英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長期以來的100W功率限制，最高功率可達(dá)到140W，進(jìn)一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設(shè)備供電。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202206/435270.htm英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案
● 采用混合反激 （HFB）拓?fù)?支持5-28V寬壓輸出
● 可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿足不同的產(chǎn)品定位需求
● 相比傳統(tǒng)QR,ACF拓?fù)?，具有明顯的系統(tǒng)優(yōu)勢：
- HFB拓?fù)鋬?yōu)勢，磁性器件更?。ㄓ肦M8實現(xiàn)140W設(shè)計）
- 全軟開關(guān)控制，EMI更易處理
- HFB級用CoolMOS? 即可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的效率和功率密度
-同步整流可使用80V MOSFET，降低成本及器件的選型難度
● 協(xié)議部份采用了基于ARM核的EZ-PD? CCG3PA，支持PD3.1 EPR
XDP? 用于高功率充電器和適配器的控制器
數(shù)字多模式混合反激(HFB) IC - XDPS2201
系統(tǒng)/ 應(yīng)用概況
關(guān)鍵特性
集成600V高壓啟動和高低邊MOS 驅(qū)動
● 多模式運作 用于優(yōu)化不同輸入，輸出及負(fù)載條件下的效率
-在所有條件下實現(xiàn)ZVS
-CRM* 實現(xiàn)最優(yōu)效率
-ZV-RVS** 改善輕載效率
-Active burst-mode 改善極輕輕載效率和待機(jī)功耗
● 支持 USB-PD 變電壓輸出應(yīng)用
● 頻率抖動 用于改善EMI
● 高度靈活可變的IC參數(shù) 通過UART 配置滿足指定系統(tǒng)的需求
● 高系統(tǒng)可靠性 IC集成整套完備的保護(hù)
-可通過引腳讀出
* CRM: 連續(xù)諧振模式
** ZV-RVS: 零電壓諧振谷底開關(guān)
EZ-PD? CCG3PA
即插件即用型 USB-C PD 控制器
系統(tǒng)/ 應(yīng)用概況
關(guān)鍵特性
● USB-C PD 控制器, 支持PD3.1,PD 3.0,QC 4.0,BC1.2,Apple Charging 2.4A,Samsung AFC
● 基于Arm? Cortex?-M0 的 MCU 64KB Flash
● EZ-PD 配置功能可針對客戶特定規(guī)格進(jìn)行參數(shù)配置
● 集成計時/計數(shù)/脈寬調(diào)制模塊 ，6個GPIO
● 集成模擬模塊
-可配置的 VBUS 過壓保護(hù)，過流, 欠壓, 和短路
-集成 2個 VBUS 放電管和 及負(fù)載開關(guān)驅(qū)動
- 低邊電流檢測
● 24 QFN (16 mm2)
CoolGaN?
高效，高可靠性的氮化鎵產(chǎn)品
CoolGaN?驅(qū)動簡單可靠
電流型驅(qū)動器件，只要RRC網(wǎng)絡(luò)即可直接驅(qū)動，簡單，可靠。
針對適配器應(yīng)用600V
CoolGaN? 產(chǎn)品陣容
分立CoolGaN?關(guān)鍵特性
● 采混合漏極結(jié)構(gòu)具有非常優(yōu)異的動態(tài)Rdson性能
● 柵極電流注入驅(qū)動
-柵極不易產(chǎn)生電壓尖峰，集成ESD保護(hù)，提高可靠性
- 通過注入空穴提升溝道載子密度提高飽和電流密度
-通過柵極阻容設(shè)計兼容傳統(tǒng)模擬控制器，開關(guān)速度可調(diào)
● 經(jīng)過市場及高可靠應(yīng)用驗證的成熟產(chǎn)品
集成Driver的
CoolGaN?關(guān)鍵特性
● 基于CoolGaN? 開發(fā)的集成驅(qū)動的氮化鎵產(chǎn)品
● 采用半橋結(jié)構(gòu)，目標(biāo)應(yīng)用圖騰柱PFC, ACF,AHB, LLC和基于DSP/MCU的數(shù)字電源方案
● 支持3.3V邏輯電平輸入，集成18nS的抗尖峰脈沖濾波器
● 通過柵極的Rtr可調(diào)節(jié)開關(guān)速度
PFD7 系列
專為軟開關(guān)拓?fù)湓O(shè)計的CoolMOS?
MOS滯回?fù)p耗產(chǎn)生
PFD7專為軟開關(guān)設(shè)計
● 在軟開關(guān)應(yīng)用中，非常小的滯回?fù)p耗提升系統(tǒng)效率
● 集成ESD保護(hù)器件提高生產(chǎn)良率，降低成本及產(chǎn)品售后失效率
● 更低的驅(qū)動損耗 (Qg, Qgd）提升輕載效率
● 集成快恢復(fù)體二極管超低 Qrr降低，為半橋開關(guān)提供一個額外的安全裕量，減少設(shè)計量
產(chǎn)品陣容
減小滯回?fù)p耗的案例
英飛凌65W內(nèi)部測試用板
● 輸入電壓:90 VAC – 265 VAC
● 輸出電壓: 5 - 20 V
● 標(biāo)稱功率: 65 W
● 工作頻率: 100 - 220 kHz
● 變壓器: RM10LP
OptiMOS? PD用于
充電器/適配器的低壓MOSFET產(chǎn)品
● OptiMOS? PD 功率 MOSFETs 的主要封裝 PQFN 3.3x3.3 和PQFN 5*6封裝
● 專為充電器/適配器設(shè)計，價格和交付更有靈活性
● 支持邏輯電平輸入保證在低電壓下完全導(dǎo)通，具有很低的通態(tài)電阻
● 業(yè)界領(lǐng)先的低開關(guān)損耗，幫助通過能效等級測試。
OptiMOS? PD:
用于同步整流的重點推薦型號
OptiMOS? PD/6:
用于負(fù)載開關(guān)的重點推薦型號
評論