美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術創(chuàng)新

近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創(chuàng)新產品，并推出業(yè)界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產品和創(chuàng)新技術體現(xiàn)了美光通過內存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據驅動洞察的愿景，從而助力數(shù)據中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據經濟潛能方面的核心作用。

在新的數(shù)據經濟背后，有一些最基本的推動力量，其中人工智能（AI）和5G是兩個最為關鍵的創(chuàng)新驅動因素。這兩個技術如今正在起步，為未來十年積累發(fā)展能量。AI與5G的結合在未來幾年可以創(chuàng)造一些新的機會和創(chuàng)新，是現(xiàn)在大家所難以想象的。所有的這些創(chuàng)新會帶來顛覆性的力量，大大改變并提升我們面向所有終端市場的價值主張：不僅是手機、筆記本電腦這些客戶端設備，還有智能邊緣 (Intelligent Edge)，包括自動駕駛汽車和工業(yè)物聯(lián)網。
美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana評價這些發(fā)展趨勢時表示，“對美光來說是非常振奮的消息，因為它也帶來了對內存和存儲技術與產品的需求。我們的產品覆蓋不同的市場領域，我們也是內存和存儲領域的龍頭企業(yè)。最令人感到興奮的是，內存和存儲技術在數(shù)據經濟中被賦予了新的定義。半導體行業(yè)在快速增長，行業(yè)增速持續(xù)高于全球GDP，而內存和存儲是半導體行業(yè)增長最快的領域。”

得益于開發(fā)和制程工程師和團隊在176層技術領域贏得市場先機，美光此次宣布量產的首批基于全球首款 176 層 NAND 的 PCIe? 4.0 固態(tài)硬盤 (SSD)共有兩款，Micron 3400高性能 NVMe和Micron 2450實惠型 NVMe SSD。其中Micron 3400的容量最高可以達到2TB，它的性能可以滿足最嚴格、最極端的工作負載；而Micron 2450則提供高達1TB的存儲，為日常使用創(chuàng)造卓越的用戶體驗。它的體積很小，只有22×30mm，和25美分的大小差不多。除了采用美光176層NAND之外，這兩款SSD還具備美光先進的低功耗性能，讓用戶在外享有全天的計算能力而無需使用充電器。

Micron 3400、Micron 2450 具備設計靈活、高性能、低功耗等特點，可支持從專業(yè)工作站到超薄筆記本應用的全天候使用。Micron 3400 固態(tài)硬盤提供 2 倍讀吞吐量，最大寫吞吐量提高了 85% ，可滿足實時 3D 渲染、計算機輔助設計 (CAD)、游戲、動畫等要求嚴苛的應用需求。Micron 2450 固態(tài)硬盤最大限度發(fā)揮了 PCIe 4.0 的性能，為用戶提供高響應速度體驗，且提供三種外形尺寸，最小僅為 22x30mm 的 M.2 規(guī)格，為客戶產品設計賦予極大的靈活性。

工藝在存儲顆粒方面具有非常重要的技術競爭優(yōu)勢，美光一直引領著存儲工藝的變革。大約一年前美光在業(yè)界首先實現(xiàn)了1z納米制程，鞏固了在DRAM領域持續(xù)保持領先的地位。而現(xiàn)在美光在6月份利用1α 節(jié)點制程實現(xiàn)產品的量產出貨。美光科技高級副總裁兼計算與網絡事業(yè)部總經理Raj Hazra介紹，“過去幾十年來，美光首次在DRAM和NAND領域實現(xiàn)同時領先。這一點的重要性不僅在于LPDDR4x的進一步技術演進，而是在基礎架構層集成了DDR以及LPDDR優(yōu)化，并通過1α的制程技術釋放它的潛力，在移動功耗方面帶來驚人的提升，相比1z節(jié)點，電池的使用壽命和續(xù)航時間會更長，尺寸會更加精簡，用戶體驗會更好。這確實是一個大躍進，在移動時代特別如此，可以讓這些移動設備更好的發(fā)揮性能?！?br/>另一方面，1α制程也是DDR4的重要基礎，LPDDR4x 是第四代低功耗 DRAM 的最新 JEDEC 標準，由于 I/O 電壓性能增強，功耗大幅降低，因此非常適用于移動計算設備。美光在業(yè)內首次批量出貨基于1α節(jié)點的DDR4，在數(shù)據中心平臺進行了廣泛驗證，且已經正式量產，很快就可以到達數(shù)據中心的客戶手上。重要的是1α制程與1z制程相比，內存密度增加40%。

此外，美光在其 DDR5 技術賦能計劃 (TEP，Technology Enablement Program) 方面也取得了重大進展，該計劃于 2020 年啟動，旨在加快市場對 DDR5 的采用，并為生態(tài)系統(tǒng)明年廣泛使用支持 DDR5 的平臺做好準備。目前，該計劃已經吸引了包括系統(tǒng)和芯片服務商、渠道合作伙伴、云服務提供商和原始設備制造商在內的 100 多家業(yè)界頭部企業(yè)的 250 余位設計和技術領導參與。