揚(yáng)杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品,采用SGT工藝
4月8日消息,揚(yáng)杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品,采用先進(jìn)的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工藝,針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等應(yīng)用設(shè)計(jì),優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時(shí),提升MOSFET抗沖擊電流能力。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202204/433065.htmN80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等,是其核心的功率控制部件。
揚(yáng)杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、N100V、N120V等多個(gè)SGT工藝系列產(chǎn)品,解決客戶的多種應(yīng)用需求。
產(chǎn)品特點(diǎn):
1.采用SGT工藝,極低的Rdson和優(yōu)異的開關(guān)特性,帶來更低的FOM,減小系統(tǒng)損耗。
2. 和傳統(tǒng)Trench工藝比Ciss/Qg參數(shù)都有大幅優(yōu)化,設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)時(shí)有更多選擇。
3.針對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用中的各種異常工作狀態(tài),優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS特性,提高系統(tǒng)可靠性。
電性參數(shù):
評(píng)論