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          美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn):1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

          作者: 時(shí)間:2021-08-22 來(lái)源:ZOL 收藏

          三星、SK海力士及確定未來(lái)會(huì)用工藝,其中工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202108/427721.htm

          芯研所8月21日消息,CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后,光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及也確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。

          美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn),美光已將EUV技術(shù)納入技術(shù)藍(lán)圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始導(dǎo)入。美光EUV工藝將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn),預(yù)計(jì)2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

          此外,這個(gè)1γ工藝要更先進(jìn),10nm級(jí)別的內(nèi)存工藝中前三代是1x、1y、1z,再往后是1a、1β、1γ等。在美光之前,三星及SK海力士都更早進(jìn)入了EUV節(jié)點(diǎn),從去年底就開(kāi)始部署EUV光刻工藝了,而且比美光更激進(jìn),最快在1a工藝節(jié)點(diǎn)就會(huì)量產(chǎn)EUV內(nèi)存芯片。



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