TrendForce：俄烏沖突影響半導(dǎo)體氣體供應(yīng) 芯片成本恐上漲

TrendForce指出，俄烏沖突雖可能沖擊該烏克蘭地區(qū)惰性氣體供應(yīng)，但在半導(dǎo)體廠、氣體供應(yīng)廠皆備有庫存，且仍有其它地區(qū)供應(yīng)的情況下，短期內(nèi)不至于造成產(chǎn)線中斷影響產(chǎn)出，不過氣體供應(yīng)量減少仍將可能造成價格上漲，芯片生產(chǎn)成本可能因此上漲。

烏克蘭為半導(dǎo)體原料氣體供應(yīng)大國，包含氖、氬、氪、氙等，其中氖氣由烏克蘭供應(yīng)全球近七成產(chǎn)量，盡管氖氣在半導(dǎo)體制程當(dāng)中使用比重并不如其他產(chǎn)業(yè)，但其仍為必要原物料，若供應(yīng)受阻仍將對產(chǎn)業(yè)造成影響。

惰性氣體主要應(yīng)用于半導(dǎo)體微影制程，該制程線寬需進(jìn)一步微縮至220nm以下時，即開始進(jìn)入DUV（深紫外光）光源準(zhǔn)分子雷射世代，以惰性混合氣體與鹵素分子混合，藉由電子束能量激發(fā)產(chǎn)生深紫外光的波長，將制程推進(jìn)180nm以下線寬。

DUV準(zhǔn)分子雷射當(dāng)中所需要的惰性混合氣體就包含氖氣，且氖氣為混合氣體當(dāng)中的必要氣體，難以取代。而半導(dǎo)體微影制程當(dāng)中需要氖氣的制程主要為DUV曝光，制程節(jié)點涵蓋自8吋晶圓180nm至12吋晶圓1Xnm。

TrendForce研究顯示，晶圓代工方面，全球180~1Xnm產(chǎn)能占整體約75%，除有提供EUV先進(jìn)制程的臺積電（TSMC）及三星（Samsung）外，多數(shù)晶圓廠180~1Xnm營收占比超過九成，且自2020年起供貨極為緊張的零組件包含PMIC、Wi-Fi、RFIC、MCU等制造制程皆落在此區(qū)間。DRAM方面，除了美光（Micron）外，韓廠正逐步加大1alpha nm（使用EUV制程）占比，但目前仍有超過九成的產(chǎn)能采用DUV制程；而NAND Flash則全數(shù)采用DUV微影技術(shù)。