創(chuàng)新，引領未來
加入技術交流群
原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝，是當前及未來工藝節(jié)點相關的收縮及更復雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關鍵技術。如今，隨著技術節(jié)點以驚人的速度持續(xù)進步，精確而又高效地生成關鍵器件特征成為了一項持久的挑戰(zhàn)。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202207/436709.htm
原子層沉積工藝依靠專業(yè)的高性能原子層沉積閥在數(shù)百萬個脈沖中輸送精確的化學品劑量，構建形成材料層。為了達到原子級精密度和高生產(chǎn)良品率，輸送這些脈沖式化學品劑量的閥門必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此，不斷刷新ALD閥使用壽命、響應時間、高溫高流量應用及一致性性能指標的新高。
世偉洛克即將推出的ALD7超高純隔膜閥是ALD 技術的創(chuàng)新，通過改善流量一致性、提高流通能力、提升執(zhí)行機構響應速度和更高的溫度性能來提高芯片產(chǎn)量。
ALD7，為毫不妥協(xié)的精度而打造
ALD7提供了在超高循環(huán)壽命中，閥門與閥門之間、進料與進料之間及腔室與腔室之間的一致性能。
l 在 ALD 應用中，ALD7 在數(shù)百萬次的循環(huán)過程中提供精確的進料
l 提升的執(zhí)行機構技術使得閥門執(zhí)行比行業(yè)標準技術更快，響應時間低至5ms
l 執(zhí)行機構可浸入 150°C，而閥體的額定溫度為 200°C，可在高溫和真空條件下，提供一致的流量
l ALD7閥體由世偉洛克專有的超高純 316L VIM-VAR不銹鋼構成，具備抵抗腐蝕性氣體的能力
ALD7，更高的性能，更少的返工
與業(yè)界標準閥門相比，ALD7 提升了流通能力，但占用空間保持不變。其緊湊的設計，使半導體制造商能夠在不進行重大工藝改變的情況下，提升原有設備的生產(chǎn)力。
l ALD7 可提供高達 0.7 的流量系數(shù) (Cv) 并實現(xiàn)閥門與閥門之間精確、可重復的進料
l ALD7 保持了與現(xiàn)有世偉洛克 ALD 閥門相同的 1.5-inch占用空間
l 該閥門擁有一個集成式熱隔離器，縮短了閥門整體尺寸，使系統(tǒng)設計者能夠盡可能地利用反應腔室附近的有限空間
新款 ALD7超高純（UHP）隔膜閥能提供一致的、提升的性能，即使和我們的老款閥門相比也是如此。采用更高性能的ALD7閥門替換現(xiàn)有設備中的閥門，無需重新設計。ALD7閥門與其他世偉洛克 ALD 閥門的占用空間相同，并且緊湊的閥門設計使工藝設計者能夠盡可能地利用反應腔室附近的有限空間。
無論是集成到新設備還是現(xiàn)有設備中，ALD7 閥門都為半導體設備 OEM 提供了一種簡單的方式，來提高芯片制造商的生產(chǎn)力，滿足全球?qū)π酒找嬖鲩L的需求。它為制造商提供了在可變工藝條件下的一致性能，在不增加運營成本的情況下，盡可能地提高產(chǎn)量。
如需了解更多ALD7超高純（UHP）閥門在半導體生產(chǎn)過程中的優(yōu)勢，包括如何提高芯片生產(chǎn)良率，您可以聯(lián)系世偉洛克當?shù)厥跈嗟匿N售與服務中心。
評論