(zhuǎn)換并非一夜之間,可能也需要其他廠商有相應(yīng)的競爭技術(shù)去滿足需求。然而很明確的一點(diǎn)是,3D XPoint很可能會把我們帶入內(nèi)存和計算的一個新時代。

          3D XPoint技術(shù)還有很多可以咀嚼消化。盡管DRAM和NAND在幾十年中已經(jīng)改進(jìn)并縮小了很多,但3D XPoint的發(fā)布仍然算得上是自1989年發(fā)明NAND以來存儲行業(yè)前所未有的大事件。3D XPoint實(shí)際上是一個全新種類的存儲器。其速度快,耐用,可擴(kuò)展并且非易失,而DRAM和NAND各自只能達(dá)到其中兩個標(biāo)準(zhǔn)。3D XPoint填補(bǔ)了DRAM和NAND之間的空白,利用這兩種技術(shù)最佳的特性創(chuàng)造出了我們從未見過的一種內(nèi)存。

          3D XPoint尚需克服的技術(shù)難點(diǎn)

          美光決定退出3D Xpoint,與該技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程不佳有著重要關(guān)系。據(jù)悉,目前只有英特爾的傲騰系列采用3D Xpoint技術(shù)。美光曾公布了幾款基于3D XPoint閃存芯片的存儲設(shè)備,例如X100,但一直沒有正式上市。此外,3D Xpoint一直沒能成功建立起完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。美光公司首席商務(wù)管蘇米特·薩達(dá)納在接受媒體采訪時曾表示,很多客戶對X100并不滿意,因?yàn)樗麄儽仨氈貙懘蟛糠周浖拍芾眯滦蛢?nèi)存,因此該款產(chǎn)品發(fā)售數(shù)量非常有限。

          未來,3D Xpoint技術(shù)將會如何發(fā)展頗為引人關(guān)注。據(jù)悉,英特爾將在新墨西哥州的晶圓廠中為自己的傲騰產(chǎn)品線生產(chǎn)3D XPoint芯片。雖然英特爾已經(jīng)將NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士,但仍可能接盤美光Lehi工廠以保證自己產(chǎn)品線的供應(yīng)。畢竟英特爾在數(shù)據(jù)中心等企業(yè)產(chǎn)品線中仍然提供使用3D XPoint技術(shù)的相關(guān)產(chǎn)品。但是,如果3D Xpoint僅僅停留在這種商業(yè)化程度,這項(xiàng)新型存儲技術(shù)的前景依然不夠明朗。

          目前,3D XPoint想要大規(guī)模量產(chǎn)仍有一些挑戰(zhàn)需要克服。首先,3D XPoint需要用到大約100種新的制造原料。在這些原料中,有些原料目前的供應(yīng)量非常有限,因此需要仔細(xì)調(diào)整供應(yīng)鏈。

          其次,由于3D Xpoint需要更多道工序,加工廠需要把廠房用地以及初始資本增加大約3到5倍。例如,生產(chǎn)第一代3D XPoint內(nèi)存需要占地2.5平方米的濕加工設(shè)備能在每小時處理180塊晶圓,而到了第二代3D XPoint就需要占地相同的設(shè)備每小時處理1000塊晶圓,3D XPoint加大了加工廠對于廠房和資本的需求。另外,3D XPoint也需要生產(chǎn)力更強(qiáng)的設(shè)備。

          以上的挑戰(zhàn)都增加了3D XPoint的成本。然而,對于3D XPoint市場,成本是關(guān)鍵。第二代3D XPoint可以實(shí)現(xiàn)四層層疊,而其售價大約是DRAM的一半。從目前的市場趨勢來看,如果3D XPoint的成本沒法做到DRAM的一半以下,消費(fèi)者會更傾向于使用DRAM而不是3D XPoint。由于DRAM仍保持著每年大約30%的成本下降速度,3D XPoint想要保持成本比DRAM低一半的難度并不小。

          除了3D XPoint自身的技術(shù)難點(diǎn)外,來自于其他新內(nèi)存技術(shù)的挑戰(zhàn)也不容小覷。

          例如,軟件NVDIMM-P就是一個有力的挑戰(zhàn)者。軟件NVDIMM-P使用軟件算法來預(yù)測數(shù)據(jù)的訪問頻率,并依據(jù)訪問頻率的預(yù)測把數(shù)據(jù)存放到DRAM(存放高訪問頻率數(shù)據(jù))或NAND(訪問低訪問頻率數(shù)據(jù))中。這樣的技術(shù)可以平衡成本和性能,因?yàn)镈RAM訪問速度較快但是成本高,而NAND成本低存儲密度大但是訪問速度較慢。顯然,軟件NVDIMM-P的綜合性能取決于軟件算法和應(yīng)用場合,在有些應(yīng)用中軟件NVDIMM-P算法的預(yù)測準(zhǔn)度較高但是在另一些應(yīng)用中數(shù)據(jù)的訪問頻率卻很難預(yù)測。

          3D Super-NOR也非常有潛力。3D Super-NOR技術(shù)使用3D堆疊技術(shù)并能提供很低的延遲。而且,3D Super-NOR的制造工藝相比3D XPoint來說要簡單,并不需要新材料。3D Super-NOR的制造商BeSang宣稱3D Super-Nor可以實(shí)現(xiàn)成本比3D XPoint低十倍,當(dāng)然我們?nèi)匀恍枰?D Super-NOR真正量產(chǎn)才能驗(yàn)證它能否取代3D XPoint。

          3D XPoint的市場潛力巨大,然而其復(fù)雜的制造工藝導(dǎo)致成本居高不下,在近期3D XPoint仍然很難取代DRAM。但我們應(yīng)該保持樂觀的態(tài)度。



          關(guān)鍵詞: 3D XPoint 美光 英特爾

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