功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀：搶先臺積電量產

　　三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進的半導體制造公司之一，3nm節(jié)點是他們的一個殺手锏，之前一直被良率不行等負面?zhèn)髀劺_，日前三星公司終于亮出首個3nm晶圓，按計劃將在今年Q2季度量產，比臺積電還要早一些。

　　日前美國總統(tǒng)參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠，這里是目前全球唯一一個可以量產3nm工藝的晶圓廠，三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓，不過具體是哪款芯片還不得而知。

　　對三星來說，3nm節(jié)點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關鍵，因為臺積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術，三星的3nm節(jié)點就會啟用GAA技術，這是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

　　根據三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。

　　根據三星之前的表態(tài)，3nm工藝將在2022年Q2季度量產，這個進度相比臺積電的3nm工藝還要激進，后者今年下半年也只能小規(guī)模試產，明年才會大規(guī)模量產3nm工藝。