拆解報(bào)告:內(nèi)置氮化鎵芯片,華為66W多口超級(jí)快充拆解!
近日,華為官方商城上架了一款66W氮化鎵多口超級(jí)快充充電器,這也是華為官方推出的第二款氮化鎵快充充電器,而華為首款65W氮化鎵快充充電頭網(wǎng)此前已做了詳細(xì)評(píng)測(cè)和深度拆解。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202108/427269.htm相較上一代65W 1A1C氮化鎵快充而言,新品采用了完全不同的外觀風(fēng)格,長(zhǎng)條機(jī)身并且配備了2A1C三個(gè)接口,提升便攜性;性能方面也加入了66W超級(jí)快充協(xié)議,并支持65W PD快充輸出,不僅適用于旗下所有手機(jī)機(jī)型,而且也兼顧了筆記本電腦的充電需求。
目前華為這款最新的66W 2A1C氮化鎵超級(jí)快充充電器已經(jīng)抵達(dá)充電頭網(wǎng)編輯部,下面就對(duì)這款產(chǎn)品進(jìn)行拆解,為大家揭秘其中的結(jié)構(gòu)原理和用料。
一、華為66W多口氮化鎵超級(jí)快充外觀
純白色的包裝盒,正面印有充電器的外觀圖片,官方名稱:華為超級(jí)快充GaN多口充電器(Max 66W),支持PD協(xié)議設(shè)備充電,小巧便攜;右下角印有華為66W超級(jí)快充的標(biāo)志。
包裝盒背面是產(chǎn)品特點(diǎn)和參數(shù)信息。三大特點(diǎn)分別為:華為超級(jí)快充技術(shù)、多重安全保護(hù)、兩種輸出接口。
充電器為純白色長(zhǎng)條機(jī)身,表面采用烤漆亮面處理,摸上去非常光滑,標(biāo)配的是一個(gè)固定的國(guó)標(biāo)插腳。
機(jī)身正面印有66W以及HUAWEI SuperCharge字樣。
輸出端配的是兩個(gè)USB-A接口和一個(gè)USB-C接口。不過(guò)與常見(jiàn)的2A1C充電器不同的是,其中兩個(gè)橙色的1A1C接口隔得很近,外殼也是共用一個(gè)開(kāi)孔,每次只能使用其中一個(gè)接口給設(shè)備充電,從物理角度防止兩條線同時(shí)插入。另外一個(gè)紫色接口則是獨(dú)立的。
據(jù)華為官方的介紹信息,這兩個(gè)橙色接口不能同時(shí)對(duì)外供電,否則可能會(huì)引發(fā)設(shè)備損壞。
參數(shù)方面,充電器型號(hào)為P0003,輸入支持200-240V~50/60Hz,額定電流1.8A;輸出方面,UBS-A1(橙色)支持5V3A、10V4A、11V6A,USB-C(橙色)支持5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A,USB-A2(紫色)支持5V4A、10V2.25A。USB-A1和USB-A2同時(shí)輸出:40W+22.5W;USB-C和USB-A2同時(shí)輸出:40W+22.5W。
產(chǎn)品由華為終端有限公司制造,已經(jīng)通過(guò)CCC認(rèn)證。
尺寸方面,充電器不帶插腳的長(zhǎng)度約為62mm。
寬度約為31mm。
厚度同樣約為31mm。折算成功率密度,達(dá)到了1.11W/cm3,這對(duì)于多口快充產(chǎn)品而言,是非常高的一個(gè)水準(zhǔn)。
重量方面約為105g左右。
這樣的尺寸和體積,拿在手上顯得非常的小巧便攜。
性能方面,使用ChargerLAB POWER-Z KT002檢測(cè)橙色USB-A1接口的輸出協(xié)議,顯示支持Samsung 5V2A、DCP協(xié)議,以及QC2.0、FCP等快充協(xié)議。
USB-C接口除了支持USB-A1口的快充協(xié)議外,還兼容了USB PD3.0 PPS快充協(xié)議。
PDO報(bào)文顯示C口具備5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A五組固定電壓檔位,以及5.5-21V 3.25A的PPS電壓檔位。
紫色USB-A2接口支持Samsung 5V2A、DCP協(xié)議,以及QC2.0、FCP、SCP快充協(xié)議。
二、華為66W多口氮化鎵超級(jí)快充拆解
從輸出端的焊縫撬開(kāi)充電器的外殼,取出內(nèi)部PCB模塊,輸出接口側(cè)通過(guò)塑料骨架支撐絕緣。
充電器內(nèi)部PCB模塊整體采用了一塊金屬散熱片包裹,并用馬拉膠帶纏繞固定。
輸入端貼有兩塊減震棉,PCB板和插腳彈片接觸導(dǎo)通設(shè)計(jì)。
PCB模塊的長(zhǎng)度約為57.9mm。
寬度約為27.3mm。
寬度約為27mm。
繼續(xù)將外圍的金屬散熱片拆下,并將內(nèi)部注膠清除干凈。
PCB模塊采用了多塊PCB的組合結(jié)構(gòu),內(nèi)部布局非常緊湊,看起來(lái)比常規(guī)的快充更加復(fù)雜。輸入端設(shè)有一塊小板,側(cè)面是平面變壓器。
平面變壓器相比傳統(tǒng)繞線變壓器,雖然成本較高,但還是成為了高性能、高密度氮化鎵快充的首選。華為內(nèi)置的這個(gè)平面變壓器就發(fā)揮了小體積的優(yōu)勢(shì),并且還承載了同步整流的功能,讓內(nèi)部空間得到充分利用。
輸出端三個(gè)接口均設(shè)在獨(dú)立的小PCB板上,紫色USB-A2接口后面還有一塊小PCB板設(shè)置了一顆合金電感。
此外,側(cè)面的整流橋和Y電容也采用了一塊獨(dú)立的小PCB板。居中的是一顆電解電容,周身使用馬拉膠帶包裹絕緣,頂部也套上了塑料絕緣蓋子。
主PCB板上是一顆氮化鎵芯片和一顆光耦。
通過(guò)充電頭網(wǎng)的觀察分析發(fā)現(xiàn),這套方案基于高性能有源鉗位ACF開(kāi)關(guān)電源架構(gòu)開(kāi)發(fā),輸出端的三個(gè)接口中,橙色1A1C接口直接由協(xié)議芯片控制輸出,紫色的USB-A2接口則是需要通過(guò)一個(gè)DC-DC電路二次升降壓后,再由協(xié)議芯片控制輸出。
拆下輸入端的小板,上面設(shè)有三顆共模電感,并打膠固定,用于濾波EMI干擾。
輸入端設(shè)有一顆3.15A的貼片保險(xiǎn)絲。
此外還有一顆來(lái)自STE松田電子的安規(guī)X電容。
側(cè)面PCB板上的是整流橋和Y電容。
背面也是兩顆Y電容。
兩顆整流橋來(lái)自揚(yáng)杰科技,用于將高壓交流電變成高壓直流電,兩顆并聯(lián)可以降低分?jǐn)偘l(fā)熱,降低局部溫升。
高壓濾波電解電容采用CapXon豐賓品牌,規(guī)格400V 100μF。
主PCB板背面就是氮化鎵芯片,來(lái)自意法半導(dǎo)體的MASTERGAN1。這是一顆半橋氮化鎵芯片,內(nèi)置兩顆GaN功率器件以及驅(qū)動(dòng)器,采用9*9*1mm的QFN封裝,集成度非常高。650V耐壓,150mΩ導(dǎo)阻,工作電流10A。
得益于氮化鎵芯片內(nèi)部集成半橋驅(qū)動(dòng)器和GaN開(kāi)關(guān)管,可以大幅減少外圍的元件數(shù)量,同時(shí)方便PCB布局,實(shí)現(xiàn)靈活簡(jiǎn)潔快速的設(shè)計(jì)。這顆半橋氮化鎵芯片適用于開(kāi)發(fā)ACF和LLC架構(gòu)的高性能電源產(chǎn)品。
氮化鎵芯片旁邊是一顆光耦,東芝TLP383,用于輸出電壓調(diào)節(jié)及反饋。
平面變壓器外面包裹銅箔屏蔽層。這部分電路由意法半導(dǎo)體的氮化鎵芯片驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)降壓,同時(shí)次級(jí)側(cè)還設(shè)置了同步整流電路。
旁邊兩顆同步整流MOS管,為英飛凌品牌,BSC093N15NS,耐壓150V,導(dǎo)阻9.3mΩ,SuperSO8封裝。
平面變壓器背面次級(jí)側(cè)這邊設(shè)有兩顆貼片的疊層電容,用于同步整流輸出濾波。
兩顆疊層電容并聯(lián),規(guī)格一致,均為25V 33μF。
主PCB板上則設(shè)有一顆豐賓的固態(tài)電容濾波,規(guī)格為25V 560μF。
拆下橙色USB-A1接口。
背面設(shè)有一顆協(xié)議芯片和一顆MOS管。
USB-A口輸出VBUS開(kāi)關(guān)管特寫(xiě)。
接口兩側(cè)的彈片采用加寬設(shè)計(jì),以便大電流通過(guò)。
繼續(xù)拆解橙色的USB-C接口,這個(gè)USB-C接口與常見(jiàn)的有些區(qū)別,外面有一層金屬殼點(diǎn)焊固定。
USB-C接口所在的小PCB板背面是一顆協(xié)議芯片和一顆六腳芯片。
接口協(xié)議芯片同樣采用的是南芯SC2002。
六腳芯片特寫(xiě)。
C口旁邊是一顆輸出VBUS開(kāi)關(guān)管。
接口內(nèi)部舌片為16Pin設(shè)計(jì)。
繼續(xù)拆下紫色的USB-A2接口所在的PCB板,接口貼有膠帶防塵,旁邊的固態(tài)電容已經(jīng)被拆掉。
接口背面是協(xié)議芯片和輸出VBUS開(kāi)關(guān)管。
固態(tài)電容來(lái)自豐賓,規(guī)格為16V 220μF,用于輸出濾波。
輸出VBUS開(kāi)關(guān)管,來(lái)自安世半導(dǎo)體。
紫色的接口兩側(cè)彈片均采用了加寬設(shè)計(jì)。
拆下所有的接口后,主PCB板的次級(jí)側(cè)還有一顆疊層電容和同步升降壓電路。
這顆疊層電容規(guī)格為25V 33μF。
升降壓電路的控制芯片采用的是南芯SC8701。這是一個(gè)同步4開(kāi)關(guān)降壓升壓控制器,它可以有效地輸出電壓,無(wú)論是高、低或等于輸入電壓。同時(shí)也支持非常寬的輸入和輸出電壓范圍,它可以支持2.7V到36V的輸入范圍和2V到36V的輸出范圍。驅(qū)動(dòng)器電壓設(shè)置為10V,以充分利用外部mosfet實(shí)現(xiàn)最高效率。通過(guò)使用升降壓電路支持USB-A口快充。
旁邊是四顆同步升降壓MOS管,對(duì)角的兩顆芯片品牌型號(hào)一致。
小板上有一顆合金電感。
4.7μH合金電感特寫(xiě),用于配合實(shí)現(xiàn)升降壓功能。
華為66W多口氮化鎵超級(jí)快充的拆解介紹完畢,最后來(lái)一張全家福。
充電頭網(wǎng)拆解總結(jié)
華為66W多口氮化鎵超級(jí)快充充電器也是華為入局GaN快充市場(chǎng)以來(lái),推出的第二款消費(fèi)類電源產(chǎn)品配件。充電器主打小巧便攜,通過(guò)氮化鎵技術(shù),以及緊湊的內(nèi)部設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了極致的體積,整體功率密度達(dá)到1.11W/cm3。
性能方面則是主打華為自家的超級(jí)快充以及USB PD快充,同時(shí)兼顧了QC2.0等快充,配備三個(gè)接口,并支持1A1C或者2A同時(shí)快充輸出,采用40W+22.5W的功率分配策略。
用料方面,充電器基于高性能有源鉗位ACF開(kāi)關(guān)電源架構(gòu),成為首款搭載國(guó)產(chǎn)ACF控制芯片并量產(chǎn)的氮化鎵快充,這也標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)ACF控制芯片技術(shù)走向成熟。
功率器件選用意法半導(dǎo)體的高集成雙氮化鎵合封芯片,一顆頂兩顆,節(jié)省PCB板空間占用;同時(shí)平面變壓器、疊層電容的使用,也為實(shí)現(xiàn)小體積方案作出了貢獻(xiàn)。
協(xié)議識(shí)別和DC-DC電路采用南芯全套控制器方案,三個(gè)接口均由南芯SC2002芯片控制,升降壓控制器則為南芯SC8701。內(nèi)置的電解電容和固態(tài)電容均為豐賓品牌,還使用高性能的疊片電容濾波,整體的用料非常講究。
評(píng)論