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          比銀行卡還要小的多,智融推出65W 3C口超薄氮化鎵快充方案

          作者: 時間:2022-06-27 來源:充電頭網(wǎng) 收藏


          65W能夠為手機和電腦提供理想的體驗,同時不需要PFC,從成本和體積上都很有優(yōu)勢,是工廠和消費者選擇的主力產(chǎn)品。隨著近年來平面變壓器技術(shù)的成熟,通過使用平面變壓器取代傳統(tǒng)繞線變壓器,從常規(guī)的方塊形態(tài)進化成為餅干形態(tài),更加便于攜帶。



          科技推出了多款可用于的協(xié)議降壓二合一芯片,在車充和中應(yīng)用非常廣泛。推出了用于氮化鎵開關(guān)管的初級主控芯片SW1106,支持直驅(qū)增強型氮化鎵開關(guān)管,進一步完善氮化鎵產(chǎn)品線,致力于推出一站式氮化鎵快充電源解決方案。



          充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到了推出的65W餅干氮化鎵快充方案,這款方案采用了智融推出的初級主控芯片和降壓協(xié)議芯片,為固定電壓輸出,搭配二次降壓電路實現(xiàn)多口快充,滿足消費者多個設(shè)備同時充電的需求。下面就對這款氮化鎵快充方案進行解析,看看是如何設(shè)計的。



          智融65W超薄快充方案外觀



          智融65W 3C口快充方案不僅小巧扁平,而且配備多達3個USB-C接口,不僅滿足消費者對于“餅干”充電器需求,更進一步提升該類產(chǎn)品的實用性,真正做到出門一個充電器就夠。



          模塊正面安規(guī)電容、高壓濾波電解電容橫置,其中兩個還套有黃色膠套絕緣保護。中心區(qū)域焊接平面變壓器,輸出端設(shè)有小板,三個USB-C母座全部焊接在小板上。



          模塊側(cè)面一覽,黑色電容沉板以降低厚度。



          輸出端小板僅用于焊接母座,無其它器件。



          板子背面設(shè)有整流橋、開關(guān)電源初次級芯片、降壓協(xié)議協(xié)議IC等器件,初次級分界明顯。



          測得模塊長度為81.47mm。



          寬度為46.38mm。



          厚度為12.08mm,通過三維算得模塊功率密度約為1.42W/cm。



          重量約為57g。



          使用ChargerLAB POWER-Z KM002C測得USB-C1口支持Apple2.4A、Samsung 5V2A協(xié)議,以及QC3+、QC5、FCP、SCP、PD3.0、PPS快充協(xié)議。



          PDO報文顯示C1口具備5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A五組固定電壓檔位,以及3.3-21V3.25A三組PPS電壓檔位。



          測得USB-C2口兼容協(xié)議和C1口的相同。



          測得C2口PDO報文也和C1口的一樣。



          測得C3口同樣支持QC3+、QC5、FCP、SCP、PD3.0、PPS快充協(xié)議。



          此外PDO報文也相同,即三個C口均支持65W快充輸出,單口輸出性能完全一樣,支持功率盲插。



          智融65W超薄快充方案解析



          看完了外觀的介紹,下面我們來從輸入端開始,來看這款電源的用料和設(shè)計。



          電源PCBA模塊側(cè)面一覽,右側(cè)焊接輸入保險絲和EMI電路以及濾波電容。



          電源輸入端保險絲來自藍寶,規(guī)格為3.15A。



          保險絲后面是黃色安規(guī)X2電容和共模電感,共模電感使用絕緣線和漆包線繞制。



          交流輸入經(jīng)過EMI電路,連接到整流橋的過孔。



          充電器輸入端沒有焊接元件,為折疊插腳留有空間,元件放置在折疊插腳兩側(cè)的空間內(nèi)部。



          整流橋來自深圳市沃爾德實業(yè)有限公司,型號WRLSB80M,這顆軟橋通過較軟的恢復(fù)曲線,比較平滑的關(guān)斷特性,可以降低二極管結(jié)電容達到非常少的諧波振蕩產(chǎn)生的效果。LSB封裝,擁有良好的散熱特性,幫助中大瓦數(shù)適配器提升可靠性,單顆可做60W+。



          沃爾德 WRLSB80M 資料信息。



          高壓電解電容來自永銘,頂部套有黃色膠帽絕緣。



          磁環(huán)差模電感,外套熱縮管絕緣。



          兩顆高壓電解電容并聯(lián)濾波,其中一顆來自永銘。



          另外一顆電容來自KNSCHA科尼盛,經(jīng)過整流和濾波后的直流電為開關(guān)電源初級供電。



          用于高壓啟動電路的二極管,連接在交流輸入上,同時還為安規(guī)X2電容放電。



          充電器初級主控芯片來自智融,型號為SW1106,是一顆支持增強型氮化鎵開關(guān)管直驅(qū)的高頻反激準諧振控制器,芯片內(nèi)部集成700V高壓啟動電路和X電容放電功能。芯片內(nèi)部集成氮化鎵驅(qū)動器,驅(qū)動電壓為6V,可直接驅(qū)動增強型氮化鎵開關(guān)管。



          SW1106運行在帶谷底鎖定的谷底開啟工作模式,并集成頻率抖動功能以優(yōu)化EMI性能,支持突發(fā)模式。供電采用雙VDD供電設(shè)計,在輸出電壓USB PD寬輸出場合降低控制器的功率損耗。



          SW1106內(nèi)部集成輸入電壓保護,供電過壓保護,輸出過壓保護,逐周期電流限制,過載保護,輸出過流保護,電流取樣電阻開路和短路保護,芯片內(nèi)置過熱保護,支持外接熱敏電阻進行器件過熱保護,保護功能全面。



          智融SW1106采用SSOP10封裝,支持氮化鎵快充,充電器以及開關(guān)電源應(yīng)用,這顆初級控制器的推出,一方面實現(xiàn)了氮化鎵控制器的國產(chǎn)化替代,另外一方面也豐富了智融在快充電源的產(chǎn)品線。



          與控制器搭配的氮化鎵功率開關(guān)管是英諾賽科INN650D150A,這是一顆耐壓650V的增強型氮化鎵高壓單管,瞬態(tài)耐壓750V,導(dǎo)阻150mΩ,采用DFN8*8封裝。右側(cè)兩顆0.27Ω電阻并聯(lián),用于初級電流檢測。



          INN650D150A支持超高開關(guān)頻率,無反向恢復(fù)電荷,具有極低的柵極電荷和輸出電荷,符合JEDEC標準的工業(yè)應(yīng)用要求,內(nèi)置ESD保護,符合RoHS、無鉛、歐盟REACH法規(guī)。



          用于反激的RCD吸收電路,由二極管,電阻和電容組成,吸收變壓器初級繞組的漏感能量。



          變壓器為平面變壓器,磁芯纏繞黃色膠帶絕緣,頂部貼有智融商標。



          平面變壓器次級采用銅柱焊接連接到PCB上。



          兩顆貼片Y電容來自禾伸堂,兩顆串聯(lián)獲得更高的安全性。



          用于輸出電壓反饋的EL1018光耦。



          431電壓基準配合光耦進行輸出電壓反饋。



          同步整流管來自砹德曼,型號為AD120N85D5,是一顆耐壓85V的NMOS管,采用DFN5*6封裝。



          同步整流控制器采用MPS MP6908A,最高工作頻率600KHz,支持DCM/CCM/QR準諧振工作模式,內(nèi)置振鈴檢測防止DCM和QR運行下誤開通,支持邏輯電壓和標準電壓同步整流管。



          次級濾波固態(tài)電容來自瑞隆,規(guī)格為470μF 25V,將同步整流輸出濾波,為二次降壓電路供電。



          充電器次級采用兩顆4.7μH降壓電感,為兩路二次降壓電路,分別對應(yīng)三個輸出接口,可實現(xiàn)單口65W功率盲插,雙口功率智能分配。



          輸出二次降壓電路一覽,分別有兩顆降壓協(xié)議芯片與對應(yīng)的降壓管和VBUS開關(guān)管。



          這款充電器的二次降壓方案采用智融新發(fā)布的SW3556解決方案,這款芯片支持雙USB-C接口降壓控制,內(nèi)部集成多種快充協(xié)議,支持7A大電流輸出,并支持雙口功率盲插和獨立限流。SW3556支持驅(qū)動低壓氮化鎵開關(guān)管,可進一步提升降壓電路效率,減小充電器的體積與散熱要求。



          智融SW3556為同步整流降壓拓撲,支持40V輸入,內(nèi)置同步整流降壓控制器,搭配使用硅MOS或氮化鎵開關(guān)管、電感電容等簡單的外圍器件,即可實現(xiàn)140W大功率輸出。內(nèi)置的降壓控制器開關(guān)頻率為125KHz,支持PFM/PWM模式運行以優(yōu)化轉(zhuǎn)換效率。



          此外,智融SW3556支持引腳外接電阻來配置輸出功率以及動態(tài)功率分配,在開發(fā)多口快充電源產(chǎn)品時無需外置單片機,以此實現(xiàn)更精簡的外圍并降低成本。適用于車載充電器、多充電器、插排等產(chǎn)品領(lǐng)域。



          另外一路的降壓協(xié)議芯片同樣為SW3556。



          用于二次同步降壓電路的MOS管來自智融科技,絲印SWT40N45。



          220μF 25V固態(tài)電容用于二次降壓輸出濾波。



          用于USB-C口輸出的VBUS開關(guān)管同樣為SWT40N45。



          用于雙口輸出的兩顆VBUS開關(guān)管也是SWT40N45。



          輸出接口垂直焊接在小板上,小板再焊接到充電器主板上,座子與主板平行。



          USB-C母座過孔焊接固定,黑色膠芯不露銅。



          智融65W超薄快充方案兼容性測試



          下面來看看智融的超薄快充方案對于設(shè)備的充電兼容性如何,因為充電器配備的3個接口在獨立使用時的性能相同,所以此次僅測試一個USB-C接口。



          iPhone 13 Pro Max是目前最新最大的iPhone手機,支持約27W的快充功率,使用USB-C為iPhone 13 Pro Max充電,功率為9.19V 2.92A 26.87W,USB-C完全可以滿足iPhone 13 Pro Max的快充需求。



          Switch底座TV模式支持PD快充,但想激活底座TV模式需要PD充電器支持15V3A及以上的PD快充檔位,也就是充電器最低也要支持45W快充。使用USB-C為Switch底座TV模式供電,充電器輸出功率為15.07V 0.29A 4.37W,成功點亮底座TV模式。



          受限于篇幅的原因無法將所有的測試數(shù)據(jù)一一展現(xiàn)出來,所以最后將測試的數(shù)據(jù)匯總成表。整體來看,在參與測試的手機、平板電腦、游戲機、筆記本電腦等數(shù)十臺設(shè)備中都可以觸發(fā)快充,部分手機充電功率甚至可以達到50W+,65W的功率也可以滿足平板電腦以及部分筆記本電腦的快充需求。



          柱狀圖部分,筆記本電腦和部分安卓機型的功率排在前面,其他設(shè)備的功率柱狀圖依次遞減。



          充電頭網(wǎng)總結(jié)



          智融最新推出的這款65W三口快充方案基于智融推出的氮化鎵主控芯片SW1106開發(fā),這款芯片內(nèi)置氮化鎵驅(qū)動器,可以直驅(qū)目前廣泛應(yīng)用的英諾賽科等品牌氮化鎵開關(guān)管,支持高壓啟動以及分段供電,滿足氮化鎵快充應(yīng)用。這款方案還采用了平面變壓器,借助氮化鎵技術(shù)高頻高效的特性,實現(xiàn)了超薄的機身設(shè)計。



          整個方案的AC-DC部分設(shè)計得非常緊湊;此外在次級側(cè)通過兩顆智融SW3556芯片實現(xiàn)兩路降壓和協(xié)議識別功能,無需外置MCU即可實現(xiàn)雙路協(xié)調(diào)控制,高度集成的芯片設(shè)計同樣實現(xiàn)了精簡的外圍電路,僅需搭配幾顆降壓MOS和VBUS開關(guān)管,減少PCB板占板面積。同時兩顆芯片可以協(xié)同實現(xiàn)功率智能分配,滿足任一單口輸出65W、雙口或三口輸出功率智能分配,實現(xiàn)了對電源功率的充分應(yīng)用。



          這顆初級控制器的推出,一方面實現(xiàn)了氮化鎵控制器的國產(chǎn)化替代,為氮化鎵快充提供新的解決方案,減少缺貨造成的損失。另外一方面也豐富了智融在快充電源的產(chǎn)品線,實現(xiàn)初次級的芯片供應(yīng),簡化采購流程。




          關(guān)鍵詞: 智融 氮化鎵 充電器 快充

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