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          毛軍發(fā)院士:半導(dǎo)體異質(zhì)集成電路的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)

          作者:迎九 時(shí)間:2021-08-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
          編者按:在“2021世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國際半導(dǎo)體博覽會(huì)”的“高峰論壇”上,中國科學(xué)院院士,上海交通大學(xué)黨委常委、副校長毛軍發(fā)做了《半導(dǎo)體異質(zhì)集成電路》的報(bào)告,介紹了背景與意義,現(xiàn)狀與問題。

          1   背景與意義

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202108/427609.htm

          芯片現(xiàn)在有2 條主要發(fā)展路線:①延續(xù)摩爾定律;②繞道摩爾定律。摩爾定律現(xiàn)在面臨一些挑戰(zhàn),物理極限挑戰(zhàn);技術(shù)手段挑戰(zhàn);經(jīng)濟(jì)成本挑戰(zhàn)——光算經(jīng)濟(jì)賬都不得了。繞道摩爾定律有很多途徑,途徑之一是。

          1.1 的特點(diǎn)

          有2 類主要的半導(dǎo)體材料:①以硅為代表的元素半導(dǎo)體;②以砷化鎵等為代表的化合物半導(dǎo)體。這兩類半導(dǎo)體各有優(yōu)缺點(diǎn),從材料到電路優(yōu)點(diǎn)很突出,電路缺點(diǎn)也很突出(表1)。

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          現(xiàn)狀是一些復(fù)雜的電子系統(tǒng),如毫米波收發(fā)前端系統(tǒng),用任何單一的半導(dǎo)體工藝都較難完美實(shí)現(xiàn)(圖2),有些部件用SiGe 芯片,有些部件更適合用GaN 芯片,所以人們自然而然地想到有沒有一種辦法把不同節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體材料工藝結(jié)合起來。集成就具有這個(gè)功能。

          半導(dǎo)體異質(zhì)是將不同工藝節(jié)點(diǎn)的化合物半導(dǎo)體高性能器件或芯片、硅基低成本高集成器件組成芯片(都含光電子器件或芯片)與無源元件(含MEMS)或天線,通過異質(zhì)鍵合或外延生長等方式集成而實(shí)現(xiàn)的集成電路或系統(tǒng)。

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          圖1 中國科學(xué)院院士,上海交通大學(xué)黨委常委、副校長毛軍發(fā)

          異質(zhì)集成特色很突出:①可以融合不同的半導(dǎo)體材料、工藝、結(jié)構(gòu)和元器件或芯片的優(yōu)點(diǎn);②采用系統(tǒng)設(shè)計(jì)理念;③應(yīng)用先進(jìn)技術(shù),例如IP 和小芯片(chiplet),以及集成無源器件等新技術(shù);具有2.5 維或3 維高密度結(jié)構(gòu)。正因?yàn)檫@些特色,所以異質(zhì)集成的優(yōu)點(diǎn)很突出:①實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的復(fù)雜功能、優(yōu)異的綜合性能,突破單一半導(dǎo)體工藝的性能極限;②靈活性大,可靠性高,研發(fā)周期短,成本低;③ 3 維集成可以實(shí)現(xiàn)小型化、輕質(zhì)化;④對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備要求相對(duì)比較低,不受EUV 光刻機(jī)限制,因此是“超越摩爾定律”的重要路線之一。

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          1.2 毫米波異質(zhì)集成電路

          在半導(dǎo)體異質(zhì)集成電路中有種特殊的集成電路:毫米波異質(zhì)集成電路。毫米波是從(30 ~ 300)GHz 的波段,帶寬很寬,而且器件小型化,所以也是國際上半導(dǎo)體異質(zhì)集成電路發(fā)展的重點(diǎn)方向。

          現(xiàn)在對(duì)異質(zhì)集成電路需求迫切,主要有3 個(gè)原因:①從5G、6G 到航天導(dǎo)航、無人駕駛、智能裝備、物聯(lián)網(wǎng)等都需要毫米波技術(shù);②毫米波系統(tǒng)包括數(shù)字電路、模擬電路、射頻微波電路,所以對(duì)于異質(zhì)集成的需求更加迫切;③毫米波異質(zhì)所面臨的挑戰(zhàn)和問題更為嚴(yán)峻和復(fù)雜:因?yàn)轭l率高,具有分布式參數(shù),從“路”向場演變,設(shè)計(jì)更加困難;波長短,模塊之間的間距只有微米量級(jí),集成度高,對(duì)工藝要求更加精細(xì);有電磁寄生效應(yīng),耦合緊密,測試更加復(fù)雜。

          研究半導(dǎo)體異質(zhì)集成的科學(xué)意義也是很顯著的??梢酝ㄟ^集成電路從目前單一同質(zhì)工藝向多種異質(zhì)工藝集成方向發(fā)展,從目前2 維平面集成向3 維立集成方向發(fā)展,從Top-Down(自頂向下)到Bottom-Up(自底向上)發(fā)展。

          它的意義與價(jià)值是可以實(shí)現(xiàn)高性能的復(fù)雜系統(tǒng)。首先是電子系統(tǒng)集成技術(shù)發(fā)展的新途徑;其次是后摩爾時(shí)代集成電路發(fā)展新方向;最后也是我國半導(dǎo)體集成電路變道超車發(fā)展的新機(jī)遇。

          2   現(xiàn)狀與問題

          2.1 國際上EDA、工藝、封裝的研究基礎(chǔ)和進(jìn)展國際上從EDA 工具到工藝,到封裝有一些研究基礎(chǔ)和進(jìn)展。

          ●   從工具來看,NAGS 開發(fā)了當(dāng)前異質(zhì)集成最先進(jìn)的工藝,這些工藝的功能包括版圖設(shè)計(jì)、電路綜合分析,而且是與業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)工藝兼容的。

          ●   從工藝來看,目前有4 種主流的半導(dǎo)體異質(zhì)集成工藝。最先進(jìn)也是難度最大的是異質(zhì)外延生長工藝,它是器件級(jí)的異質(zhì)集成;另外3 種包括異質(zhì)外延轉(zhuǎn)移、小芯片微米級(jí)組裝、異質(zhì)晶圓鍵合(是小系統(tǒng)級(jí)的集成),各有優(yōu)缺點(diǎn)。

          異質(zhì)集成電路樣品研究發(fā)展也有很多進(jìn)展。例如美國DRAPA 的SMART 項(xiàng)目中,研制出44 GHz 的毫米波雷達(dá)系統(tǒng),整個(gè)陣列厚度小于10 mm,功能密度相比傳統(tǒng)提高了2 個(gè)數(shù)量級(jí)。

          小芯片也有很多進(jìn)展,不管是互聯(lián)還是多種形式。例如英特爾和三星在2020 年IEDM 重要的半導(dǎo)體國際會(huì)議都發(fā)布了3 維異質(zhì)集成的產(chǎn)品。臺(tái)積電是以代工著稱,但是近幾年高度重視芯片的封裝集成的技術(shù),而且起點(diǎn)非常高,例如他們用最先進(jìn)的3D Fabric 制作出3 維堆疊的芯片——SoIC,達(dá)到12 層,還有臺(tái)積電用于智能手機(jī)的3D System。

          ●   封裝技術(shù)的重心正在慢慢從后端封裝廠移到前端半導(dǎo)體代工廠。芯片有一個(gè)摩爾定律,封裝集成有一個(gè)系統(tǒng)集成定律,指的是復(fù)雜電子系統(tǒng)中能夠集成的芯片數(shù)量、元器件數(shù)量也是每18 個(gè)月或2 年翻一番,功能提高1 倍,成本下降一半。圖3 是系統(tǒng)集成定律的曲線,可見更加陡峭。

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          圖3 集成電路摩爾定律與系統(tǒng)集成定律

          2.2 異質(zhì)集成發(fā)展藍(lán)圖(HIR)帶來的挑戰(zhàn)

          根據(jù)異質(zhì)集成發(fā)展藍(lán)圖(HIR)[ 注:以前叫國際半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖(ITRS),現(xiàn)在已停止發(fā)布了],總體趨勢也是集成度和工作速度不斷提高,特別是電子、光電、機(jī)械一體化集成,這也是重要的發(fā)展趨勢。這樣就帶來三大主要挑戰(zhàn):多物理調(diào)控(電磁、溫度、應(yīng)力);多性能協(xié)同(信號(hào)/ 電源完整性、熱、力……);多材質(zhì)融合(半導(dǎo)體硅、化合物半導(dǎo)體、Cu 等金屬、BCB材料……)。

          這三大挑戰(zhàn)就會(huì)引起4 個(gè)主要科技問題:①跨尺度電、熱、應(yīng)力多物理場緊密耦合;②多性能、多功能協(xié)同機(jī)制、電特性、應(yīng)力特性、熱特性往往是相互矛盾的,功能也需要協(xié)同;③由于不同的材料晶格、膨脹系數(shù)差異,需建立異質(zhì)界面動(dòng)力學(xué),認(rèn)識(shí)擴(kuò)散、成核、粘合機(jī)理,通過界面調(diào)控融合實(shí)現(xiàn)高可靠異質(zhì)集成。異質(zhì)集成受制于電、熱、應(yīng)力多物理特性,我們要認(rèn)識(shí)它們之間的內(nèi)在關(guān)系,從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體工藝量化設(shè)計(jì)與控制。目前的工藝主要是一些定性分析和量化,我們希望能夠從定性走向定量,這也是一個(gè)飛躍。④異質(zhì)集成電路可測性原理。因?yàn)槭? 維高密度集成,探測點(diǎn)很少,耦合效應(yīng)很嚴(yán)重,帶來了測試挑戰(zhàn),因此我們要掌握可測性原理,建立物理特性可測試的充分和必要認(rèn)知。

          針對(duì)這4 個(gè)問題,毛軍發(fā)院士等專家提出了總體研究思路:打破集成電路傳統(tǒng)“路”的思路,以耦合多物理場理論為基礎(chǔ),場、路結(jié)合,進(jìn)行多學(xué)科交叉,包括電子科學(xué)與技術(shù)、物理學(xué),特別是人工智能對(duì)電路的設(shè)計(jì),需要力學(xué)、化學(xué)、材料等多學(xué)科交叉開展研究(如圖4)。

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          圖4 總體研究思路

          3   成果與展望

          未來10 年研究目標(biāo),包括把光電子和電子集成在一起,這個(gè)難度更大,我們也希望能夠突破異質(zhì)生長工藝,讓軟件完全商業(yè)化。

          摩爾定律正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),這也是一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn),也是一個(gè)機(jī)遇。

          (本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2021年8月期)



          關(guān)鍵詞: 202108 異質(zhì) 集成電路

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