3nm彎道超車臺(tái)積電之后 三星2nm工藝蓄勢(shì)待發(fā)：3年后量產(chǎn)

在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺(tái)積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會(huì)量產(chǎn)。

根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能。

第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時(shí)面積減少35%，效果更好。

再往后呢？三星也有了計(jì)劃，3nm GAP工藝之后就會(huì)迎來2nm GAP工藝，也是基于納米片技術(shù)的GAA晶體管，但是結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化，從3個(gè)納米片提升到4個(gè)，可以提高驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)還會(huì)優(yōu)化堆疊結(jié)構(gòu)以提升性能，降低功耗。

2nm GAP工藝的量產(chǎn)時(shí)間也定了，預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)，時(shí)間點(diǎn)跟臺(tái)積電量產(chǎn)2nm工藝差不多，而且很可能在技術(shù)上領(lǐng)先后者，因?yàn)榕_(tái)積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，提升只有10%。