UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對電源設(shè)計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

Qorvo^?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長的應(yīng)用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。

Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 R_DS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、44 和 60mΩ。這種廣泛的選擇可為工程師提供更多的器件選項，從而具有更高的靈活性，以實現(xiàn)更佳的成本/效率平衡，同時保持充足的設(shè)計冗余和電路穩(wěn)健性。利用獨特的級聯(lián)式（cascode） SiC FET 技術(shù)，其中常開型 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以生成常關(guān)型 SiC FET，這些器件可提供同類更佳的 RDS x A 品質(zhì)因數(shù)，能夠以較小芯片實現(xiàn)較低傳導(dǎo)損耗。

Qorvo 旗下UnitedSiC首席工程師 Anup Bhalla 表示：“D2PAK-7L 封裝可降低緊湊型內(nèi)部連接環(huán)路的電感，與包含的 Kelvin 源極連接一起，可降低開關(guān)損耗，從而實現(xiàn)更高的工作頻率和更高的系統(tǒng)功率密度。這些器件還采用銀燒結(jié)（silver-sinter）芯片貼裝技術(shù)，熱阻非常低，可通過標(biāo)準(zhǔn) PCB 和帶液體冷卻的IMS 基板最大限度地散熱。”

采用 D2PAK-7L 封裝的新型 750V 第 4 代 SiC FET 單價（1000 片以上，美國離岸價）從 UJ4C075060B7S 的 3.50 美元到 UJ4SC075009B7S 的 18.92 美元不等。所有器件均可從授權(quán)分銷商處獲得。

Qorvo 旗下UnitedSiC UJ4C/SC 第 4 代 SiC FET 系列能夠提供行業(yè)更佳性能品質(zhì)因數(shù)，從而在更高速度下降低傳導(dǎo)損耗并提高效率，同時提高整體成本效益。