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          東芝電子元件及存儲裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET

          作者: 時間:2022-04-05 來源:美通社 收藏

          電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱“”)推出了(金屬氧化物半導體場效應晶體管)“TPH9R00CQH”。該產品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”,適用于工業(yè)設備的開關電源,包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設備。3月31日開始出貨。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202204/432754.htmTPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%,后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的150V產品。新款MOSFET結構的優(yōu)化改善了漏極-源極導通電阻之間的權衡(*2)和兩個電荷特性(*3),實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特點。此外,開關操作時漏極和源極之間的峰值電壓也有所降低,有助于降低開關電源的電磁干擾(EMI)。有兩種類型的表面貼裝封裝可供選擇,分別為:SOP Advance和SOP Advance (N),后一種更受歡迎。

          還提供支持開關電源電路設計的工具。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE型號外,現(xiàn)在還推出了高精度的G2 SPICE型號,可以準確地再現(xiàn)瞬態(tài)特性。

          東芝將擴大其產品陣容,通過減少損耗來提高設備的供電效率,幫助降低功耗。

          注:
          (*1) 截至2022年3月的東芝調查。
          (*2) 與目前的產品TPH1500CNH(U-MOSVIII-H系列)相比,該產品的漏源極導通電阻x柵極開關電荷提高了大約20%,漏源極導通電阻x輸出電荷提高了大約28%。
          (*3) 柵極開關電荷和輸出電荷

          應用領域

          • 通信設備的電源

          • 開關電源(高效直流-直流轉換器等)

          特點

          • 優(yōu)異的低損耗特性。
            (在導通電阻和柵極開關電荷與輸出電荷之間進行權衡)

          • 低導通電阻:RDS(ON)=9.0milliohms(最大)@VGS=10V

          • 通道溫度額定值高:Tch(最大)=175C



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