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          Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級(jí)12和30V MOSFET

          —— DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空間受限的應(yīng)用中節(jié)省電力并簡(jiǎn)化散熱管理
          作者: 時(shí)間:2022-07-27 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench ,該產(chǎn)品采用超緊湊DSN1006封裝,具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。image.png

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202207/436697.htm

          新型非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽(tīng)器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品,迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì),滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

           

          RDS(on)與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高負(fù)載開關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低,從而增強(qiáng)可穿戴設(shè)備的用戶舒適度。

           

          具體而言,在VGS =4.5V時(shí),PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此,在市場(chǎng)上類似的30V 中,PMCB60XN和PMCB60XNE單個(gè)芯片面積導(dǎo)通電阻最低。此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中,還可提供額定2kV ESD保護(hù)(人體模型 – HBM)。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。

           

          除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外,還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時(shí)的最大RDS(on)為16mΩ,在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具備市場(chǎng)領(lǐng)先的效率。

           

          30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN現(xiàn)已供貨,可從獲得。




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