美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過(guò)內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲(chǔ)在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。

在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后，有一些最基本的推動(dòng)力量，其中人工智能（AI）和5G是兩個(gè)最為關(guān)鍵的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)因素。這兩個(gè)技術(shù)如今正在起步，為未來(lái)十年積累發(fā)展能量。AI與5G的結(jié)合在未來(lái)幾年可以創(chuàng)造一些新的機(jī)會(huì)和創(chuàng)新，是現(xiàn)在大家所難以想象的。所有的這些創(chuàng)新會(huì)帶來(lái)顛覆性的力量，大大改變并提升我們面向所有終端市場(chǎng)的價(jià)值主張：不僅是手機(jī)、筆記本電腦這些客戶端設(shè)備，還有智能邊緣 (Intelligent Edge)，包括自動(dòng)駕駛汽車和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)。
美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana評(píng)價(jià)這些發(fā)展趨勢(shì)時(shí)表示，“對(duì)美光來(lái)說(shuō)是非常振奮的消息，因?yàn)樗矌?lái)了對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù)與產(chǎn)品的需求。我們的產(chǎn)品覆蓋不同的市場(chǎng)領(lǐng)域，我們也是內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。最令人感到興奮的是，內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù)在數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)中被賦予了新的定義。半導(dǎo)體行業(yè)在快速增長(zhǎng)，行業(yè)增速持續(xù)高于全球GDP，而內(nèi)存和存儲(chǔ)是半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域?！?br/>
得益于開(kāi)發(fā)和制程工程師和團(tuán)隊(duì)在176層技術(shù)領(lǐng)域贏得市場(chǎng)先機(jī)，美光此次宣布量產(chǎn)的首批基于全球首款 176 層 NAND 的 PCIe? 4.0 固態(tài)硬盤 (SSD)共有兩款，Micron 3400高性能 NVMe和Micron 2450實(shí)惠型 NVMe SSD。其中Micron 3400的容量最高可以達(dá)到2TB，它的性能可以滿足最嚴(yán)格、最極端的工作負(fù)載；而Micron 2450則提供高達(dá)1TB的存儲(chǔ)，為日常使用創(chuàng)造卓越的用戶體驗(yàn)。它的體積很小，只有22×30mm，和25美分的大小差不多。除了采用美光176層NAND之外，這兩款SSD還具備美光先進(jìn)的低功耗性能，讓用戶在外享有全天的計(jì)算能力而無(wú)需使用充電器。

Micron 3400、Micron 2450 具備設(shè)計(jì)靈活、高性能、低功耗等特點(diǎn)，可支持從專業(yè)工作站到超薄筆記本應(yīng)用的全天候使用。Micron 3400 固態(tài)硬盤提供 2 倍讀吞吐量，最大寫(xiě)吞吐量提高了 85% ，可滿足實(shí)時(shí) 3D 渲染、計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì) (CAD)、游戲、動(dòng)畫(huà)等要求嚴(yán)苛的應(yīng)用需求。Micron 2450 固態(tài)硬盤最大限度發(fā)揮了 PCIe 4.0 的性能，為用戶提供高響應(yīng)速度體驗(yàn)，且提供三種外形尺寸，最小僅為 22x30mm 的 M.2 規(guī)格，為客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)賦予極大的靈活性。

工藝在存儲(chǔ)顆粒方面具有非常重要的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，美光一直引領(lǐng)著存儲(chǔ)工藝的變革。大約一年前美光在業(yè)界首先實(shí)現(xiàn)了1z納米制程，鞏固了在DRAM領(lǐng)域持續(xù)保持領(lǐng)先的地位。而現(xiàn)在美光在6月份利用1α 節(jié)點(diǎn)制程實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的量產(chǎn)出貨。美光科技高級(jí)副總裁兼計(jì)算與網(wǎng)絡(luò)事業(yè)部總經(jīng)理Raj Hazra介紹，“過(guò)去幾十年來(lái)，美光首次在DRAM和NAND領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)同時(shí)領(lǐng)先。這一點(diǎn)的重要性不僅在于LPDDR4x的進(jìn)一步技術(shù)演進(jìn)，而是在基礎(chǔ)架構(gòu)層集成了DDR以及LPDDR優(yōu)化，并通過(guò)1α的制程技術(shù)釋放它的潛力，在移動(dòng)功耗方面帶來(lái)驚人的提升，相比1z節(jié)點(diǎn)，電池的使用壽命和續(xù)航時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)，尺寸會(huì)更加精簡(jiǎn)，用戶體驗(yàn)會(huì)更好。這確實(shí)是一個(gè)大躍進(jìn)，在移動(dòng)時(shí)代特別如此，可以讓這些移動(dòng)設(shè)備更好的發(fā)揮性能。”
另一方面，1α制程也是DDR4的重要基礎(chǔ)，LPDDR4x 是第四代低功耗 DRAM 的最新 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，由于 I/O 電壓性能增強(qiáng)，功耗大幅降低，因此非常適用于移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。美光在業(yè)內(nèi)首次批量出貨基于1α節(jié)點(diǎn)的DDR4，在數(shù)據(jù)中心平臺(tái)進(jìn)行了廣泛驗(yàn)證，且已經(jīng)正式量產(chǎn)，很快就可以到達(dá)數(shù)據(jù)中心的客戶手上。重要的是1α制程與1z制程相比，內(nèi)存密度增加40%。

此外，美光在其 DDR5 技術(shù)賦能計(jì)劃 (TEP，Technology Enablement Program) 方面也取得了重大進(jìn)展，該計(jì)劃于 2020 年啟動(dòng)，旨在加快市場(chǎng)對(duì) DDR5 的采用，并為生態(tài)系統(tǒng)明年廣泛使用支持 DDR5 的平臺(tái)做好準(zhǔn)備。目前，該計(jì)劃已經(jīng)吸引了包括系統(tǒng)和芯片服務(wù)商、渠道合作伙伴、云服務(wù)提供商和原始設(shè)備制造商在內(nèi)的 100 多家業(yè)界頭部企業(yè)的 250 余位設(shè)計(jì)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)參與。