開關(guān)電源MOS管有哪些損耗,如何減少M(fèi)OS管損耗
一、什么是開關(guān)電源
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202205/433891.htm開關(guān)模式電源(SwitchModePowerSupply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個位準(zhǔn)的電壓,透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備,例如個人電腦,而開關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。
二、開關(guān)損耗
開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。
1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止時,所產(chǎn)生的功率損耗。
2、開關(guān)損耗(Switching-Loss)包括開通損耗(Turn-onLoss)和關(guān)斷損耗(Turn-ofLoss),常常在硬開關(guān)(Hard-Switching)和軟開關(guān)(Soft-Switching)中討論。
所謂開通損耗(Turn-onLoss),是指非理想的開關(guān)管在開通時,開關(guān)管的電壓不是立即下降到零,而是有一個下降時間,同時它的電流也不是立即上升到負(fù)載電流,也有一個上升時間。在這段時間內(nèi),開關(guān)管的電流和電壓有一個交疊區(qū),會產(chǎn)生損耗,這個損耗即為開通損耗。以此類比,可以得出關(guān)斷損耗產(chǎn)生的原因,這里不再贅述。開關(guān)損耗另一個意思是指在開關(guān)電源中,對大的MOS管進(jìn)行開關(guān)操作時,需要對寄生電容充放電,這樣也會引起損耗。
三、MOS管損耗的8個組成部分
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對MOSFET的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形,套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算)。
1、導(dǎo)通損耗Pon
導(dǎo)通損耗,指在MOSFET完全開啟后負(fù)載電流(即漏源電流)IDS(on)(t)在導(dǎo)通電阻RDS(on)上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。
導(dǎo)通損耗計(jì)算:
先通過計(jì)算得到IDS(on)(t)函數(shù)表達(dá)式并算出其有效值IDS(on)rms,再通過如下電阻損耗計(jì)算式計(jì)算:Pon=IDS(on)rms2×RDS(on)×K×Don
說明:計(jì)算IDS(on)rms時使用的時期僅是導(dǎo)通時間Ton,而不是整個工作周期Ts;RDS(on)會隨IDS(on)(t)值和器件結(jié)點(diǎn)溫度不同而有所不同,此時的原則是根據(jù)規(guī)格書查找盡量靠近預(yù)計(jì)工作條件下的RDS(on)值(即乘以規(guī)格書提供的一個溫度系數(shù)K)。
2、截止損耗Poff
截止損耗,指在MOSFET完全截止后在漏源電壓VDS(off)應(yīng)力下產(chǎn)生的漏電流IDSS造成的損耗。
截止損耗計(jì)算:
先通過計(jì)算得到MOSFET截止時所承受的漏源電壓VDS(off),在查找器件規(guī)格書提供之IDSS,再通過如下公式計(jì)算:Poff=VDS(off)×IDSS×(1-Don)
說明:IDSS會依VDS(off)變化而變化,而規(guī)格書提供的此值是在一近似V(BR)DSS條件下的參數(shù)。如計(jì)算得到的漏源電壓VDS(off)很大以至接近V(BR)DSS則可直接引用此值,如很小,則可取零值,即忽略此項(xiàng)。
3、開啟過程損耗
開啟過程損耗,指在MOSFET開啟過程中逐漸下降的漏源電壓VDS(off_on)(t)與逐漸上升的負(fù)載電流(即漏源電流)IDS(off_on)(t)交叉重疊部分造成的損耗。
開啟過程損耗計(jì)算:
開啟過程VDS(off_on)(t)與IDS(off_on)(t)交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時刻前之VDS(off_end)、開啟完成后的IDS(on_beginning)即圖示之Ip1,以及VDS(off_on)(t)與IDS(off_on)(t)重疊時間Tx。然后再通過如下公式計(jì)算:Poff_on=fs×∫TxVDS(off_on)(t)×ID(off_on)(t)×dt
實(shí)際計(jì)算中主要有兩種假設(shè)—圖(A)那種假設(shè)認(rèn)為VDS(off_on)(t)的開始下降與ID(off_on)(t)的逐漸上升同時發(fā)生;圖(B)那種假設(shè)認(rèn)為VDS(off_on)(t)的下降是從ID(off_on)(t)上升到最大值后才開始。圖(C)是FLYBACK架構(gòu)路中一MOSFET實(shí)際測試到的波形,其更接近于(A)類假設(shè)。針對這兩種假設(shè)延伸出兩種計(jì)算公式:
(A)類假設(shè)Poff_on=1/6×VDS(off_end)×Ip1×tr×fs
(B)類假設(shè)Poff_on=1/2×VDS(off_end)×Ip1×(td(on)+tr)×fs
(B)類假設(shè)可作為最惡劣模式的計(jì)算值。
說明:圖(C)的實(shí)際測試到波形可以看到開啟完成后的IDS(on_beginning)>>Ip1(電源使用中Ip1參數(shù)往往是激磁電流的初始值)。疊加的電流波峰確切數(shù)值我們難以預(yù)計(jì)得到,其跟電路架構(gòu)和器件參數(shù)有關(guān)。例如FLYBACK中實(shí)際電流應(yīng)是Itotal=Idp1+Ia+Ib(Ia為次級端整流二極管的反向恢復(fù)電流感應(yīng)回初極的電流值--即乘以匝比,Ib為變壓器初級側(cè)繞組層間寄生電容在MOSFET開關(guān)開通瞬間釋放的電流)。這個難以預(yù)計(jì)的數(shù)值也是造成此部分計(jì)算誤差的主要原因之一。
4、關(guān)斷過程損耗
關(guān)斷過程損耗。指在MOSFET關(guān)斷過程中逐漸上升的漏源電壓VDS(on_off)(t)與逐漸下降的漏源電流IDS(on_off)(t)的交叉重疊部分造成的損耗。
關(guān)斷過程損耗計(jì)算:
如上圖所示,此部分損耗計(jì)算原理及方法跟Poff_on類似。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到關(guān)斷完成后之漏源電壓VDS(off_beginning)、關(guān)斷時刻前的負(fù)載電流IDS(on_end)即圖示之Ip2以及VDS(on_off)(t)與IDS(on_off)(t)重疊時間Tx。然后再通過如下公式計(jì)算:
Poff_on=fs×∫TxVDS(on_off)(t)×IDS(on_off)(t)×dt
實(shí)際計(jì)算中,針對這兩種假設(shè)延伸出兩個計(jì)算公式:
(A)類假設(shè)Poff_on=1/6×VDS(off_beginning)×Ip2×tf×fs
(B)類假設(shè)Poff_on=1/2×VDS(off_beginning)×Ip2×(td(off)+tf)×fs
(B)類假設(shè)可作為最惡劣模式的計(jì)算值。
說明:
IDS(on_end)=Ip2,電源使用中這一參數(shù)往往是激磁電流的末端值。因漏感等因素,MOSFET在關(guān)斷完成后之VDS(off_beginning)往往都有一個很大的電壓尖峰Vspike疊加其上,此值可大致按經(jīng)驗(yàn)估算。
5、驅(qū)動損耗Pgs
驅(qū)動損耗,指柵極接受驅(qū)動電源進(jìn)行驅(qū)動造成之損耗。驅(qū)動損耗的計(jì)算
,確定驅(qū)動電源電壓Vgs后,可通過如下公式進(jìn)行計(jì)算:Pgs=Vgs×Qg×fs
說明:Qg為總驅(qū)動電量,可通過器件規(guī)格書查找得到。
6、Coss電容的泄放損耗Pds
Coss電容的泄放損耗,指MOS輸出電容Coss截止期間儲蓄的電場能于導(dǎo)同期間在漏源極上的泄放損耗。
Coss電容的泄放損耗計(jì)算:首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時刻前之VDS,再通過如下公式進(jìn)行計(jì)算:
Pds=1/2×VDS(off_end)2×Coss×fs
說明:Coss為MOSFET輸出電容,一般可等于Cds,此值可通過器件規(guī)格書查找得到。
7、體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗Pd_f
體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗,指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流時因正向壓降造成的損耗。
體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗計(jì)算
在一些利用體內(nèi)寄生二極管進(jìn)行載流的應(yīng)用中(例如同步整流),需要對此部分之損耗進(jìn)行計(jì)算。公式如下:
Pd_f=IF×VDF×tx×fs
其中:IF為二極管承載的電流量,VDF為二極管正向?qū)▔航?,tx為一周期內(nèi)二極管承載電流的時間。
說明:會因器件結(jié)溫及承載的電流大小不同而不同??筛鶕?jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境在其規(guī)格書上查找到盡量接近之?dāng)?shù)值。
8、體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗Pd_recover
體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗,指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復(fù)造成的損耗。
體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計(jì)算
這一損耗原理及計(jì)算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下:
Pd_recover=VDR×Qrr×fs
其中:VDR為二極管反向壓降,Qrr為二極管反向恢復(fù)電量,由器件提供之規(guī)格書中查找而得。
四、減少M(fèi)OS管損耗的方法
減小開關(guān)損耗一方面要盡可能地制造出具有理想開關(guān)特性的器件,另一方面利用新的線路技術(shù)改變器件開關(guān)時期的波形,如:晶體管緩沖電路,諧振電路,和軟開關(guān)技術(shù)等。
(1)晶體管緩沖電路(即加吸收網(wǎng)絡(luò)技術(shù))
早期電源多采用此線路技術(shù)。采用此電路,功率損耗雖有所減小,但仍不是很理想。①減少導(dǎo)通損耗在變壓器次級線圈后面加飽和電感,加反向恢復(fù)時間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性,限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。②減少截止損耗加R、C吸收網(wǎng)絡(luò),推遲變壓器反激電壓發(fā)生時間,最好在電流為0時產(chǎn)生反激電壓,此時功率損耗為0。該電路利用電容上電壓不能突變的特性,推遲反激電壓發(fā)生時間。為了增加可靠性,也可在功率管上加R、C。但是此電路有明顯缺點(diǎn):因?yàn)殡娮璧拇嬖?導(dǎo)致吸收網(wǎng)絡(luò)有損耗。
(2)諧振電路
該電路只改變開關(guān)瞬間電流波形,不改變導(dǎo)通時電流波形。只要選擇好合適的L、C,結(jié)合二極管結(jié)電容和變壓器漏感,就能保證電壓為0時,開關(guān)管導(dǎo)通或截止。因此,采用諧振技術(shù)可使開關(guān)損耗很小。所以,SWITCHTEC電源開關(guān)頻率可以做到術(shù)結(jié)構(gòu)380kHz的高頻率。
(3)軟開關(guān)技術(shù)
該電路是在全橋逆變電路中加入電容和二極管。二極管在開關(guān)管導(dǎo)通時起鉗位作用,并構(gòu)成瀉放回路,瀉放電流。電容在反激電壓作用下,電容被充電,電壓不能突然增加,當(dāng)電壓比較大的時侯,電流已經(jīng)為0。
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